电力晶体管GTR驱动电路设计

介绍了大功率晶体管驱动电路的设计方法 ,并对 GTR损坏的原因进行了分析。

1200V电力晶体管体耐压的计算机模拟

利用较精确的理论模型和有效的数值分析方法,对1200V GTR体耐压和漏电流的影响因素进行了定量分析和计算,得到了一些有益的结果.这些结果为GTR耐压和漏电流的优化设计提供了依据.

电力晶体管基极驱动电路的探讨

探讨了电力晶体管驱动电路能正常工作所要满足的条件，给出 ５种电力晶体管基极驱动电路，分析 了各种电路的组成原理。

电力晶体管的一种驱动和保护电路

电力晶体管(GTR)直流PWM调速装置在中、小功率直流调速系统中,应用日益广泛。基极驱动电路性能的优劣和功能完善的程度不仅对电力晶体管本身的工作性能和可靠性有直接关系,而且对整个系统的性能和安全可靠也有很大的影响。晶体管是具有自关断能力的半导体器件,可以很容易地随的时关断。但它与晶闸管相比,过载能力低,短路保护困难。当大功率电力变换装置的开关晶体管发生短路故障时,在几百微秒的极短时间内就将被烧毁。由于时间极短,不能采用快速熔断器保护。因此,线路设计者必须熟悉晶体管的过载特性,采取相应措施,确保将故障电流限制在晶体管的安全工作区以内外,研制出性能优良的特别是具有过载和短路保护功能的驱动电路便成为亟待解决和普遍关心的问题。

大功率晶体管并联研究

从工程实际应用的角度,分析了大功率晶体管并联运行时可能造成电流不均衡的各种因素.介绍了选择GTR并联运行的思路和原则,提出了保证GTR并联可靠运行的布线方法.

大功率晶体管基极驱动电路的改进

介绍了为直流电机ＰＷＭ调速系统而设计的大功率晶体管基极驱动电路。讨论了大功率晶体管对基极驱动电路的要求，提出了基本驱动电路和具有自动调节，自动保护功能的改进型驱动电路，并分析了该驱动电路的工作原理。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)原理介绍及在UPS方面应用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,本文主要介绍了IGBT的结构特性、工作原理,最后对IGBT在UPS方面的实际应用进行了分析介绍。

关于电力电子应用技术开发研究的建议

关于电力电子应用技术开发研究的建议蔡宣三（清华大学，１０００８４北京）１电力电子技术在电力工业中的应用电力电子技术在电力系统（包括发电、输电、配电）中有着广泛的应用前景，如高压直流输电系统中的高压大功率变流器，交流发电机励磁控制装置，交流输电系统的灵...

基于低频噪声检测的电力MOSFET可靠性分析

针对变电所中通信电源的核心器件电力金属氧化物半导体场效应晶体管（power MOSFET,P-MOSFET）在大功率、强电流下易损坏、故障率高,直接影响电力通信业务的安全稳定运行的问题,提出了一种基于低频噪声检测的可靠性分析方法。利用互功率谱测量方法检测PMOSFET内部的本征低频噪声,根据频段阈值法的拐点噪声谱,确定P-MOSFET筛选的上下限阈值大小,建立了P-MOSFET的1/f噪声功率谱密度及其阈值的对应关系式。实验结果表明,与传统的有损检测法相比,该方法能够有效评估P-MOSFET的三种可靠性等级,提高了可靠性筛选的准确率,为其他晶体管的可靠性评估提供了参考。