TOF电子能谱仪抛物面电子反射镜参数计算

针对TOF电子能谱仪抛物面电子反射镜的参数问题 ,依据电磁理论和Reflect -Grid模型 ,通过合理的近似和简化 ,对抛物面电子反射镜的电场分布和电子收集效率进行了理论计算 ,对电子在其中的飞行轨迹进行了模拟 .结果表明 ,抛物网有无偏置电压对电子的收集效率有很大影响 ,当偏置电压为 70 0V时 ,电子收集效率比无偏置电压时高 6 0～ 80倍 ,理论计算为 10 0倍 ,二者基本相符 。

表面钝化膜对BCMOS传感器电子敏感特性影响的实验研究

基于硅表面的薄膜钝化原理,开展了不同厚度的表面钝化膜对背减薄CMOS(Back-thinned CMOS,BCMOS)传感器电子敏感特性影响的实验研究。首先,对CMOS传感器进行背减薄处理后,对背减薄CMOS进行电子轰击测试,由测试结果可知,电子图像灰度随入射电子能量的变化呈现出线性关系。然后,采用电子束蒸镀法在BCMOS传感器表面镀制了不同厚度的氧化铝薄膜,并进行了电子轰击测试。研究发现,当表面氧化铝薄膜厚度为20 nm时,可以将BCMOS传感器的二次电子收集效率提高14.9%,通过表面薄膜钝化实现了电子敏感性的提升,同时,随着薄膜厚度的增加,BCMOS暗电流由1510 e-/s/pix减小至678 e-/s/pix。上述结果说明,氧化铝薄膜对BCMOS背减薄表面具有良好的钝化作用,可以提高BCMOS传感器的二次电子收集效率、降低暗电流,为将来高灵敏度EBCMOS器件的研制提供了技术支撑。