电听性脑干诱发电位值在聋幼儿人工耳蜗植入中的应用

目的 用电听性脑干诱发电位 (EABR)技术判断聋幼儿人工耳蜗植入后的效果及采用EABR数据调试言语处理器的敏感性和优越性。方法 2例聋幼儿 ,1例 2周岁 ,另 1例 3周半 ,均被植入法国DIGISONIC人工耳蜗 ,术中采用MXMDigistim电刺激器刺激 ,刺激电极为 15、13、10、7和 4 ,由法国专用PC机记录到电听性脑干诱发电位波形图。结果 从术中EABR波形图可很清楚分辨出Ⅲ和Ⅴ波 ,术后测得行为听阈值和术中预测的效果基本相一致。 2岁小患儿各电极的EABR阈值分别是 15 μs× 6 0 μV、2 0 μs× 6 0 μV、2 5 μs× 6 0 μV、30 μs× 6 0 μV和 30 μs× 6 0 μV。 3岁半患儿各电极的EABR阈值为 15 μs× 5 0 μV、2 0 μs× 5 0 μV、2 5 μs× 5 0 μV、2 0 μs× 5 0 μV和 2 0 μs× 5 0 μV。言语处理器振幅阈值(μV)应设置在小于 15～ 2 0 μV的电听性脑干诱发电位刺激振幅阈值。时间阈值设置 ,在电极 15阈值的设置与电诱发刺激时间阈值 (pulsewidths)一致 ,每降低一个电极号码 ,增加阈值 2～ 3dB ,而设置舒适阈与阈值相差 3～ 5dB。结论术中电听性脑干诱发电位应用不但可以预示人工耳蜗植入后的效果 。