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电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔
被引量:
4
1
作者
徐少辉
熊祖洪
+3 位作者
顾岚岚
柳毅
丁训民
侯晓远
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期272-275,共4页
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ...
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6
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关键词
多孔硅
微腔
光致发光
窄峰发射
电化学脉冲腐蚀法
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职称材料
题名
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔
被引量:
4
1
作者
徐少辉
熊祖洪
顾岚岚
柳毅
丁训民
侯晓远
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期272-275,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (No.5 983 2 10 0 )~~
文摘
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6
关键词
多孔硅
微腔
光致发光
窄峰发射
电化学脉冲腐蚀法
Keywords
porous silicon
microcavity
photoluminescence
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔
徐少辉
熊祖洪
顾岚岚
柳毅
丁训民
侯晓远
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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职称材料
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