a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。

分布式电源用四桥臂变换器中点电压漂移控制

四桥臂变换器的作用是针对三相不平衡负载或者非线性负载提供三相对称的输出电压,但如果四桥臂中点控制不好将使得输出电压中包含直流成分,进而导致变换器输出电压不对称或者电压幅值发生变化。为解决变换器中点电压漂移而导致变换器输出包含直流成分的问题,本文提出了将分裂式电容与中线串电感有机结合构造了第四桥臂的新结构,建立了第四桥臂的数学模型,并根据第四桥臂的数学模型提出了电压电流双闭环的控制策略,设计了第四桥臂的控制器并对其稳态误差进行了分析,该方法可以解决变换器输出包含直流成分问题,并实现与变换器其他三相主桥臂的解耦控制,PSIM仿真和实验结果表明该方法是切实可行的。

低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系。模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明 ,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大 ,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看 ,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。

新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响

用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.

全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .

光调制器半波电压漂移对测频的性能影响研究

电子战系统的前端是微波频率测量装置,光辅助法微波频率测量因带宽大、抗电磁干扰能力强、损耗低而被广泛研究.然而该方法使用的电光调制器存在半波电压易漂移的问题,对微波频率测量存在影响.该文详细分析了各种电光调制器半波电压漂移对微波频率测量的性能影响.理论分析和仿真计算结果表明:偏振调制器半波电压漂移对频率测量存在微小的误差,可忽略不计;强度调制器半波电压漂移缩小微波频率测量的动态范围;双平行调制器的下臂半波电压漂移影响微波频率测量的动态范围、上臂半波电压漂移引起较大的微波频率测量误差、移相器半波电压微小的漂移即引起较大测量误差.该结论对微波光子频率测量的工程化应用具有指导意义.

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。

SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法研究

报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果。在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界面陷阱、固定电荷以及可移动电荷都会影响阈值电压的漂移。为了衡量器件工艺水平,精准评测器件的阈值电压漂移量,搭建测试平台进行了阈值电压漂移量测试。通过试验发现,阈值电压在应力的作用下既会发生漂移也会恢复,偏置电压去除与阈值电压测试之间的时间间隔非常重要。对阈值电压漂移量的测试应在同样的电压扫描方式、同样的时间间隔以及相同的温度下进行。

基于支持向量机的测厚仪CS值电压漂移故障判定及处理

支持向量机(SVM)是在统计学习理论基础上发展起来的一种新的模式识别方法,SVM的基本思想是通过非线性变换将输入空间变换到一个高维空间,然后在这个新的空间中求取最优分类超平面。它在解决小样本、非线性及高维模式识别问题中表现出许多特有的优势,并能够推广应用到函数拟合等其他机器学习问题中。本文着重介绍选取SVM及其如何成功诊断处理钢厂轧机X射线测厚仪CS值电压自动漂移等故障的实例,实践理论与应用并重。

金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状

为了研发可用于核与辐射应急响应与准备的机器人,对比了多种具有不同结构和生产工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于总剂量效应(TID)导致的阈值电压漂移(ΔVth)。注意到了栅宽和栅长对器件耐辐射能力的影响在体CMOS器件和纳米线(NW)MOSFET器件之间、高的和低的工艺节点之间的不同,并从辐射诱导的窄通道效应(RINCE)和辐射诱导的短通道效应(RISCE)两方面解释了这种区别的原因。发现近年来前沿的一些研究在考虑辐射效应时,修正了负偏压不稳定性(NBTI)的影响。并讨论了几种新型器件包括锗沟道、氮化镓沟道管和具有特殊几何布局的晶体管。此外,介绍了计算机辅助设计技术(TCAD)在几种新型场效应管的机理研究和建模验证中的应用。

