目的:探求导电胶带固定揿针于机体表皮的覆盖区域是否会有较大幅度地增加该区域内的自发电化学电流。方法:将试验组(采用导电胶带固定揿针)与对比组(单用揿针)的针刺自发电化学电流所记录的数据(其中鸡肉样本数据24个,猪肉样本数据为48...目的:探求导电胶带固定揿针于机体表皮的覆盖区域是否会有较大幅度地增加该区域内的自发电化学电流。方法:将试验组(采用导电胶带固定揿针)与对比组(单用揿针)的针刺自发电化学电流所记录的数据(其中鸡肉样本数据24个,猪肉样本数据为48个),分组采用统计学方法进行比对、分析,数据采用t检验处理,P P ≤ 0.000均有极显著统计学意义。结论:采用导电胶带覆盖固定揿针于机体能够大幅度增加该覆盖区域的自发电化学电流。展开更多
在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch...在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist,简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案。实验结果表明:0+4mask技术的Gate制程中,ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀;将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀。在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中,基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留,均会引起Cu腐蚀;增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量、增加TFT基板在过渡区间(H2O与剥离液接触的区间)的传输速度,管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀。展开更多
文摘目的:探求导电胶带固定揿针于机体表皮的覆盖区域是否会有较大幅度地增加该区域内的自发电化学电流。方法:将试验组(采用导电胶带固定揿针)与对比组(单用揿针)的针刺自发电化学电流所记录的数据(其中鸡肉样本数据24个,猪肉样本数据为48个),分组采用统计学方法进行比对、分析,数据采用t检验处理,P P ≤ 0.000均有极显著统计学意义。结论:采用导电胶带覆盖固定揿针于机体能够大幅度增加该覆盖区域的自发电化学电流。
文摘在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist,简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案。实验结果表明:0+4mask技术的Gate制程中,ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀;将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀。在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中,基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留,均会引起Cu腐蚀;增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量、增加TFT基板在过渡区间(H2O与剥离液接触的区间)的传输速度,管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀。