一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究

采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在10 dB以内时衰减平坦度小于1 dB。该衰减器采用单电压源控制衰减量变化,控制电压在-2～0 V内变化时,控制端口电流的实测值低于5μA,具有显著的低功耗优点。

ATL结构在宽带VVA设计中的应用

ATL(Artificial Transmission Line)是一种具有和实际传输线特性相似的二端口网络。采用场效应管制作的电压,可变衰减器由于等效电容效应影响较难在宽带范围内实现低的插入损耗指标。在分析场效应管等效模型的基础上,结合ATL结构的特点,设计并制作了一种宽带电压可变衰减器,在DC^20GHz内实现了插入损耗低于3dB、端口驻波小于2.0的较好微波性能,充分体现了ATL结构对降低衰减器插入损耗和改善端口驻波性能所起到的良好作用。

输出功率动态均衡的WDM模块的分析与研制

研究了以MEMS衰减器为核心的节点光功率均衡方案,在此基础上,研制出了输出功率动态均衡的WDM模块。并对模块进行了测试,其主要性能指标都达到了设计要求。适合在光通信系统评估、WDM系统功率均衡等场合使用。