单晶SiC的电助光催化抛光及去除机理

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求,提出了电助光催化抛光SiC的新方法。研究了光催化剂种类及其pH值对抛光液氧化性和抛光效果的影响,讨论了材料的去除机理。结果表明:以p25型TiO_2为光催化剂配制抛光液所获得的最大氧化还原电位为633.11 mV,材料去除率为1.18μm/h,表面粗糙度Ra=0.218 nm;抛光后SiC表面氧化产物中,Si-C-O、Si-O和Si_4C_4O_4的含量明显增加,SiC表面被氧化并被机械去除是主要的材料去除方式。