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SGT-MOSFET电场解析模型的建立
1
作者
苏乐
王彩琳
+2 位作者
杨武华
梁晓刚
张超
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第14期287-295,共9页
屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT-MOSFET)在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET(VUMOSFET)不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模...
屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT-MOSFET)在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET(VUMOSFET)不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模,研究了不同结构的耐压原理以及结构参数与电场强度分布的相关性;建立了与器件各个结构参数相关的电场解析模型,为器件结构设计提供了理论依据;并引入雪崩载流子对小电流下的电场解析模型进行了修正,使得解析结果和仿真结果吻合较好;通过修正后的电场解析模型提取了最优电场下的场氧厚度,使得相应产品的静、动态特性得到明显改善,从而极大地提升了器件的性能.
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关键词
SGT-MOSFET
电场解析模型
雪崩载流子
场氧厚度
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职称材料
题名
SGT-MOSFET电场解析模型的建立
1
作者
苏乐
王彩琳
杨武华
梁晓刚
张超
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第14期287-295,共9页
基金
陕西省“两链融合”重点研发项目(批准号:2021LLRH-02)
陕西省教育厅科研计划项目(批准号:22JK0484)
陕西省科学技术厅自然科学基础研究计划(批准号:2023-JC-QN-0764)资助的课题。
文摘
屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT-MOSFET)在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET(VUMOSFET)不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模,研究了不同结构的耐压原理以及结构参数与电场强度分布的相关性;建立了与器件各个结构参数相关的电场解析模型,为器件结构设计提供了理论依据;并引入雪崩载流子对小电流下的电场解析模型进行了修正,使得解析结果和仿真结果吻合较好;通过修正后的电场解析模型提取了最优电场下的场氧厚度,使得相应产品的静、动态特性得到明显改善,从而极大地提升了器件的性能.
关键词
SGT-MOSFET
电场解析模型
雪崩载流子
场氧厚度
Keywords
SGT-MOSFET
electric field analytical model
avalanche carrier
field oxygen thickness
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SGT-MOSFET电场解析模型的建立
苏乐
王彩琳
杨武华
梁晓刚
张超
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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