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金薄膜UV透过特性对MCP电子增益测量影响的研究
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作者 李野 但唐仁 +3 位作者 高延军 程轶 姜得龙 田景全 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期31-33,37,共4页
介绍了微通道板的电子增益及其测量的UV光电法 ,并着重分析了UV光透过Au薄膜引起的附加输出 (或附加增益 )对测试结果的影响 ,给出了减小的途径 。
关键词 微通道板 电子增益 UV光电法 UV透过率 金薄膜 MCP
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MCP增益与首次碰撞时电子能量关系的试验研究 被引量:8
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作者 刘术林 邓广绪 +4 位作者 严诚 孙建宁 张彦云 杨宝荣 朱庆 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第6期354-356,共3页
首次碰撞时电子的能量对微通道板的增益产生影响。为了揭示它们之间的变化关系,分别测试了标准型和高性能6μm孔径的微通道板的电流增益和电子增益随首次碰撞时电子能量的变化关系曲线,讨论了两者在微光像增强器中的相对优势,预示高性能... 首次碰撞时电子的能量对微通道板的增益产生影响。为了揭示它们之间的变化关系,分别测试了标准型和高性能6μm孔径的微通道板的电流增益和电子增益随首次碰撞时电子能量的变化关系曲线,讨论了两者在微光像增强器中的相对优势,预示高性能MCP使用于微光像增强器中的技术潜力。 展开更多
关键词 微通道板 电流增益 电子增益 微光像增强器
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哈特曼波前探测器电子倍增增益的自适应控制方法 被引量:1
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作者 李大禹 朱召义 +1 位作者 王少鑫 宣丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期124-131,共8页
本文提出自适应光学成像系统中哈特曼波前探测器电子倍增增益的自适应控制方法,以使哈特曼波前探测器保持较高的信噪比同时避免亮度过饱和。利用亮度接近哈特曼饱和值的光源作为被观测目标,探测到的光斑阵列中有一个最高亮度值I_m,统计... 本文提出自适应光学成像系统中哈特曼波前探测器电子倍增增益的自适应控制方法,以使哈特曼波前探测器保持较高的信噪比同时避免亮度过饱和。利用亮度接近哈特曼饱和值的光源作为被观测目标,探测到的光斑阵列中有一个最高亮度值I_m,统计200帧~500帧中的I_m,计算其相对统计帧数的均值ī_m、I_m相对ī_m的均方差值σm;设定理想最高亮度值ī_(ms)比饱和亮度低3.0σm^3.2σm;再将光斑的亮度最大值相对一帧阵列中的光斑数计算平均值记为I_a,实时监测I_a;依据信号强度I与增益G的线性关系,事先测得哈特曼波前探测器的技术特征参数k_a、k_m和理想最高亮度值ī_(ms),即可以由当前帧探测数据I_a和增益G_a计算得到所需调整的增益值G_(ms)。 展开更多
关键词 自适应控制 电子倍增增益 哈特曼波前探测器 电子倍增CCD
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高增益自由电子激光光阴极注入器驱动激光系统设计考虑
4
作者 鲁向阳 向蓉 +5 位作者 赵夔 王莉芳 全胜文 郝建奎 张保澄 陈佳洱 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第6期527-530,共4页
高增益自由电子激光对电子束团提出了高品质要求 ,只有光阴极微波电子枪能够达到这一目标。光阴极微波电子枪的驱动激光器是这一系统的关键之一。北京大学重离子物理研究所设计的驱动激光系统的指标是提供 2 6 0nm、6~ 8ps宽、5 0 0 μ... 高增益自由电子激光对电子束团提出了高品质要求 ,只有光阴极微波电子枪能够达到这一目标。光阴极微波电子枪的驱动激光器是这一系统的关键之一。北京大学重离子物理研究所设计的驱动激光系统的指标是提供 2 6 0nm、6~ 8ps宽、5 0 0 μJ的激光脉冲。系统主要由半导体泵浦的钛蓝宝石振荡器、Nd∶YAG调Q泵浦源、再生式放大器、倍频器等组成。系统中采用了腔长调整锁模技术以及相位稳定反馈装置 ,目的是使激光脉冲的时间抖动小于 1 0 ps。 展开更多
关键词 光阴极注入器 设计 光阴极微波电子 驱动激光器 增益自由电子激光
