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基因芯片中的微电子刻蚀技术 被引量:2
1
作者 余志文 于军 +1 位作者 徐静平 周文利 《微电子技术》 2000年第6期37-40,共4页
基因芯片是运用微电子加工技术以及基因分子的自组装技术在微小芯片上组装成千上万个不同的 DNA微阵列,实现以基因为主的生命信息的大规模检测。本文利用氧化、光刻、蒸发、溅射等一系列集成电路刻蚀技术,研究了适于电化学检测的... 基因芯片是运用微电子加工技术以及基因分子的自组装技术在微小芯片上组装成千上万个不同的 DNA微阵列,实现以基因为主的生命信息的大规模检测。本文利用氧化、光刻、蒸发、溅射等一系列集成电路刻蚀技术,研究了适于电化学检测的基因芯片微阵列的制备,并提出了这种芯片中微流路的制备工艺方案。 展开更多
关键词 基因芯片 微阵列 电子刻蚀 光刻 集成电路
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电子束刻蚀数字像元全息图 被引量:3
2
作者 王天及 李耀棠 +3 位作者 杨世宁 张世超 范少武 温焕荣 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期34-35,57,共3页
作者在研制激光数字点阵全息图的基础上,尝试使用电子束刻蚀系统制作数字像元全息图以期用于防伪和保密模压全息图的制作。并对电子束刻蚀系统制作数字像元全息图的优缺点加以讨论。
关键词 电子刻蚀 数字像元编码 全息图 激光技术
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电子束刻蚀法制作微米/亚微米云纹光栅技术 被引量:3
3
作者 谢惠民 戴福隆 +1 位作者 岸本哲 张维 《光学技术》 CAS CSCD 2000年第6期526-528,共3页
本文应用电子束刻蚀技术并结合真空镀膜技术提出了制作电子束云纹光栅的新方法。首次提出三镀层制作双频电子束云纹光栅的新工艺。所制得的光栅可在两频率下应用电子束云纹法测量物体的变形。同一般光栅相比 ,这种双频光栅变形量程范围... 本文应用电子束刻蚀技术并结合真空镀膜技术提出了制作电子束云纹光栅的新方法。首次提出三镀层制作双频电子束云纹光栅的新工艺。所制得的光栅可在两频率下应用电子束云纹法测量物体的变形。同一般光栅相比 ,这种双频光栅变形量程范围更大。在本研究中 ,运用电子束刻蚀法并结合真空镀膜技术制作出 0 .1μm间距 ( 10 0 0 0线 /mm光栅 )的电子束云纹光栅。应用所制作的 10 μm/1μm双频光栅与相对应的电子束参考栅干涉 ,分别得到对应的电子束云纹场。文中对制栅工艺及方法进行了详细的讨论。 展开更多
关键词 电子刻蚀 变形测量 电子束云纹光栅
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电子束刻蚀中邻近效应的修正
4
作者 肖沛 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 CAS 2013年第6期957-960,共4页
以拓展的三高斯邻近效应函数为基础,利用空间图形密度方法对电子刻蚀中的邻近效应进行修正,并对该方法的原理及实现步骤进行了较为详细的介绍.通过和传统的邻近函数为基础得到的修正结果相比,经过拓展后的邻近函数有着更好的修正效果.
