世界电子元件技术水平

片式化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一，全球各个国家和地区均已大力发展片式元件，无论是日、美和西欧，还是亚太地区，包括印度等发展中国家和地区。目前，各类电子元件，包括无源元件、机电元件、音响元件和复合元件，均已有相应的片式化产品，如电阻器、电容器、电位器、电感器、连接器、继电器、开关、蜂鸣器、扬声器、滤波器、振荡器、延迟线、变压器、传感器等。

从专利技术角度分析废旧电路板脱焊技术发展

废旧电路板上IC芯片、电阻、电容等电子元器件因含有金银等高价值的贵金属以及有毒有害物质,其重复利用或再生利用更是成为业界关注和研究的焦点。而电子元器件与线路板的解锡脱离成为电路板资源化的关键,目前面临的最重要问题是如何经济环保地把电路板上的电子元器件脱离。本文主要以世界专利文摘库(SIPOABS、VEN)以及中国专利文摘数据库(CNABS)中的检索结果作为分析样本,从专利文献的视角对废旧电路板脱焊技术的发展进行了全面的统计分析,总结废旧电路板脱焊技术相关的国内和国外专利的申请趋势、主要申请人分布以及主要申请人的专利战略布局,并进一步分析了单独脱焊技术、同步脱焊技术这两个重要技术分支的发展趋势。

电子设计课外教学创新与实践

课外创新实践活动是培养大学生创新精神和工程实践能力的重要途径,既能弥补课内理论教学学时压缩、学科实践形式单一等缺点,又能夯实学生理论基础,让学生接触工程实际,提高动手能力。文章以课外创新实践课程“电子元件实用技术”为例,围绕创新实践教学,对优化教学模式和内容、课程实验、课程考核等方面进行探索。

氧化膜形貌对铝电解电容器寿命的影响

对三种高压阳极化成铝箔进行了SEM的形貌和EDS组分分析,用三种铝箔分别制成400 V,6 800 霧电容器并进行了耐久性试验对比,对电容器性能和阳极化成铝箔氧化膜形貌之间的关系进行了探讨。结果表明:隧道腐蚀铝箔的氧化膜残存的杂质离子多,容易击穿;氧化膜表面过多的羟基对电容器的漏电流影响很大。

基于开路电压预测的SOC估算方法

为了得到电池的荷电状态(SOC),提高其测算精度,更广泛适用于电动汽车能量管理系统,通过对锂电池进行恒流充、放电实验方法得到SOC和锂电池开路电压的曲线关系,然后将放电后的电池充分静置得到电压自恢复曲线的分析,再结合锂电池等效电路模型,应用Matlab拟合出锂电池开路电压曲线,从而推导出开路电压的计算公式,完成开路电压的预测。最后将实验结果与理论分析进行了对比,进一步验证了理论和仿真建模的正确性。这种方法克服了开路电压法测量时间长的缺点,能够准确地计算SOC,对电池管理系统有重要意义。

BaTiO_3基PTC瓷粉的制备现状与发展趋势

介绍了颗粒表面改性法,柠檬酸盐溶液–液相包裹法和高分子网络凝胶–液相包裹法等采用表面改性技术的PTC瓷粉制备方法。重点介绍BaTiO3基PTC瓷粉非均匀形核表面包覆制备的原理、特点、研究现状和应用前景。认为BaTiO3基PTC瓷粉的制备,有向液相表面包覆发展的趋势,非均匀形核表面包覆,是一种较具潜力的高性能PTC瓷粉制备方法。

极板截面椭圆化对圆柱形电容器耐压能力的影响

极板截面椭圆化对圆柱形电容器耐压能力的影响的研究,可利用复坐标系上的儒可夫斯基变换,分析椭圆柱形电容器内的电场分布,并在其场强分布矢量式的基础上,给出了圆柱形电容器极板椭圆化前后其耐压能力改变量的计算公式,结合MATLAB数据处理软件的数值计算功能进行数值模拟,得到圆柱形电容器的耐压能力随极板截面椭圆焦距增大而降低的结论,并给出理论数据用以指导对椭圆化程度的控制,供电容器生产工艺中使用和参考。

多芯线束压接拓扑与性能的分形几何关系

为建立微小型多芯线束压力连接器的芯线拓扑分布与其连接性能间的连接可靠性评价,以一种广泛使用的微型多芯线束连接器为研究对象,通过大量实验发现,多芯线束压接变形后的拓扑轮廓具有典型的分形特征；芯线变形截面的分形维数是其压接性能的一种度量,随着芯数的增加,芯线内部各素线的分布趋于稳定,线束的拓扑分布对其压接性能的影响逐渐减弱；即多芯线束压力连接后芯线的拓扑分布与其连接性能存在分形几何关系。此种分形几何关系的建立对基于实验和接触有限元解析结果的多芯线束压力连接器的性能评价具有较强的工程参考价值。

TCF792单、三相通用数字相位控制触发电路

TCF792是单、三相通用数字相位控制触发电路。它采用单相同步信号输入,数字分频移相120°,以适应三相触发电路。触发角2—178°,可选择矩形波或调制波输出。脉冲宽度采用电压控制,无需移相电容。在电路功能上全面兼容TC787,TC788,TC790A,TC790B,TCA785,KJ004,KJ041,KJ04等几乎所有种类的单、三相移相触发电路且价格低廉。该芯片移相角可选择传统的锯齿型线性输出或余弦函数输出两种方式。当采用余弦函数输出时,它的整流输出电压与控制电压成线形关系。该芯片可用于可控硅、双向可控硅和晶体管类控制电路。它可用于交直流转换Q电路、交流控制和三相电流控制器。它具有价廉、易用、性能优良、无需调试的优点。