氮化硅/聚苯乙烯复合电子基板材料制备及性能

以Si3N4粉末作为增强组元与颗粒状聚苯乙烯进行复合,用热模压法制备了氮化硅/聚苯乙烯复合电子基板材料。研究了Si3N4含量和聚苯乙烯颗粒大小对复合材料导热性能和介电性能的影响,通过理论分析确定了影响导热性能的主要因素。研究结果表明,随Si3N4含量的增加,复合材料中粉末形成导热网络,复合材料的热导率也随之增加,聚苯乙烯颗粒尺寸越大,复合材料热导率越大。热导率的增加与导热网络的形成有关,增加Si3N4含量和聚苯乙烯颗粒尺寸都有助于导热网络的形成。复合材料的介电常数取决于复合材料体系组元的体积含量。

氮化硅/环氧复合电子基板材料制备及性能

以Si_3N_4粉末作为增强组分与环氧树脂进行复合,采用模压法制备了氮化硅/环氧树脂复合电子基板材料。研究了Si_3N_4含量对复合材料导热性能和介电性能的影响。研究结果表明,随着Si_3N_4含量的增加,复合材料中填料形成导热网络,复合材料的热导率也随之增加,当体积填充量为35%时,导热系数达到1．71 W/m·K。复合材料的介电常数随Si_3N_4含量的增加而增加,但在氮化硅陶瓷颗粒的体积分数达到35%时仍维持在较低的水平(7．08,1 MHz)。

BN纤维/Nylon1010复合电子基板材料的制备与性能

采用挤压注塑法制备BN/N y lon1010复合电子基板材料,研究了不同BN纤维填充量的复合基板材料的微观组织结构和复合电子基板材料的介电性能及导热性能。结果表明,当BN纤维体积含量小于40%时,BN纤维基本上以孤岛形式分布在N y lon1010基体上;当BN纤维体积含量大于40%时,BN纤维开始形成连续网络。复合基板的介电常数随着BN纤维含量的增加而线性增加,介质损耗则随着BN纤维含量的增加而线性降低,复合基板的热导率随BN纤维的加入量增加而增大,但起初变化较小。当BN纤维体积含量大于40%时,热导率开始迅速增加。

某电子基板制造企业扩建项目职业病危害预评价

目的对某电子基板制造企业扩建项目进行职业病危害预评价，识别、评价、控制建设项目可能产生的职业病危害，并为卫生行政部门审批建设项目提供依据。方法通过收集相关资料、现场调查，采用类比法和检查表法等方法对建设项目进行综合评价。结果该建设项目可能存在的职业病危害因素为：醇类有机溶剂、铅烟、噪声、局部高温等。类比项目中各种职业病危害因素检测结果均能符合国家卫生标准，铅烟、甲醇、苯、甲苯、二甲苯均低于检出限，异丙醇检测结果89．5—139．3mg／m^3。结论该项目属职业病危害一般的项目，但在职业卫生管理、职业卫生专项投资等方面需进一步完善。

电子基板用玻璃/陶瓷复合材料的低温共烧与性能

玻璃/陶瓷低温共烧复合材料具有高导热性、快速电子信号传输性能、热膨胀系数与硅匹配、力学性能良好等优点,被广泛应用作电子基板材料。本文简要阐述了玻璃/陶瓷复合材料的烧结机理和影响因素,综述了主要的制备方法,指出了烧结过程中可能存在的关键问题,并讨论了玻璃/陶瓷复合材料的性能调控方法。最后,展望了玻璃/陶瓷复合材料在电子信息领域的发展方向和应用前景。

废电子基板的回收利用

概述了废电子基板的可溶化和贵金属和稀有金属的回收,可以有效的利用化学原料和能量资源。

高透过率电子基板玻璃成型过程质量控制技术

该文先引入了高透过率电子基板玻璃这一概念,并陈述它的质量控制要求,然后根据它的质量控制要求,重点阐述了其成型过程的质量控制技术。

“电子基板多品种高效定制关键技术与应用”科技成果得到李培根院士的高度评价及赞赏

2017年12月9日，广东省机械工程学会在厂州组织并主持召开了由广东工业大学、深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司和安捷利实业有限公司共同完成的“电子基板多品种高效定制关键技术与应用”科技成果鉴定会。

电子基板用纳米薄层保护剂

随着电子技术的不断发展，各种电子产品不断涌现，使电子基板（PCB）的需求量也越来越大。然而，水、油及其它液态物质的沾染极易导致电子基板短路而失灵；灰尘的堆积也会造成散热不良，使PCB故障；各类酸碱性物质及气体极易发生焊接点、零件的腐蚀使PCB损坏；在恶劣的环境（高温、低温）下运作常使焊接点及零件氧化使PCB功能衰减；以及由于静电感应容易造成PCB上的电子零件失效。

尖端电子基板产业的今天和明天

在不断实现电子产品的小型、轻量、低消费电力化的发展中,高性能半导体封装技术以及高密度电子电路安装技术不断获得新进展.它使得世界的印制电路板业也发生变革性转变.说明这一转变的明显事例就是:为适应新的发展形势,1999年日本印制电路业界将几十年来被称作"印制电路板"的一类产品,改称为"电子基板".它包括了印制电路板和模块基板.而模块基板是指新兴发展起来的以BGA、CSP为典型代表的封装基板(简称PKG基板)、MCM基板等.

残余应力分布对基板玻璃落球冲击强度影响的数值模拟研究

落球冲击强度是电子基板玻璃力学性能的重要指标,而残余应力对基板玻璃落球冲击强度有极大的影响。本文结合真实落球冲击试验,使用有限元方法对电子基板玻璃在不同残余应力分布模式下的落球冲击强度进行了数值模拟计算。结果表明,有限元数值模拟能够准确地反映落球冲击试验中的真实响应和基板玻璃破碎形貌。数值模拟中电子基板玻璃的落球冲击强度(通过残余质量率表征)和受冲击区域的残余张应力之间存在非线性关系,当残余张应力数值超过阈值时,落球冲击强度迅速下降。冲击区域存在的残余张应力对落球冲击产生的应力具有明显的放大作用,仅1.0 MPa的残余张应力就能使冲击产生的应力较无残余应力时提高约10 MPa,这是造成电子基板玻璃落球冲击强度下降的重要原因。

铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究

在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.

电子玻璃基板生产中气泡缺陷分析与对策

基于长期玻璃基板制造技术经验积累,对电子玻璃熔制过程中气泡缺陷的形成原因,分类及特征进行了分析;根据玻璃基板中气泡的气体成分、形状、位置判断出气泡在玻璃熔制过程中产生的位置,为有效消除电子玻璃制造中的气泡缺陷提供了对策思路。

Al/Al_2O_3陶瓷接合基板的制备及性能研究

在675～825℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法制备出Al/A12O3电子陶瓷基板,利用力学拉伸试验机测试了Al和Al2O3的结合强度,界面抗拉强度>15.94MPa,使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究了其界面的微观结构.

封装基板过孔电特性建模方法

基于电路二端口网络理论,建立了过孔电学特性等效电路模型,给出了模型参数的提取过程。在分析比较物理模型和经验模型两种不同的模型参数提取方法及其优缺点的基础上,给出了过孔高频特性的经验模型及其模型参数。为验证经验模型的有效性,提出了基于仿真的快速验证方法。实验结果表明,该方法避免了实物测试验证所带来的测试误差,同时为降低建模成本提供了新思路。