低碳钢中纳米尺度沉淀相的透射电子显微术研究(英文)

本文用电子显微镜技术对CSP工艺生产的普通低碳钢进行了研究 ,实验结果表明在试样中形成了大量细小的弥散沉淀粒子 ,电子衍射与XEDS分析证实这些沉淀是具有尖晶石结构的氧化铁以及硫化物 ,氧化物尺寸在 2 0nm以下 ,大量分布在晶界和位错上。晶界上还有尺寸在 1 0 0～ 4 0 0nm左右的硫化物粒子。这些沉淀使低碳钢的强度提高近一倍 。

透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(112-0)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向。

取向成像电子显微术试样的制备

鉴于电子背散射(EBSD)试样的制备质量对其成像质量有着很大影响,介绍了几种有效的试样制备方法,并对比了几种抛光方法及其成像效果。

利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究

利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型。

Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．

伊毛缟石在我国的首次发现及其分析电子显微术研究

伊毛缟石是一种具有纤维状形态的类晶质水化铝硅酸盐矿物。本文对我国首次发现于福建郭山风化型高岭土矿床中的伊毛缟石用分析电子显微术进行了矿物学研究。研究结果表明,在透射电镜下,伊毛缟石呈长数μm,宽60—250的似线状或纤维状,这是它最重要的矿物学特征之一。选区电子衍射分析给出d_(42)=3.30、d_(04)=2.10和d_(06)=1.40三个比较(氵弥)散的衍射环所表征的典型伊毛缟石衍射花样。其化学成分主要由SiO_2、Al_2O_3和H_2O组成。

电子显微术在原位金属基复合材料界面研究中的应用

原位金属基复合材料的增强颗粒是在基体中原位生成,因而增强颗粒和基体间不存在界面反应,两者间为直接的原子结合。界面对原位金属基复合材料的性能有着重要的影响。本文综述了扫描电子显微镜、普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜和电子能量损伤谱仪等现代电子显微技术在原位金属基复合材料界面研究中的应用及部分研究结果。利用现代电子显微技术和先进的实验方法在原子尺度上对界面的精细结构、结合方式、界面缺陷、界面稳定性及其影响因素等进行研究,从而在较深的层次上认识原位金属基复合材料的界面,对在该领域做进一步研究探讨起到促进作用。

取向成像电子显微术

本文介绍了取向成像电子显微术的定义、原理、实验方法及在材料科学研究中的应用。

电子显微术对材料科学的新贡献:纳米碳管的发现和研究概况

1991年科学家首次发现了在石墨电极直流电弧放电中生成的直径仅在纳米量级的由纯碳原子构成的纳米碳管。其独特的由石墨面卷曲而成的中空圆柱形一维晶体结构不仅丰富了人们对碳物质的了解,而且其潜在的应用价值也将给纳米材料科学领域带来极大的影响。本文概略地介绍了纳米碳管的发现过程和国际上的一些研究成果。着重显示了电子显微术特别是高分辨电子显微术在整个发现和结构确定过程中的突出作用。同时也将简要地介绍纳米碳管的生产,物理性质及应用前景方面的研究。

材料表面的高分辨电子显微术

本文在介绍用透射电子显微镜研究材料表面的几种模式的基础上,用研究实例说明这些技术在金属、氧化物材料中的应用。研究实例包括金属钯和氧化铕中表面上的不全位错及层错;电子束照射诱生的表面氧化物结构及取向;表面超结构的直观原子象及分析。

用弹道电子显微术研究 Co-Ti-Si系统的退火温度对 CoSi_2/Si势垒不均匀性的影响(英文)

通过在硅 (10 0 )衬底上淀积的 Co(3nm ) /Ti(1nm )双金属层在不同退火温度下的固相反应 ,在硅衬底上制备了超薄外延 Co Si2 薄膜 .在低温下 ,用弹道电子显微术 (BEEM)及其谱线 (BEES)测量了 Co Si2 /Si接触的局域肖特基势垒高度 .对于 80 0℃退火的 Co Si2 /Si接触 ,势垒高度的空间分布基本符合高斯分布 ,其峰值在 5 99me V,标准偏差为 2 1me V.而对于 70 0℃退火样品 ,势垒高度分布很不均匀 ,局域的势垒高度值分布在 15 2 me V到 870 m e V之间 ,这可归因于 Co Si2

