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强流铁电阴极二极管电子发射过程研究 被引量:1
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作者 向飞 常安碧 张永辉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期40-41,共2页
讨论了铁电阴极二极管的发射过程 ,指出在铁电阴极的发射过程中 ,极化反转发射、场致发射、等离子体爆炸发射都可能存在 ,这取决于触发脉冲的极性与大小。不管属于那一种发射方式 。
关键词 强流铁电阴极二极管 电子发射过程 场致发射 触发脉冲 电子
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扫描电子显微学中二次电子发射过程的蒙特卡洛模拟(英文) 被引量:8
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作者 丁泽军 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期317-325,共9页
利用蒙特卡洛模拟固体中电子散射轨迹的计算方法 ,系统地研究了扫描电镜中二次电子信号的发射过程。该模拟电子与固体相互作用的蒙特卡洛模型包含了级联二次电子产生的过程 ,并且采用光学介电函数方法描述电子的能量损失和相伴随的二次... 利用蒙特卡洛模拟固体中电子散射轨迹的计算方法 ,系统地研究了扫描电镜中二次电子信号的发射过程。该模拟电子与固体相互作用的蒙特卡洛模型包含了级联二次电子产生的过程 ,并且采用光学介电函数方法描述电子的能量损失和相伴随的二次电子激发。由于模拟计算可以给出背散射电子和二次电子的绝对产额 ,以及它们随加速电压和样品的原子序数的变化关系 ,因此可以用于模拟元素衬度和形貌衬度像。还计算得到了关于二次电子产生和发射的其它分布 。 展开更多
关键词 扫描电子显微学 电子发射过程 二次电子 蒙特卡洛模拟 产额 电子散射
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新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究 被引量:2
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作者 王琦龙 雷威 +3 位作者 张晓兵 狄云松 周雪东 刘敏 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期265-268,共4页
提出了一种简单可行的CNT FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始... 提出了一种简单可行的CNT FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验. 展开更多
关键词 二次电子发射 栅极 结构表面 MgF2薄膜 数值模拟计算 电子发射过程 发射电流密度 背散射电子 制备方法 电场作用 验证实验 发光亮度 网板 介质层 MGO 薄膜层 器件
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高入射能量下的金属二次电子发射模型 被引量:7
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作者 杨文晋 李永东 刘纯亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期508-512,共5页
基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程,分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模.利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布,推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入... 基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程,分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模.利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布,推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入射能量的关系式;根据高入射能量电子在材料内部被吸收的规律,推导出高入射能量电子产生背散射电子的系数与入射能量之间的关系式.结合两者得到高入射能量下金属的二次电子发射模型.利用该模型计算得到典型金属材料Au,Ag,Cu,Al的二次电子发射系数,理论计算结果与采用Casino软件模拟金属内部散射过程得到的数值模拟结果相符. 展开更多
关键词 二次电子发射高入射能量金属表面散射过程
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Photo-enhanced field electron emission of cadmium sulfide nanowires
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作者 ZHANG JinLing LV YingHua +3 位作者 LIU Ning LI YanQing GAO Peng BAI XueDong 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2011年第11期1963-1966,共4页
The response of field electron emission of cadmium sulfide (CdS) nanowires (NWs) to visible light has been investigated.It is found that,upon light illumination,the turn-on voltage drops,emission current increases obv... The response of field electron emission of cadmium sulfide (CdS) nanowires (NWs) to visible light has been investigated.It is found that,upon light illumination,the turn-on voltage drops,emission current increases obviously,and the Fowler-Nordheim behavior deviates from a straight line.A process of field emission coupled with semiconducting properties of CdS NWs is proposed.Photon-excited electron transition from the valence band to the conductance band of CdS nanowires increases the quantity of emitting electrons,and the photoemission decreases the effective work function of CdS emitters,which largely enhances the field emission performance.The response of field emission of CdS NWs to light illumination suggests an approach for tuning field emission of semiconductor emitters. 展开更多
关键词 field electron emission optical coupling CdS nanowires semiconductor emitters
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