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n-Ga_(1-x)Al_xAs的电子喇曼散射、束缚声子和DX中心
1
作者
连世阳
徐建
骆万发
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期535-539,共5页
观测到n-Ga1-xAlxAs的束缚声子和电子喇曼散射.对n-Ga1-xAlxAs进行喇曼散射实验,揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级,引起束缚声子和电子喇曼散射.在较高温...
观测到n-Ga1-xAlxAs的束缚声子和电子喇曼散射.对n-Ga1-xAlxAs进行喇曼散射实验,揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级,引起束缚声子和电子喇曼散射.在较高温度,此能级电子减少到由DX中心表征的施主深能级.实验结果证实了Ga1-xAlxAs的n型杂质具有深-浅双稳特性.根据晶格动力论,浅释了Ga1-xAlxAs中施主的电荷态.
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关键词
电子喇曼散射
束缚声子
DX中心
镓铝砷
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职称材料
N型合金半导体的低温电子喇曼散射
2
作者
连世阳
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期40-45,共6页
研究了n-Ga1-xAlxAs(x>0.45)的电子喇曼散射.根据晶格动力论,讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心的物理起因.结果表明在n-Ga1-xAlxAs(x>0.22)中存在施主双稳态特性.在低温下,光感应的施主...
研究了n-Ga1-xAlxAs(x>0.45)的电子喇曼散射.根据晶格动力论,讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心的物理起因.结果表明在n-Ga1-xAlxAs(x>0.22)中存在施主双稳态特性.在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙n-Ga1-xAlxAs(x>0.45)的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙n-Ga1-xAlxAs(x<0.45)的低温持续光电导.当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的DX中心的深能态.
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关键词
DX中心
电子喇曼散射
低温
半导体
N型
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职称材料
题名
n-Ga_(1-x)Al_xAs的电子喇曼散射、束缚声子和DX中心
1
作者
连世阳
徐建
骆万发
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期535-539,共5页
文摘
观测到n-Ga1-xAlxAs的束缚声子和电子喇曼散射.对n-Ga1-xAlxAs进行喇曼散射实验,揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级,引起束缚声子和电子喇曼散射.在较高温度,此能级电子减少到由DX中心表征的施主深能级.实验结果证实了Ga1-xAlxAs的n型杂质具有深-浅双稳特性.根据晶格动力论,浅释了Ga1-xAlxAs中施主的电荷态.
关键词
电子喇曼散射
束缚声子
DX中心
镓铝砷
Keywords
MOCVD, InGaAs, InP
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
N型合金半导体的低温电子喇曼散射
2
作者
连世阳
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期40-45,共6页
文摘
研究了n-Ga1-xAlxAs(x>0.45)的电子喇曼散射.根据晶格动力论,讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心的物理起因.结果表明在n-Ga1-xAlxAs(x>0.22)中存在施主双稳态特性.在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙n-Ga1-xAlxAs(x>0.45)的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙n-Ga1-xAlxAs(x<0.45)的低温持续光电导.当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的DX中心的深能态.
关键词
DX中心
电子喇曼散射
低温
半导体
N型
Keywords
DX centers,Electronic Raman scattering, Persistent photoconductivity
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
n-Ga_(1-x)Al_xAs的电子喇曼散射、束缚声子和DX中心
连世阳
徐建
骆万发
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
2
N型合金半导体的低温电子喇曼散射
连世阳
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1999
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