矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能

研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质 .采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能 .以GaAs晶体为例进行了数值计算 ,结果表明

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法,研究氮化物抛物量子阱(GaN/Al0.3Ga0.7N)材料中的电子-声子相互作用,给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系.在数值计算中考虑了氮化物(纤维锌矿)GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性.结果表明,基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小,阱宽较小时,减小的速度比较快,阱宽较大时,减小的速度比较慢,最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值.在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大,阱宽较大(L=27 nm)时约33 meV,这一值比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中的相应值(约3 meV)大的多,并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献.

柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能

采用变分法,研究了柱形量子线中在考虑电子与LO声子相互作用的情况下,极化子在基态时系统的能量以及电子 LO声子之间的相互作用能。数值计算结果表明:随着柱形量子线截面半径的减小,基态能量和电子 LO声子相互作用能的绝对值都增大。

电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响(英文)

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大于40nm时,峰会逐渐消失.

对称量子阱中电子─界面声子相互作用对极化子性质的影响

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。

电子-声子相互作用对金属介观环中持续电流的影响

在连续模型中研究了电子－声子相互作用对一维金属介观环中由磁通Φ诱发的持续电流的贡献．持续电流随磁通Φ的变化具有周期性．周期为磁通量子Φ０＝ｈ／ｅ．研究表明，电子－声子相互作用不仅降低系统能量而且对持续电流有抑制作用．持续电流与系统中的电子数（Ｎ）有明显的依赖关系．当（Ｎ）增加到足够大时，持续电流趋于零．

电子-声子相互作用非对称双势垒共振隧穿的影响(英文)

理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流 .对Alx Ga1-x As/Ga As/Aly Ga1-y As结构作了数值计算 ,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认 .对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰 ,且接近阱内 LO声子的能量 .发现界面光学 ( IO)声子辅助隧穿是主要的 .

电子-声子相互作用对非对称Morse势阱中光整流效应的影响(英文)

从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后,获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%～30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果,有必要考虑电子-声子相互作用的影响。

HgS/CdS量子线中电子与声子的相互作用(英文)

在有限深势阱模型下,求出了考虑到电子-声子相互作用情况下量子线电子基态能、概率分布和禁带宽度,以HgS/CdS量子线为例,研究了电子-声子相互作用对它们的影响.结果表明:电子-声子相互作用会降低电子基态能,在对基态能的影响中以电子与界面光学支声子相互作用的影响最大,而与界面声学支声子相互作用影响最小;电子-声子相互作用的影响和电子由势阱透入有限高势垒的概率以及禁带宽度均随量子导线半径R的减小而增大;电子-声子相互作用不改变禁带宽度随R的变化趋势,仅使其数值减小.

非晶态电子声子及相互作用

利用非晶态物质的实验数据,通过理论分析,对非晶态电子模型和声子谱进行了分析和研究,得出了非晶态近自由电子模型与自由电子模型有比较高的近似程度,在处理非晶态金属及合金等材料时可以采用自由电子模型;而非晶态声子在低能态密度增加,声子谱低频端软化;由于动量不守恒,电子声子在更大相空间内相互作用,从而导致了2αF(ω)低频端的上升。

纤锌矿InxGa1-xN／GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿。结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同。

电子-声子的非线性相互作用哈密顿量

本文用固体量子场论方法,推导出计及非线性相互作用的电子-声子相互作用系统的哈密顿量的普遍表达式,并给出三种类型极化子哈密顿量的具体表达式.结果表明:纵声子和横声子均对非线性效应有影响.

电子-声子相互作用对抛物量子线中三次谐波产生的影响

理论上计算了电子－声子相互作用对抛物量子线中三次谐波产生的影响机制，用量子力学中的密度矩阵算符理论推导了该系统中三次谐波产生的解析表达式。

砷化物三元混晶中电子-声子相互作用的维度和体积效应

通过导出描述三维、二维和一维混晶中电子-声子相互作用的哈密顿量,讨论了砷化物三元混晶中原胞体积效应与电子-声子耦合强度和原胞体积失配率的关系。结果表明:电子-声子耦合越强,原胞失配率越大,体积效应越明显;只有原胞体积失配率较小和电子-声子的耦合强度较弱时,体积效应的影响是可以略去的;由于维度受限增强了电子-声子相互作用强度,二维光学极化子效应的非线性变化比三维的更明显;而一维光学极化子效应的非线性变化比三维和二维情形要弱。

ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与

介质覆盖的极性膜内电子-光学声子相互作用

本文对半无限媒质覆盖的极性晶体中晶格振动的光学极化模进行严格的理论分析,发现除通常的体横光学模、纵光学模以外,还存在四支类表面光学本征模。进一步导出了膜内屯子与光学声子相互作用的哈密顿量,重点讨论了电子与表面光学声子相互作用的性质。

电子──声子相互作用对AndersonS－d混合模型的影响

本文主要讨论了ＥＰＩ对Ａｎｄｅｒｓｏｎｓ－ｄ混合模型诸方面的影响。

三角形截面GaN纳米线中的Frohlich电子-声子相互作用哈密顿

基于介电连续模型,推导和分析了具有等边三角形截面的纤锌矿GaN纳米线结构中的极化光学声子模。研究发现该纳米线结构中存在的精确受限(EC)声子模频率为GaN材料自由z-方向上的纵光学声子特征频率ωz,L,由于受限情况不同,这明显不同于GaN-基量子阱中的情况。进而采用非分离变量法,求解了该纳米线结构中EC声子模静电势的Laplace方程,得到了EC声子模的精确解析的声子态,并导出了系统中的极化本征矢量及其正交关系,自由声子场及相应的Frohlich电子-声子相互作用哈密顿。最后以GaN为例开展了数值计算,绘制了电子-声子耦合函数空间分析情况,对电子-声子耦合函数的对称性、耦合强度等性质进行了讨论,并获得了有意义的结果。

多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文)

采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明。

电子-声子相互作用对压电表面态的影响

采用LLP中间耦合方法,研究了电子-声子相互作用对压电表面的影响.结果表明,当电子接近晶体表面处时,表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大,尤其是电子-压电声子耦合较强的化合物,压电声子对电子在表面的束缚比光学声子的束缚强很多.因此,研究压电材料的电子表面态时,应主要考虑压电声学声子.