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一种电子倍增CCD电子倍增增益的确定方法 被引量:4
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作者 卢家莉 李彬华 胡泊 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期710-715,共6页
电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)相机在使用过程中,需要校正其电子倍增增益。根据EMCCD的结构特征和单级倍增寄存器的电荷倍增特性,分析了已有电子倍增模型在实际应用中的局限性。针对特定的EMCCD器件,通过仿真计算,得到原有增益计算模型... 电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)相机在使用过程中,需要校正其电子倍增增益。根据EMCCD的结构特征和单级倍增寄存器的电荷倍增特性,分析了已有电子倍增模型在实际应用中的局限性。针对特定的EMCCD器件,通过仿真计算,得到原有增益计算模型的关键参数与EMCCD工作电压、温度的数据表,并用多元回归分析的方法建立该参数与工作电压、温度的数学方程,利用该方程,代入原有增益计算模型,可以突破原增益计算模型的限制,得到了一种普遍适用且较为简单的EMCCD电子倍增增益计算方法。仿真计算所得结果与实际EMCCD器件的倍增曲线比较,数据吻合良好。该结果表明,这种确定增益的方法可以较方便地计算电子倍增器件的平均增益,在EMCCD相机设计和实际使用中有着良好的应用价值。 展开更多
关键词 电子学与激光技术 电子倍增电荷耦合器件 电子倍增增益 参数计算 仿真分析
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基于任意场景的CCD相机电子学增益测试方法研究 被引量:2
6
作者 胡明鹏 成俊舟 +1 位作者 任王涛 熊锐 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第5期724-728,共5页
在分析CCD相机噪声特性的基础上,设计了一种用于CCD相机电子学增益测试的新方法。该方法采用任意场景作为测试背景,通过改进算法推导了图像信号SDN和图像噪声σDN之间的线性关系,从而解算出相机的电子学增益。与传统方法采用积分球或EMV... 在分析CCD相机噪声特性的基础上,设计了一种用于CCD相机电子学增益测试的新方法。该方法采用任意场景作为测试背景,通过改进算法推导了图像信号SDN和图像噪声σDN之间的线性关系,从而解算出相机的电子学增益。与传统方法采用积分球或EMVA1288标准要求的均匀光源相比,该方法具有操作简便、经济性高的特点。与原有算法进行对比实验,结果表明,该方法能够较精确地对CCD相机电子学增益进行测试,测试重复性高,且有效可靠。 展开更多
关键词 电子增益 CCD相机 噪声 均匀光源 测试
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收集极对分离打拿极电子倍增器增益影响的模拟计算 被引量:1
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作者 李杨昊 夏章聪 +3 位作者 李洁 吴胜利 胡文波 田进寿 《真空电子技术》 2022年第4期47-51,80,共6页
使用CST粒子工作室对分离打拿极电子倍增器进行建模和仿真,采用控制变量的分析方法调整电子倍增器收集极的参数,得到了电子倍增器内部的电子轨迹图。分析了影响电子倍增器增益的主要因素,研究了收集极对电子倍增器增益的影响,并且通过... 使用CST粒子工作室对分离打拿极电子倍增器进行建模和仿真,采用控制变量的分析方法调整电子倍增器收集极的参数,得到了电子倍增器内部的电子轨迹图。分析了影响电子倍增器增益的主要因素,研究了收集极对电子倍增器增益的影响,并且通过改变收集极的位置和结构分别对电子倍增器的增益进行优化。研究结果表明,收集极距离第九级打拿极位置为0.6mm时,电子倍增器增益最大;改变收集极上折角度的研究结果表明,收集极两端上折60°时,电子倍增器的增益最大。 展开更多
关键词 分离打拿极电子倍增器 收集极 电子倍增器增益 CST模拟计算
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低噪声、高增益微通道板的研制 被引量:16
8
作者 刘术林 李翔 +4 位作者 邓广绪 潘京生 苏德坦 严诚 李军国 《应用光学》 CAS CSCD 2006年第6期552-557,共6页