关键词 邻近效应 邻近函数 电子刻蚀 高斯函数
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福建物构所基于电子束刻蚀实现中空核壳结构稀土上转换纳米晶的原位构筑
5
《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期284-285,共2页
在国家自然科学基金杰出青年科学基金、科技部973计划、中科院战略性先导科技专项和创新国际团队等项目支持下,福建物构所中科院功能纳米结构设计与组装重点实验室陈学元研究小组和王元生研究小组合作,徐金博士等通过电子束辐照核壳结... 在国家自然科学基金杰出青年科学基金、科技部973计划、中科院战略性先导科技专项和创新国际团队等项目支持下,福建物构所中科院功能纳米结构设计与组装重点实验室陈学元研究小组和王元生研究小组合作,徐金博士等通过电子束辐照核壳结构稀土上转换纳米晶(NaLuF4:Gd/Yb/Er@NaLuF4:Nd/Yb@NaLuF4)发现同质包覆核壳结构纳米晶其内核与壳层界面处依然存在大量晶体缺陷,并且该界面缺陷浓度甚至高于内核中体相缺陷的浓度。 展开更多
关键词 核壳结构 纳米晶 上转换 电子刻蚀 稀土 福建 杰出青年科学基金 国家自然科学基金
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运用精确电压衬度像技术实现精确定位的原位电子束纳米刻蚀:制造具有悬挂纳米线结构的纳米器件
6
作者 周维列 LIM Jin-Hee WILEY John B 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期213-218,共6页
本文演示了运用精确电压衬度像技术实现原位电子束纳米刻蚀技术的精确定位,并运用该技术制作成具有悬挂结构的纳米开关。通过运用精确电压衬度像定位技术,能够很好地控制偏转电极的定位,误差可减少到大约10nm。通过该技术,不用通过任何... 本文演示了运用精确电压衬度像技术实现原位电子束纳米刻蚀技术的精确定位,并运用该技术制作成具有悬挂结构的纳米开关。通过运用精确电压衬度像定位技术,能够很好地控制偏转电极的定位,误差可减少到大约10nm。通过该技术,不用通过任何刻蚀过程只运用一次电子束纳米刻蚀,便可实现将分散的纳米线夹在两个电阻层中间形成悬挂结构。在原位电子束刻蚀的整个过程中,无需移动样品台从而消除了样品台的移动误差。因此,整个过程中不需要高精确的激光台和定位标记,从而简化了传统的电子束纳米刻蚀工艺。通过该方法制作的纳米开关随着施加电压的改变很好地实现了闭合和断开的状态。这种简化的过程提供了一种简单、低成本、快速的通过改装过的场发射扫描电子显微镜(FESEM)来制作纳米线悬挂结构的方法,并可运用该技术进一步制造多层结构和特殊的纳米器件。 展开更多
关键词 原位电子束纳米刻蚀 扫描电子显微镜 纳米器件 纳米线
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八氟环戊烯的合成与应用研究进展
7
作者 程浩 于万金 +3 位作者 吴江平 林胜达 郭天佐 刘武灿 《浙江化工》 CAS 2024年第1期1-8,共8页
八氟环戊烯是一种不饱和全氟烯烃,消耗臭氧潜能值(ODP)为0,全球增温潜能值(GWP_(100))为78.1,大气寿命为1.1年。作为一种新型的全氟化学品,主要用于半导体的刻蚀气与清洗剂,同时也被视为制备有机光致变色材料的关键含氟砌块。八氟环戊... 八氟环戊烯是一种不饱和全氟烯烃,消耗臭氧潜能值(ODP)为0,全球增温潜能值(GWP_(100))为78.1,大气寿命为1.1年。作为一种新型的全氟化学品,主要用于半导体的刻蚀气与清洗剂,同时也被视为制备有机光致变色材料的关键含氟砌块。八氟环戊烯由于其优异的环境性能和工作性能,在集成电路等领域受到越来越多的关注,因此具有巨大的潜在市场需求和良好的发展前景。本文介绍八氟环戊烯的合成研究进展,并阐述了其在电子气领域的应用研究情况,以期为八氟环戊烯的未来研究提供参考。 展开更多
关键词 八氟环戊烯 全氟烯烃 电子刻蚀 清洗剂
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电子束和X射线双曝光制作大高宽比高分辨率的X射线波带片 被引量:1
8
作者 康士秀 《光学技术》 CAS CSCD 2000年第6期524-528,共5页
介绍了利用电子束和 X射线束双曝光技术制作大高宽比高分辨率的 X射线聚焦或色散元件的新方法 (波长范围为 1~ 5 nm )。所制做的厚度为 10μm的 Au波带片具有 30个波带 ,最外环的宽度为 0 .5μm。实验表明 :对 8ke V的X射线来说 ,波带... 介绍了利用电子束和 X射线束双曝光技术制作大高宽比高分辨率的 X射线聚焦或色散元件的新方法 (波长范围为 1~ 5 nm )。所制做的厚度为 10μm的 Au波带片具有 30个波带 ,最外环的宽度为 0 .5μm。实验表明 :对 8ke V的X射线来说 ,波带片的衬度大于 10 ,分辨率为 0 .5 5μm,焦距为 2 1.3cm。 展开更多
关键词 波带片 电子刻蚀 X射线光刻 色散 聚焦
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电子束直写技术制作GHz频带声表面波器件 被引量:1
