多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体局域态密度影响的研究

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面内多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,而在杂质点附近由于杂质的存在产生零能量诱导峰,同时超导相干峰受到强烈抑制。随着杂质间距的增大,杂质点附近超导相干峰受到的抑制逐渐变小,同时零能量诱导峰的强度也随着变小。

CuO_2平面外非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面外单个非磁性杂质对gossamer超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,在杂质点附近平面外的非磁性杂质使超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而在杂质点附近由于平面外的杂质势没有被有效屏蔽而导致CuO2平面内电子的分布在纳米尺度上存在着明显的不均匀性。

非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程对CuO2平面外和平面内同时存在非磁性杂质时对gossamer超导体电子局域态密度的影响进行了研究。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性。当平面内杂质不是很强时,平面外杂质使其附近超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而由于平面内外同时存在的杂质而导致CuO2平面内电子的分布在更大范围内在纳米尺度上存在着显著的不均匀性。

夹心双核茂合物Cp_2M_2(M=Zn/Cu/Ni)几何和电子结构的第一性原理研究

使用基于密度泛函理论(DFT)的DMOL3程序包,研究了双金属茂合物Cp2M2(M=Zn/Cu/Ni)的几何结构及电子结构。结果表明:不同夹心原子对体系几何结构的影响微弱;Zn/Cu/Ni茂合物的电子局域态密度(LDOS)在费米能级(Ef)处起主要作用的是d轨道电子;随夹心原子Zn/Cu/Ni原子序数的降低Zn/Cu/Ni茂合物最低非占据轨道和最高占据轨道的差值(LUMO-HOMO)逐渐降低。

H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系。H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化。利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸附前后这些位置的LDOS并阐明了产生这些变化的原因,又测量获得了表面单分子Si-H化学键的振动和摆动模式。

纳米碳管异质结的结构及其电学性质

研究碳管内缺陷的结构以及对碳管电子结构的影响 ,并且对碳管内异质结的构型进行了初步研究 ,发现可以用简单方法将不同螺旋的两种碳管连接 .

表面等离极化激元对电荷输运影响的自洽场理论研究Ⅱ——MIM体系分子轨道场的计算与分析

采用自洽场方法计算MIM体系在电场作用下分子场系数、态密度和局域电子态密度的变化 .结果表明 ,分子场系数分布呈现弦函数形式 ;随电场增大 ,能带向深能量延伸并且能级峰间分离的更明显 ,以及构成电流通道的 3dm群原子轨道交叠态的重叠量增大 ,提高了电荷输运的能力 .该分析为探讨SPP对电荷输运影响的建立奠定了基础 .