在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子...在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数.在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小.对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差.展开更多
为深入系统研究电子相关能计算理论，本文报道在6-311＋G’基组水平用CISD（configuration interaction with singly and doubly excited configurations）方法计算基础体系X（X=Li-NeyHC，H2C）对内、对间电子相关能。结果表明不同元...为深入系统研究电子相关能计算理论，本文报道在6-311＋G’基组水平用CISD（configuration interaction with singly and doubly excited configurations）方法计算基础体系X（X=Li-NeyHC，H2C）对内、对间电子相关能。结果表明不同元素所形成的基态X（X=Li-Ne，HC，H2C）体系，其价层电子对内、对间相关能的变化较大，它们之间存在着轨道差别，不宜将其相关贡献归为简单的常数。以使用相同理论方法和相同质量基组为前提，电子数直接影响电子对间相关能的大小。对于多电子体系，电子对间相关在总相关中占优势，若忽略则会产生较大误差。展开更多
文摘在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数.在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小.对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差.
文摘为深入系统研究电子相关能计算理论，本文报道在6-311＋G’基组水平用CISD（configuration interaction with singly and doubly excited configurations）方法计算基础体系X（X=Li-NeyHC，H2C）对内、对间电子相关能。结果表明不同元素所形成的基态X（X=Li-Ne，HC，H2C）体系，其价层电子对内、对间相关能的变化较大，它们之间存在着轨道差别，不宜将其相关贡献归为简单的常数。以使用相同理论方法和相同质量基组为前提，电子数直接影响电子对间相关能的大小。对于多电子体系，电子对间相关在总相关中占优势，若忽略则会产生较大误差。
