Au/(Si/SiO_2)/p-Si结构中电流输运机制的研究

用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析。结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。