电子和空穴注入对氮掺杂SnO_2材料光电性能的影响

采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了电子、空穴对N掺杂SnO_2光电性能的影响,结果表明注入空穴比注入电子的Sn16O31N体系禁带宽度减小了0.02 e V,比未注入电子、空穴的Sn16O31N体系变窄了0.04 e V,导带也相对展宽,体系呈现出半金属特性,SnO_2材料导电性能有所提高。注入空穴的体系光学特性也发生了较大的变化,其吸收系数、能量损失函数及折射率在低能区域低于本征和电子注入体系,整个体系的态密度向低能方向移动发生了红移,吸收边变宽,体系的光学响应增大。