降低微通道板噪声和增加其电子增益是改善微光像增强器信噪比、视场清晰度和亮度增益最好的技术途经之一。采用具有高而且稳定的二次电子发射系数的皮料玻璃和与皮料玻璃的热物理性能相匹配且化学腐蚀速率比皮料大4个数量级的芯料玻璃... 降低微通道板噪声和增加其电子增益是改善微光像增强器信噪比、视场清晰度和亮度增益最好的技术途经之一。采用具有高而且稳定的二次电子发射系数的皮料玻璃和与皮料玻璃的热物理性能相匹配且化学腐蚀速率比皮料大4个数量级的芯料玻璃以及与两者在一切工艺过程相匹配的实体边玻璃,通过优化实体边实芯工艺制作出的高性能微通道板,其暗电流密度小于5×1-0 13A/cm2,固定图案噪声和闪烁噪声明显降低;在真空系统中,经40μA h电子清刷后,电子增益(800 V)大于500。制管实验表明:这种微通道板达到了预期效果。 展开更多
关键词 微通道板 噪声 暗电流密度 电子增益 视场清晰度
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微球板电子倍增器基体制备技术研究
9
作者 王新 富丽晨 +5 位作者 吴奎 王国政 端木庆铎 李野 姜德龙 田景全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期654-658,共5页
新型微球板电子倍增器和微通道板相比具有高增益、无离子反馈、制备简单、造价低廉等优点。介绍了微球板电子倍增器的工作原理、特点和广阔的应用前景。由于微球板基体的形成技术是微球板制备的关键技术,论文从理论上研究了微球板基体... 新型微球板电子倍增器和微通道板相比具有高增益、无离子反馈、制备简单、造价低廉等优点。介绍了微球板电子倍增器的工作原理、特点和广阔的应用前景。由于微球板基体的形成技术是微球板制备的关键技术,论文从理论上研究了微球板基体烧结过程中的烧结速率。并采用自行设计组分的高铅玻璃,用立式炉成珠设备进行了玻璃微珠的制备,探索了微球板制备过程中玻璃微珠的分级技术、微球板电子倍增器基体成型工艺和技术。制备出基本满足要求的微球板电子倍增器基体。给出了制造的样品和文献上样品结构的SEM对比照片,最后对实验过程中的一些现象进行了分析,并给出了实验的结论。 展开更多
关键词 微球板 电子倍增器 离子反馈 烧结 微通道板 电子增益 输出电流
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电子倍增型GaAs光阴极实验研究
10
作者 胡仓陆 郭晖 +6 位作者 焦岗成 彭岔霞 冯驰 徐晓兵 周玉鉴 成伟 王书菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1549-1554,共6页
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对... 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2. 展开更多
关键词 砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 电子亲和势
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紫外光对MCP增益特性测量的影响
11
作者 卢耀华 李野 +2 位作者 吴奎 姜德龙 富丽晨 《应用光学》 CAS CSCD 1994年第2期21-23,共3页
介绍用UV光电法测量MCP电子增益时,UV透过金薄膜的附加输出给测量带来的影响,给出了实验结果并进行初步分析,最后指出确保增益测量结果可靠性的途径。
关键词 微道道板 电子增益 紫外光
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高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究 被引量:14
12
作者 刘虎林 王兴 +10 位作者 田进寿 赛小锋 韦永林 温文龙 王俊锋 徐向晏 王超 卢裕 何凯 陈萍 辛丽伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期152-157,共6页
基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像... 基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考. 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电子轰击增益 微光成像 紫外探测
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SASE自由电子激光 被引量:1
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作者 张令翊 庄杰佳 +1 位作者 赵夔 陈佳洱 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期173-176,共4页