9
作者 杨忠山 范子坤 +1 位作者 田丰 韩立 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第6期606-609,共4页
电子束具有刻写微细图形尺寸的能力,容易实现亚微米宽格栅的声表面波器件制造,因此可达到器件的高频化和在设计上更具灵活性。该文介绍了器件图形的数据处理策略,基片的制备和工艺过程。描述了在电子束曝光过程中采取的一些独特方法,生... 电子束具有刻写微细图形尺寸的能力,容易实现亚微米宽格栅的声表面波器件制造,因此可达到器件的高频化和在设计上更具灵活性。该文介绍了器件图形的数据处理策略,基片的制备和工艺过程。描述了在电子束曝光过程中采取的一些独特方法,生产了性能良好的吉赫兹频带滤波器、谐振器和延迟线等声表面波器件。 展开更多
关键词 半导体工艺 声表波器件 电子刻蚀技术
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电子束在胶层及衬底中散射轨迹的MonteCarlo模拟并从背散射系数看LB抗蚀层优越性
10
作者 鲁武 顾宁 +1 位作者 陆祖宏 韦钰 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第1期29-34,共6页
用MonteCarlo方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况,提出了一个高能电子在多层介质间散射的“折射”模型,模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Langmuir-Blodgett(LB)技术和... 用MonteCarlo方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况,提出了一个高能电子在多层介质间散射的“折射”模型,模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Langmuir-Blodgett(LB)技术和旋涂法制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)抗蚀层及衬底中电子的散射轨迹,并计算了背散射系数。结果证明:在相同的电子束能下,电子在LB抗蚀层中存在较小的背散射系数,并且采用较低或较高的能量曝光,均可达到减小背散射的目的。 展开更多
关键词 散射 微加工 电子刻蚀 胶层 LB抗蚀层
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聚甲基丙烯酸甲酯LB膜用作高分辨率电子束抗蚀层的研究
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作者 鲁武 顾宁 +2 位作者 韦钰 沈浩瀛 张岚 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第6期651-654,共4页
应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的... 应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。 展开更多
关键词 LB膜 电子刻蚀 抗蚀剂 PMMA 电子器件
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下一代刻蚀用的抗蚀剂材料
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作者 高晓萍 《光机电信息》 1995年第5期27-29,共3页
现在刻蚀主要利用g线(436nm)和i线(365nm)来光刻。为了适应未来微细化的要求,正在研究超分辨刻蚀、短波长曝光的深紫外刻蚀以及电子束刻蚀(见图1)。本文就刻蚀所需要的抗蚀剂,特别是化学放大抗蚀剂的最新动向和今后的课题作以叙述。
关键词 刻蚀 抗蚀剂材料 光刻 微细化 电子刻蚀 深紫外刻蚀
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八氟-2-丁烯的合成与应用研究进展
13
作者 于万金 曾群 +4 位作者 程浩 吴江平 郑瑞朋 刘武灿 宣军 《浙江化工》 CAS 2022年第11期1-8,共8页
八氟-2-丁烯(octafluoro-2-butene)是一种不饱和全氟烯烃,消耗臭氧潜能值(ODP)为0,全球增温潜能值(GWP)为1.97。由于具有良好的环境性能和优异的工作性能,其在灭火、制冷、发泡、绝缘介质和集成电路等领域越来越受到人们的关注和重视,... 八氟-2-丁烯(octafluoro-2-butene)是一种不饱和全氟烯烃,消耗臭氧潜能值(ODP)为0,全球增温潜能值(GWP)为1.97。由于具有良好的环境性能和优异的工作性能,其在灭火、制冷、发泡、绝缘介质和集成电路等领域越来越受到人们的关注和重视,因此具有较大潜在市场需求和良好的发展前景。本文介绍了八氟-2-丁烯的合成研究进展,并较为详细地阐述了其在制冷、发泡、集成电路等领域的应用研究情况。 展开更多
