HX体系电子对内、对间相关研究

在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数.在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小.对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差.

NHn（n=1—3）体系电子对内对间相关能的变化规律

众所周知, 电子相关能问题是量子化学的瓶颈问题[1]. 为了更深入地了解和认识电子相关能的轨道本质, 建立Post-HF理论校正模型, Ju等[2～6]应用电子对内对间电子相关模式, 指出国际著名量子化学家Pople等[7]提出的G1和G2理论中的高级校正项E(HLC)的逻辑缺陷. 在以G1和G2理论为基础的G3S理论[8]中, Pople等终于认识到该高级校正项的不合理性, 并舍弃了E(HLC)项而改用为标度能量项, 进一步证实了Ju指出的要建立正确的Post-HF理论校正模型必须有正确的科学思想作为指导[6]. 我们应用电子对内对间电子相关模式对离子化合物体系进行了研究并得出一些有意义的结论[9,10], 现对共价键体系, 运用电子对内对间相关模式和MELD程序[11]中MP2-OPT1[12,13]方法计算并分析了NH, NH2和NH3体系电子对内对间相关能的相对变化规律. 为了比较上述体系与其等电子原子体系电子相关能的差异性, 我们用同样的方法计算了O, F和Ne原子体系的电子对内对间相关能. 此外, 对所研究的氮氢体系及其对应的等电子原子体系还计算了包括三重激发和四重激发高激发项贡献的总电子相关能数值Ec(SDTQ), 并与只包括单重激发和两重激发贡献的总电子相关能数值Ec(SD)作了详细比较.

计算基态X(X=Li-Ne,HC，H2C)电子相关能的研究

为深入系统研究电子相关能计算理论，本文报道在6-311＋G’基组水平用CISD（configuration interaction with singly and doubly excited configurations）方法计算基础体系X（X=Li-NeyHC，H2C）对内、对间电子相关能。结果表明不同元素所形成的基态X（X=Li-Ne，HC，H2C）体系，其价层电子对内、对间相关能的变化较大，它们之间存在着轨道差别，不宜将其相关贡献归为简单的常数。以使用相同理论方法和相同质量基组为前提，电子数直接影响电子对间相关能的大小。对于多电子体系，电子对间相关在总相关中占优势，若忽略则会产生较大误差。