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电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度
1
作者
王周成
彭瑞伍
+1 位作者
彭承
孙恒慧
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第8期639-641,共3页
从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。
关键词
GAAS
测量
少子扩散
电化学光伏法
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职称材料
题名
电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度
1
作者
王周成
彭瑞伍
彭承
孙恒慧
机构
中国科学院福建物质结构研究所
中国科学院上海冶金研究所
复旦大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第8期639-641,共3页
文摘
从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。
关键词
GAAS
测量
少子扩散
电化学光伏法
Keywords
Electrochemical photovoltage method
GaAs
Minority carrier diffusion length
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度
王周成
彭瑞伍
彭承
孙恒慧
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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