直流励磁机初启动时电压反向的检验与处理

在发电机的首次启动过程中,作为电气试验的重要环节——同轴直流励磁机,如果不能进行调节或励磁机电压与设计反向,就会影响启动试验的进程,推迟并网发电时间。为了在启动过程中能够较快处理这个问题,我们在工作中采用以下的简捷方法,实践证明是比较有效的。 并激直流励磁机的结线如图1所示。在非正常情况下一般有两种现象:

低反向击穿电压特性对光伏组件阴影遮挡下输出功率的影响

局部阴影遮挡会导致光伏组件输出功率下降,温度升高,严重的会导致光伏组件失效甚至起火,严重威胁光伏电站安全运行。本工作从晶硅太阳能电池反向击穿电压入手,着重分析了反向击穿电压对光伏组件输出功率的影响。结果表明:在相同的遮挡测试条件下,相较于PERC和TOPCon,具有低反向击穿电压的IBC串并联组件具有更低的功率损失,并且IBC组件的热斑温度更低。

4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型

提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向击穿电压与器件参数如掺杂浓度、长度、宽度和温度等的关系。通过对导通电阻的优化,获得了导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝VB1.4。并对模型结果进行了讨论,结果与二维数值仿真吻合得很好。

高压直流输电系统故障检测的反向电压行波方法

高压直流输电技术(HVDC)的广泛应用,使得其故障检测越来越重要。为了快速区分高压直流输电系统的故障类型,对系统中可能出现的各种故障进行了分析,例如逆变侧单相接地短路故障、两相短路故障、三相短路故障和直流输电线路故障。在否定典型行波检测方法之后,提出小波分析方法中的检测反向电压行波的方案,即采用Db3小波对高压直流输电系统不同类型故障的行波信号进行小波分析,通过使用MATLAB小波工具箱对故障点的反向电压行波进行5层分解,提出利用反向电压行波5层小波系数最大绝对值来区分直流故障和交流故障的方法。MATLAB仿真结果表明,直流故障的反向电压行波小波系数不被接地电阻值的大小所影响。该方法能够很好地完成高压直流输电的故障检测,并为以后的研究提供参考。

反向电压补偿式双积分A/D转换原理的研究

基于桥式电阻检测电路,在不需要提供基准电压的情况下,介绍了采用反向补偿电压实现双积分A/D转换的原理,提出了先反补后常规、先常规后反补两种实现方法。讨论了反向电压的产生,补偿电阻的作用,补偿电阻与补偿电压的关系。通过试验测试,并与常规双积分A/D转换进行比较和误差分析,证实该原理和方法是可行的。

反向电压下场放大进样毛细管电泳分析磺胺类药物

采用反向电压下场放大进样富集技术,建立了四种磺胺类药物的毛细管区带电泳分析方法。确立了优化的实验条件,电泳缓冲液为22.5 mmol/L Na2HPO4-0.8 mmol/L CTAB-18%ACN,pH 8.70,样品溶于0.1 mmol/L Na OH溶液,电泳电压:-20 k V,检测电位:1.10 V,进样方式为-13 k V×20 s。四种磺胺类药物在该方法条件下检出限可达10^(-9)~10^(-10)mol/L水平。

一种CMOS功率开关反向电压保护电路

接口电路通常采用CMOS功率开关作为输出缓冲电路,在实际应用中经常受到反向电压的冲击,因此,必须设计相应的反向电压保护电路,以保证CMOS功率开关的安全。提出了一种新型的反向电压保护电路,能够在反向电压冲击CMOS功率开关时提供合理的衬底电压和栅极电压,抑制反向电流,保障器件安全。该电路简洁有效,不影响电路的输出驱动能力和瞬态响应特性。采用0.6μm CMOS工艺,制作了一个包含保护电路的接口电路,测试结果表明,该保护电路能够在+12V反向电压下为功率开关提供良好保护。

反向遏止电压法测量普朗克常数

为了将实验的精准度进一步提高,对于实验方法进行了研究,分析,并作出了相应的改动。调查中通过理论分析的方法对光电效应法则中的普朗克常数的数值进行了分析研究。实验时利用反向遏制电压的方法来对数值进行分析,并找出会使结果产生误差的原因。再根据理论分析的结果结合实际的实验操作,对于实验进行改进,将误差减到最小范围,实验的精确度也因此提高了(<0.5%)。

