ZnO对铋锌硼系电子封接玻璃烧结性能的影响研究

利用X射线衍射分析、SEM对Bi2O3-ZnO-B2O3系统低熔点玻璃的烧结性能、玻璃的结晶、烧结后玻璃试样的结构进行了研究。研究结果表明:随着ZnO含量的增加,玻璃试样的烧结收缩率有所增加,烧结变得相对容易,玻璃颗粒液相出现所需要的温度有所降低。Bi2O3-ZnO-B2O3系统低熔点玻璃粉末的烧结是在有粘性液相参与下的烧结过程,使得玻璃试样的致密化更加有效,效率更高。B组试样中都析出了α-Bi2O3晶相。当温度继续升高时,试样的烧结收缩出现了"滞缓"的现象,试样中有大量的液相出现,试样在表面张力的作用下出现了流散。

电子封接用钼铜材料的制备

通过扫描电镜、透射电镜及X射线衍射等对Mo-Cu复合粉末的粉末形貌、合金化程度及烧结后合金组织结构进行分析,研究了高能球磨后Mo-Cu材料的显微组织及其与陶瓷热膨胀性能匹配的关系。结果表明,采用高能球磨机械合金化和氢气气氛烧结工艺制备的Mo-Cu复合材料,相对密度在98%以上,在室温至700℃热膨胀系数与陶瓷差值在8%。

无铅电子封接玻璃材料性能的改进

为了提高电子器件封接玻璃材料的性能,采用固相烧结法制备了B2O3-ZnO-CaO无铅电子封接玻璃材料,并研究了其成分与性能的关系。结果表明:当w(B2O3)为45%,w(ZnO)为34%,w(CaO)为10%,w(Na2O)为2%,w(K2O)为3%,其他成分为质量分数6%时,可制得一种封接温度低于600℃,tk–100≥300℃,击穿场强≥23×106V/mm,线膨胀系数为≤7.0×10–6,抗折强度在117.65～146.57MPa的低熔点无铅电子封接玻璃材料。

陶瓷与金属电子器件的绿色活性封接技术

陶瓷与金属的连接是电子产品生产的关键环节。由于陶瓷和金属的物化、力学性能上存在巨大差异,对连接技术要求非常苛刻。通过对陶瓷与金属的常用连接方法的比较分析,提出了一种绿色活性电子器件封接技术,该技术能够在空气中不使用任何焊剂连接陶瓷与金属以及其他非金属组合,具有广泛的应用前景。通过对陶瓷与金属封接接头的力学测试和微观观察发现,接头剪切强度超过30MPa,连接界面良好;表明形成了性能和质量优良的钎焊接头。

封接用Mo—Cu复合材料研究

通过扫描电镜及X射线衍射等对Mo-Cu复合粉末的粉末形貌、合金化程度及烧结后合金组织结构进行分析，研究了高能球磨后Mo-Cu复合材料的显微组织及其与陶瓷热膨胀性能匹配的关系。结果表明，采用高能球磨机械合金化和氢气烧结的工艺制备的Mo—Cu复合材料，相对密度在98％以上，在室温～700℃热膨胀系数与陶瓷差值在8％左右。