氮退火对SiC MOSFET栅源电压漂移的影响

为了准确地表征4H-SiC MOSFET经过高温栅偏(HTGB)测试后的栅源电压漂移,优化氮退火工艺条件以改善MOSFET栅源电压的稳定性,在n型4H-SiC(0001)外延片上制备了横向扩散MOSFET(LDMOSFET)和纵向扩散MOSFET(VDMOSFET)。对栅氧化层采用不同温度、时间和气氛进行氮退火,并对制备的MOSFET进行了HTGB测试,探讨了栅压应力大小、应力时间、温度对栅源电压漂移的影响。结果表明:相比LDMOSFET,VDMOSFET可以更有效地表征栅源电压漂移趋势;氮退火对栅源电压正向漂移影响较小;NO退火后增加高温N_(2)退火、提高NO退火的温度和增加NO退火的时间均会引起VDMOSFET栅源电压负向漂移量增加;当栅压应力为-16 V、应力时间为500 s时,1200℃、70 min NO退火的VDMOSFET的栅源电压漂移比1250℃、40 min NO退火的小0.1~0.3 V。

辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究

研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐照诱导陷阱电荷和载流子的生成以及载流子俘获/发射等多种物理行为对阈值电压漂移的影响。结果显示MOSFETs阈值电压漂移主要受温度、辐照剂量和被钝化的悬挂键密度的影响。随着温度的升高,栅介质内产生新的缺陷参与载流子输运等行为,导致阈值电压漂移更加明显。辐照剂量很小时辐照效应相对较小,陷阱诱导的退化是主要的影响因素;随着辐照剂量的累积,辐照效应开始占主导地位并产生强烈的负向漂移;当辐照剂量累积到极高水平时,阈值电压漂移表现出反弹效应。

某型直升机交流发电机控制器过载试验电压漂移分析及改进

本文针对某型直升机交流发电机控制器在过载试验中电压漂移故障,根据故障现象和定位排查,通过机理分析和试验验证提出了纠正措施从而排除故障,对直升机交流电源系统设计有一定的参考作用。

P阱硅栅CMOS电路阈值电压漂移现象的分析和采取的解决办法

针对CMOS集成电路制造工艺中出现的阈值电压漂移问题，通过对大量工艺实验数据的统计分析，提出了电路失效模型，又运用理论分析，找出了问题的原因所在。据此改进了设计和工艺，并经实验验证，效果良好。

失调电压和失调电压漂移分别低于同类产品的1／100和1／20的数字可编程信号调理放大器

“他们只想保证项目100％的稳妥。结果等项目通过时，留给设计测试的时间就很短了。”

四开关逆变器直流母线电容电压均衡控制

当传统三相两电平六开关逆变器的某个功率管发生开路或短路故障时,四开关逆变器作为一种容错拓扑结构可以维持三相系统继续运行。然而,由于有一相负载电流从电容中点流入流出,势必导致母线中点上下两个电容的电压波动。对需要经常改变运行工况的场合,两电容电压甚至会向相反方向漂移,严重影响系统的可靠运行。首先通过电路分析给出电容电压波动公式,指出从正常运行切换到四开关拓扑结构瞬间,流入电容中点电流的相位对两电容电压波动的影响,分析了电容电压产生漂移的原因并给出通过发送特定开关状态实现两电容电压均衡的控制方法。实验结果验证了分析的正确性和电压均衡控制方法的有效性。

电源管理器件输出电压精度的分析

电源管理芯片的高精度电压输出,是电源管理技术的一个重要课题,以L DO稳压器为基础,详细分析了基准电压漂移、误差放大器电压漂移等影响电源电压输出精度的主要因素。

脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素:M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差VDS过大,使IGZO膜层内的氧空位V+O在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V+O对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V+O经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的VDS压差,导入超大尺寸IGZO产品,高温高湿信赖性评价2000 h未发生AD不良。

水分子对有机场效应晶体管阈值电压稳定性的影响

以重掺杂Si片为衬底,SiO_2为栅绝缘层,并五苯为有源层,制备了有机场效应晶体管(OFETs),研究了空气中水汽对场效应性能的影响。实验表明:当器件较长时间放置在空气中时,吸附在并五苯和SiO_2接触面之间的水分子导致阈值电压漂移,器件的稳定性降低;经过热处理的器件的阈值电压漂移现象消失。提出了解释阈值电压漂移现象的模型,该模型可解释水分子在这个过程中所起的作用。