关键词 八氟-2-丁烯 电子刻蚀 绝缘气 灭火剂 制冷剂
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光纤型毛细管电泳芯片检测系统的研制
14
作者 苏波 崔大付 刘长春 《化学传感器》 CAS 2005年第2期31-32,共2页
1992年,Manz[1]等人提出了微全分析系统(μ-TAS)的概念,并采用微电子刻蚀技术制成了微芯片,使整个分析系统进一步小型化,并且分离速度可以达到秒级甚至毫秒级.目前,大部分芯片已实现了小型化,但相应的检测系统与芯片体积相比差别还比较... 1992年,Manz[1]等人提出了微全分析系统(μ-TAS)的概念,并采用微电子刻蚀技术制成了微芯片,使整个分析系统进一步小型化,并且分离速度可以达到秒级甚至毫秒级.目前,大部分芯片已实现了小型化,但相应的检测系统与芯片体积相比差别还比较大.已被广泛采用的激光诱导荧光检测方法就存在芯片与检测系统体积不匹配的问题. 展开更多
关键词 光纤型毛细管电泳芯片检测系统 电子刻蚀技术 激光诱导荧光检测方法 光纤集成 信号处理
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基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量 被引量:2
15
作者 张超 方粮 +2 位作者 隋兵才 徐强 王慧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期369-375,共7页
利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的... 利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失. 展开更多
关键词 低温电子刻蚀 原位透射电子显微镜电学测量 InAs纳米线 库仑阻塞效应
原文传递
纳米间隙电极的加工研究进展 被引量:1
16
作者 顾宁 黄岚 +2 位作者 徐丽娜 王孟 廖建辉 《微细加工技术》 2003年第4期1-8,26,共9页
分类介绍了国内外加工纳米间隙电极的主要研究进展,并特别介绍了近期发展起来的一般光刻技术结合选择性化学沉积方法制备纳米间隙电极的研究结果,对今后的相关研究问题进行了讨论。采用选择性化学沉积技术制备镍双电极的间隙已可小于10... 分类介绍了国内外加工纳米间隙电极的主要研究进展,并特别介绍了近期发展起来的一般光刻技术结合选择性化学沉积方法制备纳米间隙电极的研究结果,对今后的相关研究问题进行了讨论。采用选择性化学沉积技术制备镍双电极的间隙已可小于100nm。该技术对于制备纳米间隙电极具有一定的优势。 展开更多
关键词 纳米间隙电极 光刻 选择性化学沉积 镍双电极 电子刻蚀
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五元环氟化物的合成及应用 被引量:3
17
作者 张呈平 庆飞要 +1 位作者 贾晓卿 权恒道 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期3963-3978,共16页
综述了以双环戊二烯(DCPD)、六氯环戊二烯(HCCPD)或八氯环戊烯(OCP)为起始原料合成1,2-二氯六氟环戊烯(F6-12)、1,3-二氯六氟环戊烯(F6-13)、1-氯七氟环戊烯(F7-1)、1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(F7A)、1,1,2,2,3,3-六氟环戊烷(F6A)、顺式-... 综述了以双环戊二烯(DCPD)、六氯环戊二烯(HCCPD)或八氯环戊烯(OCP)为起始原料合成1,2-二氯六氟环戊烯(F6-12)、1,3-二氯六氟环戊烯(F6-13)、1-氯七氟环戊烯(F7-1)、1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(F7A)、1,1,2,2,3,3-六氟环戊烷(F6A)、顺式-1,1,2,2,3,3,4,5-八氟环戊烷(cis-F8A)、八氟环戊烯(F8E)、3,3,4,4,5,5-六氟环戊烯(F6E)、1,3,3,4,4,5,5-七氟环戊烯(F7E)等系列五元环氟化物的合成路线,以及五元环氟化物在电子清洗、电子刻蚀、合成电子氟化液的应用。提出了五元环氟化物的合成研究重点是新型合成路线的开发、高催化活性且对人体健康无害的过程催化剂的开发,以及无污染化工艺过程的开发,而应用研究重点是开发五元环氟化物的电子级产品以及开发五元环氟化物的下游产品。 展开更多
关键词 五元环氟化物 1 1 2 2 3 3 4-七氟环戊烷 电子清洗 电子刻蚀 电子氟化液 催化 催化剂 催化剂活化
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微机械(MEMS)与微细加工技术 被引量:7
18
作者 段润保 赵砚江 毛言理 《河北理工学院学报》 2004年第2期34-40,共7页
