黄铁矿的温差电动势率与可浮性关系

本文测定了不同产地的8种黄铁矿的温差电动势率,采用无沫浮选法研究了这8种黄铁矿在弱酸性和碱性介质中的可浮性。发现黄铁矿的可浮性与其温差电动势率有较密切的关系,用数学回归法得出弱酸性和碱性介质中黄铁矿回收率与温差电动势率、浮选黄药浓度问的数学关系式,按矿物温差电动势率的不同对黄铁矿的可浮性进行了分类。

适用于25—600℃温度范围的温差电动势率和电阻率测试系统

本文介绍一种可以同时测量温差电动势率和电阻率随温度变化(25—600℃)的测试系统。该系统可以在真空、过压保护气体和空气等条件下对样品进行测量。由于测量系统选用两对铬镍-铝镍温差电偶同时作为温度和电压探针,并采用x-y记录仪斜率法,以消除温差电偶随温度变化的不一致性以及随机热电势所引起的误差,因而使该系统具有较好的精确度。

激光辐照SnO_2超微粒薄膜的AES、热电动势率及阻抗谱

：研究ＹＡＧ脉冲激光辐照对ＳｎＯ２超微粒薄膜的改性作用。由ＡＥＳ分析表明，在大气环境中激光束的轰击可使薄膜表面碳吸附量明显减少，并有一定的氧化作用。在３００～６００Ｋ范围内测量激光辐照前后样品的热电动势率（ＴＥＰ），发现激光辐照后ＴＥＰ值明显减小，薄膜发生晶化。激光辐照对超微粒薄膜的电学性质、晶界效应也有影响，表明激光束作用使薄膜粒间效应减弱。

锰-镍金属氧化物半导体材料的温差电动势率

在170～450K 温度范围内测量了具有尖晶石结构的 NiMn_2O_4氧化物半导体材料的温差电动势率 S 和电导率σ与温度的关系。结果表明,温度 T>270K 时,温差电动势率 S 随温度的升高而减小,T<270K 时,S 随温度的升高而增大,即在 T=270K 处 S-1/T 曲线出现拐点,同时电导率σ-1/T 曲线也在该点有明显拐折.分析表明,在 T>270K 时其电导为尾部定域态内的跳跃电导。T<270K 时,为费米能级 E_F 附近定域态内跳跃电导。

基于ANSYS的电动汽车用永磁同步电机设计与优化

为了提升电动汽车输出扭矩的平稳性,提出了基于ANSYS优化永磁同步电机转子结构的方法。根据某车型的动力性需求,利用Motor-CAD软件对车用永磁同步电机结构参数进行设计与建模。以永磁体宽度、极弧角度、定子辅助槽深为优化参数,以转矩脉动、反电动势畸变率为优化目标进行多目标优化试验。通过参数化分析,确定最优的一组结构参数。优化结果表明:较初始电机,转矩脉动降低20.3%,反电动势畸变率降低52.5%。

钢渣混凝土的Seebeck效应研究

试验研究了钢渣混凝土的Seebeck效应,并探讨了钢渣掺量和养护龄期对其Seebeck效应的影响。研究结果表明,钢渣混凝土具有很好的Seebeck效应,试块上下表面温差与温差电动势呈线性关系;随着钢渣掺量的增加,温差电动势与温差关系的线性规律先增强后减弱;随着养护龄期的延长,钢渣混凝土的Seebeck效应越好,TEP越趋于稳定。

Al掺杂ZnO薄膜的结构和热电性质研究

用直流反应磁控溅射方法在透明平面玻璃上制备出Al掺杂ZnO薄膜,并对其结构和温差电动势率进行研究。实验结果表明,所制备样品具有C轴择优取向的多晶结构,温差电动势随着温差(ΔT)的增大而呈线性增加。并且样品的电阻越大,温差电动势率越小。在室温附近的环境温度对温差电动势率几乎无影响。退火处理后,温差电动势率增大。实验还发现,在外加磁场时,温差电动势率稍微减小。

含Sm、Mn的P型FeSi_2基热电材料的电学性能

用悬浮熔炼法制备了含Sm、Mn的P型FeSi2基热电材料。实验结果表明,其电学性能是由掺杂的两种元素共同决定的,Sm对降低样品电阻率的作用较大,而Mn有助于提高样品的热电动势率。要保证有较高功率因子,Mn、Sm掺杂总摩尔分数应小于5%,而Mn的最佳掺杂摩尔分数在1.7%左右。