SASE自由电子激光可以产生短至 0 .1 nm的高亮度 (峰值亮度比当前的第三代同步辐射高 1 0个量级 ;平均亮度高 3~ 5个量级 )、短脉冲 (脉冲长度小于 2个量级 ,达到亚皮秒水平 )硬 X射线相干光。因而被称为是继第三代同步辐射之后的第四... SASE自由电子激光可以产生短至 0 .1 nm的高亮度 (峰值亮度比当前的第三代同步辐射高 1 0个量级 ;平均亮度高 3~ 5个量级 )、短脉冲 (脉冲长度小于 2个量级 ,达到亚皮秒水平 )硬 X射线相干光。因而被称为是继第三代同步辐射之后的第四代光源。SASE依据的是高增益自由电子激光原理 ,利用了光阴极微波电子枪技术和电子直线加速器技术。综述了 SASE的历史发展、基本原理、基本结构。 展开更多
关键词 SASE 增益自由电子激光 第四代光源
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高斯初始能量分布下自由电子激光饱和状态的统计理论求解
14
作者 张辉 张鹏飞 李一丁 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期273-279,共7页
基于高增益自由电子激光饱和状态的统计物理方法,在不同的电子束相空间初始分布下对原有理论进行了发展和推广,借助于多重数值积分技术解决了粒子束一般动量初始分布带来的计算困难,并以更接近实际的高斯动量分布为例进行计算。作为对... 基于高增益自由电子激光饱和状态的统计物理方法,在不同的电子束相空间初始分布下对原有理论进行了发展和推广,借助于多重数值积分技术解决了粒子束一般动量初始分布带来的计算困难,并以更接近实际的高斯动量分布为例进行计算。作为对比验证编写高斯初始动量分布下的直接数值模拟程序,将高斯初始分布同"水袋"两种初始分布的"暖电子束"入射情形下自由电子激光达到饱和时系统的光强、聚束因子和粒子相空间分布均进行相应计算和比较。结果表明:数值模拟和统计计算结果相一致;在目前选取的参数范围内,两种初始分布的相应结果差异并不显著。 展开更多
关键词 增益自由电子激光 饱和态 高斯初始分布 熵函数
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基于SiC的新型真空-固态混合光电探测器研究 被引量:1
15
作者 徐鹏霄 张逊 +5 位作者 杨杰 刘奥 汪玲 易智豪 赵文锦 唐光华 《光电子技术》 CAS 2023年第4期283-286,共4页
基于SiC宽禁带半导体材料及器件,实现了SiC宽禁带器件与超高真空器件的混合兼容设计与制备,研制了一种新型的SiC基真空-固态混合光电探测器,光敏面有效直径25 mm,器件电子轰击增益近200倍,响应信号半高宽4.5 ns。为真空-固态混合光电探... 基于SiC宽禁带半导体材料及器件,实现了SiC宽禁带器件与超高真空器件的混合兼容设计与制备,研制了一种新型的SiC基真空-固态混合光电探测器,光敏面有效直径25 mm,器件电子轰击增益近200倍,响应信号半高宽4.5 ns。为真空-固态混合光电探测器件理论研究与工程应用的深入推进奠定了基础。 展开更多
关键词 真空-固态混合光电探测器 碳化硅 电子增益 响应时间
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盒栅式电子倍增器模拟计算 被引量:5
16
作者 谭孝青 吴胜利 +2 位作者 王洪广 胡文波 田进寿 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期380-385,共6页
采用三维电磁分析软件CST对盒栅式电子倍增器结构进行建模,利用控制变量的分析方法修改模型参数,模拟计算了不同打拿极栅网结构参数和出射电子能量条件下电子倍增器内部的电场分布、电子运动轨迹以及倍增器增益。研究分析了打拿极栅网... 采用三维电磁分析软件CST对盒栅式电子倍增器结构进行建模,利用控制变量的分析方法修改模型参数,模拟计算了不同打拿极栅网结构参数和出射电子能量条件下电子倍增器内部的电场分布、电子运动轨迹以及倍增器增益。研究分析了打拿极栅网结构参数和出射电子能量对电子倍增器特性的影响。数值模拟结果表明,倍增器打拿极栅网密度过密或者过疏均会降低电子倍增器的增益,在打拿极栅网间距为0.9 mm时电子倍增器增益最高;较小的二次电子出射能量有利于改善倍增器内电子轨迹的发散并提高倍增器增益。 展开更多
关键词 盒栅式电子倍增器 电子轨迹 电子倍增器增益 CST模拟计算
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不同结构盒栅式电子倍增器模拟计算 被引量:2
17
作者 王运佳 王一非 高连山 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期709-713,共5页
