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纯Mg表面TiO_2薄膜的电化学腐蚀行为
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作者 谢奉妤 高家诚 +1 位作者 胡德 张敏 《云南冶金》 2011年第S2期138-142,共5页
以四氯化钛为前躯体,去离子水为溶剂,盐酸作为抑制剂,采用溶胶-凝胶的方法制得TiO_2溶胶,采用浸渍-提拉技术在纯镁基体上制得TiO_2薄膜,以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验,以电化学阻抗值作为评价标准,研究了热处理温度、涂层次数... 以四氯化钛为前躯体,去离子水为溶剂,盐酸作为抑制剂,采用溶胶-凝胶的方法制得TiO_2溶胶,采用浸渍-提拉技术在纯镁基体上制得TiO_2薄膜,以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验,以电化学阻抗值作为评价标准,研究了热处理温度、涂层次数、溶胶浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明:溶胶浓度为0.5%,涂层次数为3,热处理温度为100℃下得到的TiO_2薄膜具有最好的耐蚀性。 展开更多
关键词 二氧化钛 纯MG 腐蚀 电化学阻值
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纯镁表面Zn-TiO_2涂层的制备及其耐蚀性 被引量:3
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作者 高家诚 谢奉妤 +1 位作者 张婷 张敏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期958-961,共4页
以四氯化钛为前驱体,去离子水为溶剂,ZnCl2为掺杂剂,采用溶胶-凝胶方法制得TiO2溶胶,采用旋涂法在纯镁基体上制得Zn-TiO2薄膜。采用XRD、DSC/TG、SEM,表征不同实验条件下试样的组成和结构,发现Zn2+在一定程度上抑制了晶粒的长大和晶型转... 以四氯化钛为前驱体,去离子水为溶剂,ZnCl2为掺杂剂,采用溶胶-凝胶方法制得TiO2溶胶,采用旋涂法在纯镁基体上制得Zn-TiO2薄膜。采用XRD、DSC/TG、SEM,表征不同实验条件下试样的组成和结构,发现Zn2+在一定程度上抑制了晶粒的长大和晶型转变;以电化学阻抗值作为评价标准,通过正交实验研究了热处理温度、涂层次数、Zn2+掺杂浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明,Zn2+掺杂浓度为0.5%,涂层次数为3,热处理温度为300℃下得到的TiO2薄膜具有最好的耐蚀性。 展开更多
关键词 TIO2 纯MG 腐蚀 锌掺杂 电化学阻值
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纯Mg表面TiO2薄膜的耐蚀性研究
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作者 谢奉妤 高家诚 +1 位作者 胡德 张敏 《材料导报》 CSCD 北大核心 2012年第4期18-21,共4页
以四氯化钛为前驱体,去离子水为溶剂,盐酸为抑制剂,采用溶胶-凝胶法制得TiO2溶胶。采用浸渍-提拉技术在纯镁基体上制得TiO2薄膜,以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验,以电化学阻抗值作为评价标准,研究了热处理温度、涂层次数、溶胶浓... 以四氯化钛为前驱体,去离子水为溶剂,盐酸为抑制剂,采用溶胶-凝胶法制得TiO2溶胶。采用浸渍-提拉技术在纯镁基体上制得TiO2薄膜,以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验,以电化学阻抗值作为评价标准,研究了热处理温度、涂层次数、溶胶浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明,溶胶浓度为0.5%、涂层次数为3、热处理温度为100℃时得到的TiO2薄膜具有最好的耐蚀性。 展开更多
关键词 二氧化钛 纯MG 腐蚀 电化学阻值
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