期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
“光电子器件工艺与设计”课程思政教学改革探索
1
作者
张云山
孙科学
+2 位作者
邹辉
万洪丹
许吉
《物理实验》
2024年第5期35-41,共7页
“光电子器件工艺与设计”是光电类专业的核心专业课程,该课程的思政建设对于光电子人才的培养至关重要.从“光电子器件工艺与设计”课程的特点出发,总体设计课程思政建设内容和培养目标,深入挖掘与课程专业内容相关的思政元素,探索将...
“光电子器件工艺与设计”是光电类专业的核心专业课程,该课程的思政建设对于光电子人才的培养至关重要.从“光电子器件工艺与设计”课程的特点出发,总体设计课程思政建设内容和培养目标,深入挖掘与课程专业内容相关的思政元素,探索将思政育人元素有机融入到课程体系的方法.根据课程思政内容改进教学方式,通过增加物理仿真实践内容提高了学生学习的积极性,在传授专业知识的同时可以培养学生的科学精神和正确的价值观,落实立德树人的根本任务,实现全面育人的总目标.
展开更多
关键词
课程思政
光
电子器件
工艺与
设计
物理仿真
下载PDF
职称材料
高Al组分AlGaN/AlN/GaN量子级联结构的MOCVD外延研究
2
作者
吴粤川
邓文娟
《电子技术(上海)》
2024年第1期1-4,共4页
阐述高Al组分差的GaN/AlN/AlGaN量子级联紫外-红外双色探测结构的设计,并用MOCVD外延实现过程。通过MOCVD监控分析GaN/AlN/AlGaN量子级联结构生长状况,发现外延AlGaN层的整体Al组分偏低。随后用SEM观测样品表面形貌存在凸起,从截面测量...
阐述高Al组分差的GaN/AlN/AlGaN量子级联紫外-红外双色探测结构的设计,并用MOCVD外延实现过程。通过MOCVD监控分析GaN/AlN/AlGaN量子级联结构生长状况,发现外延AlGaN层的整体Al组分偏低。随后用SEM观测样品表面形貌存在凸起,从截面测量各个结构厚度符合设计,用Cary7000分光光度计测试得到279nm以及1 700~1 900nm双色吸收峰。
展开更多
关键词
电子器件设计
量子级联
MOCVD
紫外-红外探测
SEM
高Al组分
原文传递
题名
“光电子器件工艺与设计”课程思政教学改革探索
1
作者
张云山
孙科学
邹辉
万洪丹
许吉
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院
出处
《物理实验》
2024年第5期35-41,共7页
基金
国家自然科学基金面上项目(No.62374092,No.12174199)
江苏省高等教育教学改革研究课题重点项目(No.2021JSJG135)
+1 种基金
南京邮电大学校级教学改革项目(No.JG10621JX30,No.JG03318JX04,No.JG10622JX02)
“新工科建设与实践”教育教学研究项目(No.2020XGK29)。
文摘
“光电子器件工艺与设计”是光电类专业的核心专业课程,该课程的思政建设对于光电子人才的培养至关重要.从“光电子器件工艺与设计”课程的特点出发,总体设计课程思政建设内容和培养目标,深入挖掘与课程专业内容相关的思政元素,探索将思政育人元素有机融入到课程体系的方法.根据课程思政内容改进教学方式,通过增加物理仿真实践内容提高了学生学习的积极性,在传授专业知识的同时可以培养学生的科学精神和正确的价值观,落实立德树人的根本任务,实现全面育人的总目标.
关键词
课程思政
光
电子器件
工艺与
设计
物理仿真
Keywords
curriculum ideological and political
optoelectronic device technology and design
physical simulation
分类号
G642.0 [文化科学—高等教育学]
TN29 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高Al组分AlGaN/AlN/GaN量子级联结构的MOCVD外延研究
2
作者
吴粤川
邓文娟
机构
东华理工大学机械与电子工程学院
出处
《电子技术(上海)》
2024年第1期1-4,共4页
基金
国家自然科学基金(61961001)。
文摘
阐述高Al组分差的GaN/AlN/AlGaN量子级联紫外-红外双色探测结构的设计,并用MOCVD外延实现过程。通过MOCVD监控分析GaN/AlN/AlGaN量子级联结构生长状况,发现外延AlGaN层的整体Al组分偏低。随后用SEM观测样品表面形貌存在凸起,从截面测量各个结构厚度符合设计,用Cary7000分光光度计测试得到279nm以及1 700~1 900nm双色吸收峰。
关键词
电子器件设计
量子级联
MOCVD
紫外-红外探测
SEM
高Al组分
Keywords
electronic device design
quantum cascade
MOCVD
UV infrared detection
SEM
hiah Al component
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
“光电子器件工艺与设计”课程思政教学改革探索
张云山
孙科学
邹辉
万洪丹
许吉
《物理实验》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
高Al组分AlGaN/AlN/GaN量子级联结构的MOCVD外延研究
吴粤川
邓文娟
《电子技术(上海)》
2024
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部