电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响

虽然电子辐照会使P-N结中的自由载流子浓度减少,P-N结宽度增加,但其反向漏电流也随之增加,最终使P-N结反向击穿电压略有下降;对晶体管和晶闸管,由于辐照使其电流放大系数下降,最终其反向击穿电压却略有增加。

直流电磁继电器反向电压抑制方法浅析

以继电器驱动电路为基础,分析在该电路中并联续流二极管、并联齐纳二极管、并联TVS管三种方式来抑制反向电压,将反向电压限制在安全范围内,保护前级驱动电路,减小尖峰电压所产生的干扰,同时提供电感储能释放通道,削弱接点放电火花。结合试验数据和仿真波形,给出该三种电压抑制方法的适用环境。

晶闸管过电压保护中“关断过电压”产生原因探讨——课堂教学中如何认识“反向电流急剧衰减为零(近似)”的一点看法

晶闸管(文字符号:T,英语单词Thyristor缩写)关断过电压,又叫换流(相)过电压,或空穴积蓄效应过电压。它是晶闸管元件在换流过程中伴随产生的一种过电压。因为它幅值很大,作用时间很短,因此它属于尖峰状的瞬时过电压,它是山于变压器漏感和线路自身电感的存在,当晶闸管换流时,电感释放能量而产生的过电压。

EBA阀门反向电压过大导致控制板卡失灵问题浅析及优化

在检修EBA阀门的过程中,发现阀门反向电压超过驱动板卡的安全电压,从而导致板卡失灵,烧毁控制板卡,严重影响机组的安全运行。本文将针对本问题进行阐述分析并提出解决方式和优化方案,通过现场的试验找到问题的根源,找到优化控制方案方法与解决问题的方式,从而避免此类问题继续出现,影响核安全,同时为大家在遇到此类问题时提供一种解决问题的思路。

小功率直流电磁继电器反向尖峰电压保护电路分析

结合对直流继电器故障的分析,对几种继电器反向峰值电压保护措施进行了对比,结合设备自身工作的特点找到了最优的保护措施,并通过搭建电路进行了实验验证,为后续设备升级提供了一个参考方向。

抽油机控制器反向电压释放器

感性元器件投切过程中在线圈两端产生高于电源电压数倍到数十倍的反向电压,控制器无法正常工作。提出一种利用压敏电阻工作特性,将线圈产生的过电压由释放器进行释放保护,有效防止了因感性负载反向电压造成控制器故障。

济南晶恒的肖特基二极管可承受40V反向电压

济南晶恒有限责任公司（Jinan Jingheng Co．，Ltd）的1N58系列肖特基二极管可承受的最大反向电压为40V，适用于高频逆变器，它的保护环用于过压保护。该二极管输出电流3A，封装在UL94V-0-rated阻燃塑料中。

一种点火系统反向电压高问题解决方案

在汽油机运行过程中,点火线圈通过电磁感应原理,在次级线圈中产生高压电,使火花塞电极生成电火花,点燃发动机汽缸内的油气混合气,实现发动机持续的动力输出。针对点火系统工作过程中产生的反向电压高问题,文章介绍了其产生的原因及解决方案。

晶体管反向击穿电压测试附加器

晶体管反向击穿电压的测量是电子爱好者感到比较困难的一件事,常用的JT-1型晶体管特性图示代也只能测到200V,不能测量高反压晶体管。本文介绍一种晶体管反向击穿电压测试附加器,配合500型等万用表使用,测量范围为0～1000V,可满足一般测量要求。

反向电压高达1000V的单相桥式整流器

MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S采用典型高度1．4mm的表面贴装MBLS封装，反向电压高达1000V，非常适合智能手机充电器的AC／DC全波整流。

直流电压下尖刺在空气中放电特性研究

介绍局放检测分析系统。在一个由金属丝和板-板电极组成的针-板电极两端分别加上正负直流电压,分别测量正负电压下的击穿电压和不同电压等级下的局部放电量。

SiC肖特基势垒二极管的反向特性

在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。