可擦除可编程只读存储器的复制

目前计算机技术迅速发展 ,EPROM在程控系统中得到广泛应用。本文从应用的角度 ,设计一种切实可行的能对EPROM进行程序复制的电路 ,并扼要的阐述了电路的工作原理 ,让从事各种程控系统的工作人员 ,在不具备EPROM程序复制所需的专门设备情况下 ,也能把程序复制和写入到EPROM中去。

电可擦除可编程只读存储器在嵌入式系统的应用研究

在嵌入式系统应用中,为了避免控制系统在配置初始化数据、设置运行参数等在突发掉电情况下重要信息丢失,常采用电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)[1]。嵌入式EEPROM存储器已成为当今片E系统设计解决方案的一个至关重要的部分。为了解决存储器读写控制难的问题,本文以FPGA作为主控制芯片,采用自顶向下的设计理念,研究设计了一款基于可编程逻辑的读/写EEPROM控制器[2],经过对控制系统的功能需求分解、设计实现及仿真验证,证明该控制器具有读写数据稳定、使用方便、成本低廉、适用性广等特点。

电可擦除存储器单元的模型

本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立ＥＥＰＲＯＭ 单元器件的等效电路的模型，利用本模型对ＥＥＰＲＯＭ 单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟。

一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。

一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。

基于串行可电擦除存储器(EEPROM)的CPU监控器X4043/45在小脑电刺激器系统中的应用

介绍了基于串行EEPROM的CPU监控器X40 43 / 45工作原理 ,讨论了它在小脑电刺激系统中的应用 。

ADuC8xx系列单片机闪速/电擦除数据存储器及其应用

Adu C8xx系列单片机是美国 A DI公司新推出的具有真正意义上的完整的数据采集芯片 ,目前有 Adu C812 ,Adu C816,Adu C82 4三种型号 ,分别具有一个 12位 ,16位和 2 4位的 A /D转换器。他采用了闪速 /电擦除存储器 ,辅之以内含的加载器和调试软件 ,解决了以 ROM为基础的芯片产品的灵活性差、仓储困难等缺点 ,而且不需要任何硬件仿真器就可以对 A du C8xx的应用系统进行调试开发。由于闪速 /电擦除存储器的结构 ,擦除必须以页为单位完成 ,因此给出一个擦除命令时 ,至少将擦除 4个字节 (1页 )。

基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。

DS2430A 256位一线电可擦除只读存储器

介绍DS2430A的结构、工作原理、存储器功能命令、ROM功能命令和一线bus通信协议,给出DS2430A的主要电气参数,并提供一个存储功能的例子。

中芯国际发布0．18微米电可擦除只读存储器工艺技术及智能模块设计平台

日前，中芯国际集成电路制造有限公司，宣布其研发出的0．18微米电可擦除只读存储器（EEP—ROM）工艺技术已经可以提供给客户使用。为了更好地服务于全球客户，中芯国际设计服务处同时宣布他们采用此项工艺技术成功研发出嵌入式电可擦除只读存储器智能模块设计平台。

FRAM——一种新型的电存储器

从原理、特性和应用领域等方面介绍计算机产业中出现的新热点——铁电存储器（ＦＲＡＭ），预示了它的发展前景。

可编程控制器件GAL的应用

使用可编程控制器件(如GAL,FPGA,ispLSI等),不仅可以制作TTL和CMOS系列中所没有的非标准逻辑 器件,而且可以制作成特定用途的控制器,制作成的器件还可以加密,防止解读或非法拷贝.介绍了可编程控制器 件GAL的一些用途,并通过实例给予说明.

可编程逻辑器件在HP82000系统上测试

文中介绍了电擦除可编程逻辑器件(EPLD)

彩电存储器一览

存储器英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简写为：E^PROM或EEPROM，中文含义：电可擦可编程只读存储器。也就是说存储器内的数据可以擦去(抹掉)，也可以长时间保存记录下来供读取使用。尤如录音机磁带上的内容一样可以抹掉，也可以重新录制保存使用。

可编程彩灯控制器

本文介绍一款可用于舞台、娱乐乐场所以至家庭的彩灯控制器,其特点是程序可随时修改,也可长期保存,可控制八路彩灯,步数可达512步。

TMS320LF2407 SPI存储器的扩展设计

Microchip公司生产的25LC040(串行电擦除可编程只读存储器)是串行EEPROM,不需要复杂的地址、数据和控制总线,仅由几根线就可以完成存储操作,可以节省大量的硬件资源,对一些I/O口线比较紧张的系统来说尤其重要。基于DSP TMS320LF2407的控制系统,可以利用串行外设接口(SPI)模块扩展存储器。本文针对这两种接口的时序配合问题给出了从接口电路到软件设计的解决方案。

FLASH存储器E28F128J3A-150的原理及其应用

FLASH存储器是继传统ROM和EPROM之后推出的新型存储器件。本文介绍了E28F128J3A-150的组织结构和性能特点,并给出了存储器的原理框图和程序流程图。

一种用于FPGA的可配置存储器设计

设计了一种用于FPGA中的同步、双端口、容量为4kbit、可配置的存储器模块(Block RAM,BRAM)。BRAM以阵列形式内嵌在FPGA内部,是FPGA的主要模块之一。该BRAM可实现1、2、4、8、16bit 5种不同的数据位宽,且具有数据初始化及回读验证的功能。本文分别对BRAM的逻辑层、配置层、布线层进行了描述,重点介绍了逻辑层中时序控制电路和配置层中配置电路的结构和实现方法。基于0.18μm 5层金属SOI CMOS工艺完成BRAM设计实现,并对BRAM进行了仿真,功能仿真结果符合时序控制电路和配置电路的预期设计目标,性能仿真表明其工作频率可达200 MHz。