基于隧道结磁阻传感器的电调磁性测试方法

对于薄膜的电场调控磁性测试方法存在仪器设备昂贵,响应速度慢等问题。针对以上问题,提出一种基于隧道结磁阻传感器的电调磁性测试方法。为验证该方法的可行性,分别利用超导量子干涉仪和该测试方法对铁镓硼磁性薄膜样品进行电调磁性测试,结果表明:两种测试方法的结果相同,样品的电调磁行为均为蝶形且电场拐点均为+2,+4,-2,-4 kV/cm。此外,用该方法还可以用于研究不同偏置磁场和电场下的薄膜的磁电耦合特性,而被应用于磁传感器和微波器件等的研发中。所提测试方法具有操作简单、响应速度快、成本低等优点,可大大简化电场调控磁性的测试过程。

电场调控Au/Ti/Y_2CeFe_5O_(12)结构的磁光克尔效应与电阻

在室温下实现了全固态Au/Ti/Y_2CeFe_5O_(12)多层结构的电阻和磁光克尔效应的电场调控。在635nm波长处,1.5V的操作电压使饱和磁光克尔旋转角的变化幅度达58.1μrad,对应的能耗为0.66nJ/μm2,响应时间为300s,且该调控具有可逆性与非易失性。以Au/Y_2CeFe_5O_(12)作为对照,揭示了Ti层对该调控的关键影响。通过表征多层结构的电阻在电场作用下的变化,证实了氧离子迁移的发生。氧离子迁移是电场调控磁光效应的机制,该原型器件为发展电场可调的磁光器件提供了一种新途径。

多铁异质结构中逆磁电耦合效应的研究进展

电场调控磁性能够有效降低功耗,在未来低功耗多功能器件等方面具有巨大的潜在应用前景.铁磁/铁电多铁异质结构是实现电场调控磁性的有效途径,其中室温、磁电耦合效应大的应变媒介磁电耦合是最为活跃的研究领域之一.本文简要介绍在以Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.7)Ti_(0.3)O_3为铁电材料的多铁异质结构中通过应变媒介磁电耦合效应对磁性、磁化翻转及磁性隧道结调控的研究进展.首先讨论了多铁异质结构中电场对磁性的调控;之后介绍了电场调控磁化翻转的研究进展及理论上实现的途径;然后简述了电场对磁性隧道结调控的相关结果;最后在此基础上,对多铁异质结构中电场调控磁性及磁性器件进行了总结和展望.