利用CST三维电磁仿真软件对不同结构的盒栅式电子倍增器进行建模,采用控制变量的分析思想,模拟计算不同打拿极结构下的电子倍增器内电场分布、电子运动轨迹和倍增增益。数值仿真结果显示,不同结构打拿极电子倍增器内部电场稍有不同,并... 利用CST三维电磁仿真软件对不同结构的盒栅式电子倍增器进行建模,采用控制变量的分析思想,模拟计算不同打拿极结构下的电子倍增器内电场分布、电子运动轨迹和倍增增益。数值仿真结果显示,不同结构打拿极电子倍增器内部电场稍有不同,并且导致倍增效益有所不同。在具有相同路径的8级打拿极结构的情况下,增益效果由强到弱的顺序为多边形、方形、弧形、三角形。多边形打拿极在二次电子发射材料镀膜区域不同的情况下,电子倍增器的增益效果具有很大的差异。 展开更多
关键词 盒栅式电子倍增器 电子轨迹 电子倍增器增益 CST模拟计算
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带间级联红外探测器的光电流输运与量子效率研究
18
作者 白雪莉 柴旭良 +4 位作者 周易 朱艺红 梁钊铭 徐志成 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期716-723,共8页
带间级联红外探测器可以利用多级吸收区级联的方式实现高的工作温度,但不同的吸收区厚度设计方式会使得器件在不同级数吸收区中出现光生载流子的不匹配现象,从而对器件量子效率造成影响。为更好地理解带间级联探测器的级数和吸收区厚度... 带间级联红外探测器可以利用多级吸收区级联的方式实现高的工作温度,但不同的吸收区厚度设计方式会使得器件在不同级数吸收区中出现光生载流子的不匹配现象,从而对器件量子效率造成影响。为更好地理解带间级联探测器的级数和吸收区厚度对量子效率的影响,对基于InAs/GaSb II类超晶格的带间级联探测器进行了变温测试,并基于多级光电流的“平均效应”建立了工作在反向偏置电压的量子效率计算模型,通过与实际测试的量子效率对比,发现在低温条件下实验数据和计算结果拟合一致性较好,验证了多级带间级联探测器中基于内增益机制的光电流平均效应。但在高温条件下,实际的光电流低于“平均效应”的理论计算结果,这可能是由于高温下少数载流子寿命变短,在吸收区和弛豫区界面处存在光生载流子的复合机制。 展开更多
关键词 InAs/GaSb II类超晶格 带间级联探测器 电子增益 量子效率
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盒栅式电子倍增系统在不同路径下的模拟计算研究
19
作者 王运佳 王一非 +1 位作者 高连山 李巍 《宇航计测技术》 CSCD 2020年第1期23-28,78,共7页
利用CST软件对不同路径的盒栅式电子倍增系统进行建模,将相邻打拿极的排布分为"Z"型和"U"型。模拟计算这两种最小打拿极排布单元及其衍生路径下,电子倍增系统内电场分布、电子运行轨迹和电子倍增增益的差异。模拟... 利用CST软件对不同路径的盒栅式电子倍增系统进行建模,将相邻打拿极的排布分为"Z"型和"U"型。模拟计算这两种最小打拿极排布单元及其衍生路径下,电子倍增系统内电场分布、电子运行轨迹和电子倍增增益的差异。模拟结果显示,不同打拿极排布下电子倍增系统内的电场分布差异不大,但电子运行轨迹和电子倍增增益差别显著。结合盒栅式电子倍增系统实际装配的合理性,通过计算分析得出打拿极排布的基本原则,并在八级打拿极结构的情况下,优化得出较合理的排布路径。 展开更多
关键词 盒栅式电子倍增系统 电子运行轨迹 电子倍增增益 模拟计算
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自由电子激光器
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《中国光学》 EI CAS 2001年第6期20-20,共1页
TN248.6 2001063874自由电子激光器虚火花电子束源的阻抗匹配研究=Studv of imDedance match of pseudospark ebeamsource of free electron lasers[刊,中]/于金辉,王明常,周慧芬,陆宾,冯诚士(中科院上海光机所强光光学开放实验室.上海(... TN248.6 2001063874自由电子激光器虚火花电子束源的阻抗匹配研究=Studv of imDedance match of pseudospark ebeamsource of free electron lasers[刊,中]/于金辉,王明常,周慧芬,陆宾,冯诚士(中科院上海光机所强光光学开放实验室.上海(201800))∥中国激光.— 展开更多
关键词 自由电子激光器 虚火花电子 增益自由电子激光 开放实验室 匹配研究 强光光学 优化设计 阻抗曲线 中科院 上海
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