一种高精度的RC振荡器电路

为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路。通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的有效补偿。细调电路提取与电压、工艺及温度都无关的比例系数作为频率调节因子;温度系数调节电路通过合理匹配使得常温下电阻不受档位变化的影响,改善温度系数的同时提高了档位调节过程中的频率稳定性。芯片实测结果显示,经过粗调、细调和温度系数调节三重校正后,振荡器典型输出频率为8 MHz,在-40~150℃的全温度范围内频率变化小于±0.5%,实现了对RC振荡器电路工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的补偿。

封装应力对Bandgap电压的影响及其解决办法

随着器件小型化,封装应力对电性能的影响越来越受到重视。应力对芯片电气性能影响主要表现在测试参数的偏移甚至失效。Bandgap设计的参考电压具有精度高、温漂小等特点。Bandgap精度越高对外部应力越敏感。作者通过对封装体开盖前后测试参数的比较发现,封装应力是造成产品参考电压漂移的主要原因。他们通过统计分析得出封装应力对复位电压有10mV的影响,可以通过修改bandgap的α值设计,修改修调程序以后器件复位电压分布的中心值回到2.63V期望值附近,测试良率因此得到提高。

一种全共模范围低失调运算放大器电路设计

基于CMOS工艺设计了一种全共模范围内低失调的运算放大器。本电路优化了传统轨到轨输入输出运放的系统误差,并设计了高精度的电流转换结构和全共模范围失调电压修调结构,提高了运放的精度和全输入共模范围内运放的线性度。经实测验证,本电路全共模范围内失调电压可修调至±50uV以内。

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～+120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。