新型CeBr_(3)闪烁体探测器配以电压跟随电路适用性研究

开展了怀特射极电压跟随电路在新型CeBr_(3)闪烁体探测器的应用研究,利用探测器输出的γ射线脉冲信号,从脉冲幅度分辨率、能量线性度及自身本底方面,研究了电压跟随电路对于该新型探测器的适用性。本课题完善了新型CeBr_(3)探测器相关硬件技术,为其在各领域核辐射探测的推广应用提供参考。

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。

一种用于脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的高增益检波器(英文)

设计了一个用于非相干脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的能量检波器.该检波器包含了输入匹配模块、平方电路、翻转电压跟随器-电流检测电路、跨导级以及输出缓冲器.平方电路运用饱和区晶体管的平方律特性对输入差分信号进行平方,所得到的输出电流由翻转电压跟随器-电流检测电路转换成电压.跨导级对该信号进行放大并积分得到所接受的能量.测试结果可以看出,当输入信号的峰峰值超过60mV时,在高达300MHz的频率下检波增益可以达到10dB.而最小检测幅度为13mV,此时的检波增益为5dB.在移除输出缓冲器之后,输出脉冲的幅度将增加一倍.不计及测试焊盘,芯片面积为0.23mm×0.3mm.电路由一个1.8V的电源供电,核心电路电流为3.5mA.该检波器已成功应用于开关键控方式的接收机以实现高速宽带通信.