电力场效应管的使用方法及保护研究

根据电力场效应管的特点和性能 ,介绍了电力场效应管在使用中必须注意的事项以及在使用中应采取保护的种类、原理和实现的方法。

电力场效应管随机电报信号噪声的检测与分析

电力场效应管(Power Metal Oxide Semiconductor FET,P-MOSFET)是构成电力通信电源的核心器件,其可靠性直接影响到电力通信的安全稳定运行。随机电报信号(Random Telegraph Signal,RTS)噪声是表征其可靠性的敏感参数,为了能够检测与分析P-MOSFET内部的RTS噪声,提出一种改进型的经验模态分解(Empirical Mode Decomposition,EMD)自适应选择算法检测RTS噪声,运用时间和波形相关系数优化高阶累计量分析RTS噪声。仿真结果表明,新算法的滤波效果优于传统的算法,优化后高阶累计量不仅提高了RTS噪声处理能力,而且验证了其在零频处具有1/f的特性。

电力电子器件知识讲座(四) 功率场效应管的结构与特性

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

电力电子器件知识讲座(五) 功率场效应管的驱动电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

电力电子器件知识讲座(六) 功率场效应管的应用电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

中波固态发射机场效应管MOSFET的正确使用与测试

场效应管是一种新型的半导体器件，它是利用极电压（G极）所产生的电场来改变导电沟道的宽窄，从而达到控制电流的目的，称为电压控制器件。

电力半导体场效应管瞬态响应特性研究

瞬态响应特性为电力半导体场效应管制约电路系统性能的关键电学参数。利用TCAD半导体器件仿真软件对电力半导体场效应管的瞬态响应特性进行了详细的研究。仿真结果表明,随着多晶硅栅区宽度的增大,栅—源电容充电时间较长,导通延迟时间随之延长。且栅—漏电容面积增大,栅—源电压维持时间随之增长,上升时间随之增长。导通延迟时间和上升时间均随着栅氧化层厚度的增大而大幅增大。为了在不影响导通电阻和导通延迟时间的情况下,缩短器件的上升时间,可采用非均匀厚度栅氧化层结构。随着厚栅氧化层厚度的增大,器件导通延迟时间基本相同,而上升时间随之显著缩短。随着厚栅氧化层宽度增大,器件导通电阻越高,漏—源等效电容放电时间越长。厚栅氧化层越宽,漏—栅等效电容对栅—源电容的充电时间影响越小,开通延迟时间越短。而对于上升时间,厚氧化层宽度存在最优值,此时miller耦合电容和导通电阻折中效果最优。

用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器

本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

高频大功率场效应管的原理及在全固态发射机中的应用

本文介绍了应用于全固态电视发射机的高频大功率场效应管的结构、原理及类型。举例说明了用于VHF和UHF频段的MOSFET管的实际应用电路,分析了MOSFET管的损坏原因以及更换时应注意的事项。为维护全固态发射机的功放板(PA板)提供了一些理论依据和实践经验。

栅氧老化下SiC MOSFET开通瞬态栅极振荡特性研究

栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究栅氧老化对开通瞬态栅极高频振荡特性的影响。首先,分析SiC MOSFET栅氧老化机理及其对器件开通时间的影响。然后,建立开通瞬态栅极回路分阶段高频等效电路模型,揭示SiC MOSFET栅极开通振荡电流的形成机理和影响因素。最后,通过33 V高压栅偏加速老化实验进行验证。研究结果表明,随着栅氧老化程度的加深,SiC MOSFET阈值电压会逐渐增加而开通速度变慢,导致栅极开通振荡电流显著减小(约28%)。该文的工作有望为SiC MOSFET栅氧老化在线监测提供一种新的思路。

金属氧化物半导体场效应管在全固态中波发射机中的应用

本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。

场效应管原理及其在辅助设备中的应用

本文介绍了场效应管的特点、分类及用途。针对其在仪器辅助设备中的实际应用,结合电路原理图,通过分析信号流程,详细介绍了场效应管的作用、工作原理及使用注意事项。希望通过分析实际电路,达到了解和熟悉场效应管的目的,并对从事电子设备维修的技术人员有所帮助。

利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍单端正向变换器基本电路,重点叙述带三路调节DC电压的100kHz 180W离线电源。它采用具有低导通电阻R_(DS)和低栅极电荷Qg的新型场效应管(QFET)作为变换电路的主开关器件,降低了电源开关损耗并提高了效率3％～5％。

金属-绝缘-石墨化碳场效应管

本发明是一种电压控制的大功率开关管，属电力电子器件，英文简称MICFET。原理上与目前广泛使用的半导体场效应管MOSFET一样，都是利用栅极静电场夹断导电沟道，所不同是本发明采用石墨化碳纤维（或热分解碳膜）取代半导体，作导电沟道。因此，它具有易控制，开关动作快，耐高压，导通电阻非常小，工作温度高的特点。特别适合电力电子系统应用。

SiC MOSFET多管并联均流方案及IVCR1412驱动芯片应用

在大功率变换系统中,多管并联能提升电流承载能力,增加输出功率,常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战,这影响了系统中器件的温度分布,进而影响系统可靠性,最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流,瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动TMIVCR1412芯片开展了均流研究,在不同均流驱动方案和不同条件下,测试影响均流的因子,以提供均流方案建议。

论场效应管放大电路的原理和特点

本文对全固态发射机中场效应管放大器的组成、工作原理和特点进行了详细分析,目前全固态发射机功率放大器使用的都是场效应管。

智能功率场效应管MLD1N06CL的特性和应用

MOSFET的开关性能优于双极型晶体管，因此在功率电子开关的应用场合几乎都由功率MOSFET来担任。例如，开关电源、逆变器、变频器、负载开关、直流固态继电器中的开关器件几乎都采用了功率MOSFET。近年来，随着科学技术及半导体工艺技术的发展，功率MOSFET也不断地改进。提高了性能。其主要表现在两个方面：一方面是其导通电阻RDS（on）不断地下降，由过去的几百mΩ下降到几十mQ，目前已可做出导通电阻仅mΩ的新产品来，使功率MOSFET的功率损耗不断地减小，提高了效率，并简化了散热装置。有的功率MOSFET甚至于可不用散热器。