首先对微机械(MEMS)的分类及其特点作了简明的阐述,在此基础上,着重评介了近年来该领域各种微细加工方法及其能够达到的加工尺度与水平。指出当前微细加工技术仍然在以使用物理和化学能量的特种加工为主,并呈现加工材料扩大化、产品机... 首先对微机械(MEMS)的分类及其特点作了简明的阐述,在此基础上,着重评介了近年来该领域各种微细加工方法及其能够达到的加工尺度与水平。指出当前微细加工技术仍然在以使用物理和化学能量的特种加工为主,并呈现加工材料扩大化、产品机构复杂和加工手段复合化的发展态势。 展开更多
关键词 微机械 微细加工 MEMS 超精密机械加工 电子刻蚀 微细电火花加工 微细超声加工
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一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法
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作者 朱念麟 张晋 +5 位作者 陈尔纲 柏晗 张茜 王光灿 郭俊梅 窦菊英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期186-188,共3页
提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大,加到电... 提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大,加到电子枪栅极上控制电子束的通断,使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描,不需用模板即可以"直写"方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列. 展开更多
关键词 数字式扫描电镜 负电压发生器 表面纳米阵列 电子刻蚀
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Fabrication of Ultra Deep Electrical Isolation Trenches with High Aspect Ratio Using DRIE and Dielectric Refill
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作者 朱泳 闫桂珍 +4 位作者 王成伟 杨振川 范杰 周健 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期16-21,共6页
A novel technique to fabricate ultra deep high aspect ratio electrical isolation trenches with DRIE and dielectric refill is presented.The relationship between trench profile and DRIE parameters is discussed.By optimi... A novel technique to fabricate ultra deep high aspect ratio electrical isolation trenches with DRIE and dielectric refill is presented.The relationship between trench profile and DRIE parameters is discussed.By optimizing DRIE parameters and RIE etching the trenches’ opening,the ideal trench profile is obtained to ensure that the trenches are fully refilled without voids.The electrical isolation trenches are 5μm wide and 92μm deep with 0.5μm thick oxide layers on the sidewall as isolation material.The measured I-V result shows that the trench structure has good electrical isolation performance:the average resistance in the range of 0~100V is more than 10 11Ω and no breakdown appears under 100V.This isolation trench structure has been used in fabrication of the bulk integrated micromachined gyroscope,which shows high performance. 展开更多
关键词 deep reactive ion etching electrical isolation trenches bulk microstructures monolithic integration
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