单电子存储器

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。

浮栅型单电子存储器的等效电路模型

在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态。仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的"读"和"写"状态。

纳米硅单电子存储器研究进展

纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原理、研究现状及发展趋势。

基于重核衰变原理的单电子存储器寿命模型

单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器极有希望的替代品。信息的记忆性能是衡量存储器的一个重要参数,因而对单电子存储器的记忆性能研究有重要的意义。存储器的结构以及温度、电磁辐射等环境因素都对单电子存储器记忆时间产生影响,因而有必要寻求一种模型来综合各种因素对储存器存储寿命的影响。借鉴Gamow、Gurney和Condon处理某些重核α粒子自然衰变的方法对单电子存储器的记忆能力进行研究,考虑到了环境参数和结构参数对记忆性能的影响,给出了一种新的单电子存储器记忆时间模型,并对该模型进行详细的理论分析。

单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定。

基于SIMON仿真软件的单电子存储器分析

介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响。研究表明,单电子环形存储器单元电路利用量子点环状电路结构形式,由外接输入电压控制各岛上的电荷,能够得到存储器的"0"和"1"状态。并且该电路对温度和背景电荷极为敏感,在温度为0K和零背景电荷条件下电路能够正常工作,但是当温度和背景电荷发生微小变化,电路的输出状态将会受到破坏。

基于NUC972灭菌设备电子存储器的设计

灭菌设备根据法规要求需要对灭菌过程数据进行记录并存档,且能够被追溯。本文设计一种能够接收PLC控制器发出的数据,将数据储存的同时转发给打印机的电子存储器。存储器使用ARM926EJ内核的MCU,执行速度快,内存容量大,接收的数据存储到电路板级的大容量NAND FLASH中,确保数据的安全可靠。储存器具有带安全防护RS232/RS485;具有高速的SD卡和U盘接口,并且U盘的识别率高和稳定性好;运行LINUX操作系统,可以输出不易篡改的PDF文档。该存储器不仅执行速度快,功能强大,而且稳定性好,成本低。特别适用于灭菌设备的过程数据监测与存储。

一种新颖的自动识别技术——轻触式电子存储器

轻触式电子存储器与现有自动识别技术的比较,它的结构及特点、读写方式,典型产品.

多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟

本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。

复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。

国际团队研发出新型自旋电子存储装置,写入效率比以往提高20倍

据EurekAlert网站2018年12月10日消息,新加坡国立大学、日本丰田技术研究所、名古屋大学和韩国首尔大学的研究人员合作,研发出一种新型自旋电子存储装置。新型磁存储装置采用铁氧磁材料制成,其可扩展性和稳定性均优于基于铁磁体的自旋电子存储器。与现有商用自旋电子存储器相比,新设备操控数字信息的效率以及稳定性分别提升了20倍和10倍,有望加速自旋存储设备的商业化发展。

电子数据存储技术在航天遥测系统中的应用与发展

本文介绍的电子数据存储技术，已广泛用干航天飞杆盟各种遥测系统。文中介绍电子数据存储器的各种工作方式、使用场合和它的发展，并对存储器的设计要点作了说明。最后，列出七0四所二十年来设计的电子数据存储器的综合性能。

集成化单电子器件研究进展

传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用 。

单电子晶体管的制备、集成与电路研究

我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏惑的探测技术(包括超敏感的库仑计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。

非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟

介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾.

多功能电子表

多功能电子表奥地利一家公司研制成一种新型的电子表。它不仅可用于记时，还能够当钥匙或钱包．使用。这种手表适合在旅馆里使用，每一名旅客都可得到一块。在手表的电子存储器里储存了打开客房门锁的暗号，只要将手表靠近门锁（手表里装有微型发射机，而锁内装有接收机）...

基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较

采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响 ,发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长 .