90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。

基于LC谐振电路的脉冲电流发生器研究

针对目前电流发生器普遍没有与电网隔绝,并且发出脉冲电流特征不明显,容易与电网上的干扰信号混叠的问题。提出了一种基于LC谐振电路的脉冲电流发生器,通过应用变压隔离技术、晶闸管技术和LC谐振技术,实现了具有二阶振荡特征的正负脉冲电流。结果表明,应用此研究技术成果研制的脉冲电流发生器装置具有安全、稳定、可靠,脉冲电流特征明显等显著优势,并可用于低压台区户变关系的识别中。