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高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料
被引量:
2
1
作者
茅东升
赵俊
+5 位作者
李炜
王曦
柳襄怀
诸玉坤
李琼
徐静芳
《中国科学(E辑)》
CSCD
1999年第1期26-31,共6页
采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 ...
采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .
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关键词
金刚石薄膜
sp^3键
显示器
CVD
电子场发射材料
原文传递
题名
高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料
被引量:
2
1
作者
茅东升
赵俊
李炜
王曦
柳襄怀
诸玉坤
李琼
徐静芳
机构
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
华东师范大学电子科学与技术系
出处
《中国科学(E辑)》
CSCD
1999年第1期26-31,共6页
基金
国家"八六三"计划资助
文摘
采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .
关键词
金刚石薄膜
sp^3键
显示器
CVD
电子场发射材料
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料
茅东升
赵俊
李炜
王曦
柳襄怀
诸玉坤
李琼
徐静芳
《中国科学(E辑)》
CSCD
1999
2
原文传递
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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