电子显微术在材料研究中的应用

列举了应用电子显微术———选区电子衍射和成像、高分辨电子成像和电子能量损失谱研究两种材料的例子。电子衍射和相关理论的计算结果表明,0.2%碳钢经923K,5.5h碳氮共渗油淬后的化合物层是ε Fe2 3(N,C),而不是ε Fe2(N,C)和ε Fe3(N,C);经523K,2h时效后化合物层中的"灰区"析出几纳米尺度的γ′ Fe4N是化合物层硬化的原因。高分辨电子成像和电子能量损失谱揭示了高温磁控溅射41%FeCo(体积分数,下同) Al2O3颗粒膜两步相分离的演变过程及其对巨磁电阻的影响。

电子显微术研究含铈铁铬合金的氧化行为

利用SAM，XPS和SEM技术，研究含铈的铁-18铬合金的氧化膜的形貌特征，测定每间隔数个纳米的不同深度的氧化层的组分，分析它的结构状态．动态分析结果，获得了铬向外迁移、改变氧化膜成分和结构、以及铈向界面扩散和偏聚的试验数据．根据结果进一步探讨了添加微量元素林对合金元素铬在氧化过程中扩散的影响．

研究有序材料的分析电子显微术的一些方法

有序材料的一些特殊的结构参数与性能有着直接的联系。本工作主要叙述利用分析电子显微术的方法作有序材料中局域化的有序度测定;合金化元素占据主元素点阵位置占有率的测定及各向异性的电势分布测定。1.局域化的有序度测定本工作介绍两种方法,并以实例说明。其一是采用透射电子显微镜微衍射的方法。其原理是有序结构在衍射谱上的主要标志是超结构线,超结构线强度与基体衍射线强度之比值的变化反映了有序度的变化。以IC—218合金为例,200kV加速电压,电子束斑直径6nm,试样厚度为100nm,发现该试样中小角晶界附近存在一个约20nm的无序区。

互补的微分析方法—扫描电子显微术和扫描探针显微术

本文介绍扫描电子显微术 (SEM)和扫描探针显微术 (SPM)这两种最常用的微分析方法的新进展。简述了它们各自的构成、工作原理。

PbO中层错及共生氧化物的电子显微术研究

在含于磁铁矿中的四方对称结构氧化铅中观察到柏格斯夫最为2／11（310）的｛110｝层错。这些层错平行排列并相互交截、穿插形成沿（100）方向的调制结构，调制波的平均波长约为100nm；同时，由多相共生区域的选区电子衍射图测定了磁铁矿中四方和正交氧化铅及方铁矿的取向关系。

利用电子显微术研究金属间化合物中的一些问题

金属间化合物具有有序固溶体的特征,即具有简单的原子理想配比关系。对于金属相一般情况下,这些简单比例关系与价的比例关系不符合,但却必须与在晶体点阵中,原子呈有序排列时的各种固定位置种类的比值相符合。由于它的结构特点,使金属间化合物具有某些特殊性能和用途。本工作介绍我们如何利用分析电子显微术来研究某些金属间化合物中的一些问题: 1.

纵断面电子显微术研究离子注入GaAs表面

本文用纵断面电子显微术研究了离子注入半绝缘GaAs注入层表面,发现注入层表面出现缺陷与包封材料、退火条件及方式有关,讨论了缺陷成因及不同包封材料对注入层和器件特性的影响。

低电压扫描电子显微术

低电压扫描电子显微术是研究半导体、绝缘体和生物材料的有效方法。本文综述了这种方法的优点、限制和关于扫描电镜的改进,并且提供了实际操作的某些要领。