SGT-MOSFET电场解析模型的建立

屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT-MOSFET)在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET(VUMOSFET)不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模,研究了不同结构的耐压原理以及结构参数与电场强度分布的相关性;建立了与器件各个结构参数相关的电场解析模型,为器件结构设计提供了理论依据;并引入雪崩载流子对小电流下的电场解析模型进行了修正,使得解析结果和仿真结果吻合较好;通过修正后的电场解析模型提取了最优电场下的场氧厚度,使得相应产品的静、动态特性得到明显改善,从而极大地提升了器件的性能.