Fe-Si-Ge基合金的电学特性

含Ge的P型FeSi2基热电材料的电阻率有较大的下降,但仍保持较高的热电动势率,其功率因子有很大的提高。但对于N型FeSi2基热电材料,Ge的引入使样品向P型转变,并引起电学性能变差。可见,Ge的引入可提高P型FeSi2基热电材料的电学性能,Fe0.91Cr0.09Si1.6Ge0.4的功率因子达到β FeSi2的10倍左右。

Si对反应烧结SiC热电性能的影响

SiC是一种具有良好应用前景的高温热电半导体材料,近年来一直得到广泛的关注和研究。本文对反应烧结SiC的热电性能进行了初步研究,发现该材料中的Si对其热电性能有显著的影响。经研究发现,这一影响只有在一定温度和一定残留Si的情况下才能表现出来。

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应

在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.

直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及电学性质研究

本文采用直流反应磁控溅射方法在平面玻璃上制备了ZnO薄膜.所得的ZnO薄膜利用X光衍射,扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析和表征.实验结果表明,ZnO薄膜的结构和电学性质与合成条件密切相关.并测试了ZnO薄膜的温差电动势,得出薄膜中的载流子浓度越大,温差电动势率越小;ZnO薄膜厚度越大,温差电动势率越小.本文对其结果进行了理论分析.

含C、Ge的Fe-Si-Mn基热电材料的电学性能

对掺C和Ge的Fe Si Mn基热电材料的电学性能研究表明,相对于未掺的Fe Si Mn基热电材料,掺C样品的电阻率降低,但热电动势率增加。掺Ge样品的电阻率有所升高,但热电动势率增加更快,因此掺C、Ge样品有较高的功率因子,比未掺样品提高近1倍。

半导体材料测试仪器的设计与制作

设计了一种在不同温度条件下测量半导体材料电阻率和电动势率的仪器,实现了在不同温度下半导体材料电阻率和电动势率的精确测量;采用电阻炉构建了温度可变的测试环境,电阻炉是具有大滞后特性的被控对象,控制系统中采用大林算法,实现了快速升温过程,控制精度达到了±3℃.

基于LabVIEW的半导体材料检测平台

设计制作了一套以LabVIEW和USB-6009采集卡为检测系统的半导体材料特性检测平台,在温度自主可调的电加热炉的测试环境下,测量不同温度下半导体材料的电阻率和电动势率。测试平台已正式投入运行,在测试过程中实现温度、电压等各项数据的实时处理、显示及保存。根据实验结果可知,系统测量得到的电阻率和电动势率误差控制在允许误差范围以内,实验得到的曲线稳定。

GDARE法制备不同厚度ZnO薄膜的热电性质

以气体放电活化反应蒸发（GDARE）沉积法通过多次沉积制备不同厚度ZnO薄膜。原子力显微镜和X射线衍射测试分析表明,所得ZnO薄膜具有纳米颗粒多晶结构,粒径在30~70 nm,晶粒尺寸随薄膜厚度增加而增大,不同厚度的薄膜均具有高度的c轴取向性。由GDARE法沉积的ZnO薄膜具有较高的温差电动势率S（Seebeck系数）,厚度200 nm的薄膜在440K附近S可达600μV/K。相同温度下,薄膜的温差电动势率S与电阻率ρ均随着膜厚的增加而减小。在考察了薄膜电阻率与温差电动势率的综合影响后,得到在440 K附近,厚度为600 nm的ZnO薄膜具有相对最优秀的热电性能。讨论了ZnO薄膜的表面电传导过程及温差电动势产生机制。

温差电材料参数测试系统

分析了温差电材料的各种参数对温差电器件的影响，描述了测定温差电材料的温差电动势率α、电导率σ以及热导率Ｋ的参数测试系统，尤其是此系统可测出任意指定的温度下的参数值。

Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3热电材料掺杂对其性能的研究

通过熔炼、机械粉碎、热压法制备了Bi0.5Sb1.5Te3(三碲化二铋、三碲化二锑固溶体,比例为1∶3)热电材料,研究了不同掺杂浓度对材料性能的影响。材料的XRD图谱显示,随着Te浓度的增加,衍射峰后移。性能测试表明,随着Te浓度的增加,材料的温差电动势率增高,电导率下降,这说明Te浓度对材料的热电性能有重要影响。

SCT—Ⅱ型温差电致冷材料测试仪

叙述一种新型的测量半导体温差电致冷材料α、σ参数的计算机自动测量系统。全面而扼要的介绍测量工作原理、硬件结构及应用软件。