化学放大胶在电子束光刻技术中的应用

化学放大胶(ChemicallyAmplifiedResists,简称CARs)是下一代光刻技术中极具发展潜力的一种光学记录介质。介绍了化学放大胶在电子束光刻技术中图形制作工艺的关键步骤以及目前常用的几种化学放大胶,分析了将化学放大胶用于电子束曝光工艺应注意的问题和它将来的发展趋势。

电子束光刻技术与ICP刻蚀技术的研究

在微电子集成领域当中,电子束光刻技术和ICP刻蚀技术是十分重要的技术,能够通过一系列的生产步骤,去除晶圆表面薄膜的特定部分,并在晶圆表面留下微圆形结构的薄膜。光刻与刻蚀技术的应用,对于微电子集成的生产和优化具有重要的作用,因而得到了十分广泛的应用。基于此,本文对电子束光刻技术和ICP刻蚀技术进行了研究,以期能够为这一领域的发展做出贡献。

电子束纳米光刻技术研究

纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用 ,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统 ,经过工艺研究 ,现已研究出最细分辨率剥离金属条为 17nm ,最小剥离电极间距为 10nm ,最细T型栅为 10 0nm。

麻省理工学院将电子束光刻推进至9纳米

麻省理工学院（MIT）的研究人员们宣称已经开发出了一种新技术，能将用于芯片图案蚀刻的高速电子束光刻的分辨率尺度推进到9nm（纳米），远远超出人们此前的预想。MIT表示新发现将会大大延长电子束光刻技术在半导体制造业中的寿命。MIT透露，他们的这次突破主要得益于两点，一是使用更薄的绝缘层来尽量避免电子散射，二是使用特殊材料对接收电子较多的区域进行了加固。

纳米光刻技术现状与进展

随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础。纳米光刻技术是制作纳米结构的基础,具有重要的应用前景。文章介绍了几种极有潜力的下一代纳米光刻技术,包括极紫外光刻技术、电子束光刻技术、纳米压印光刻技术的新途径、发展现状和关键问题,最后讨论了纳米光刻技术的应用前景。

电子束在微/纳制造中的应用进展

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。介绍了近年来电子束光刻技术的研究进展及其在微%纳器件研制中的重要作用。

德国研究人员利用光刻技术首次绘出银纳米结构

德国柏林亥尔姆茨材料和能源研究中心与德国联邦材料测试与研究机构合作，首次在银材料基底上绘制出了光刻纳米结构，为未来光计算机数据处理、新型电子器件制造开辟了新的途径。电子束光刻技术能够在材料表面制作精细结构图样，已成功应用于制作铂、金、铜等金属材料的纳米结构。

下一代光刻技术(NGL)永无登场之日吗?

最近Semiconductor International与里德调研公司合作,向光刻工作者调查了对下一代光刻技术的要求与前景展望。果然不出所料,受访者似乎十分愿意尽可能延长使用光学光刻技术。

下一代光刻技术

本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析,重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子束光刻技术等的原理、现状和优缺点,并展望了未来数十年的主流光刻技术。

硅单电子晶体管的制造及特性(英文)

报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管 .特别是 ,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流 -电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应 .器件的总电容约为 9.16 a F.在 77K工作温度下 ,也观测到明显的电流

微细加工技术与设备

TN305.7 2000042939迈向21世纪的光刻技术=Microlithography technologiesmarching toward 21st century[刊,中]/姚汉民,周明宝,田宏(中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室.四川,成都(610209))//光电工程.-1999,21(1).-1-8介绍了深紫外光刻技术、电子束光刻技术、X射线光刻技术以及与这些技术相关的一些单元技术的最新进展。介绍了这些技术最热门的研究课题,阐述了这些技术的发展前景。图6表4参5(吴淑珍)

钛酸钠纳米线的电传输特性研究

利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。分别在大气和真空两种环境下测量了该器件的电学特性,发现器件所处的气体环境可以影响其电传输特性,这可能是由于纳米线表面的氧分子吸附造成的。另外,还研究了紫外光(UV)照射纳米线对器件电学特性的影响,发现紫外光可以使纳米线产生很大的光电导。研究表明上述纳米器件可用作气体探测器和光电探测器。

简单低成本制造高性能挠性晶体管

威斯康星大学麦迪逊分校的工程师们开发了一种简易、便宜地在挠性塑料上成卷制造高性能晶体管的方法。此方法是在聚酯膜上覆有单晶硅和掺杂剂合成材料，用纳米压印工艺形成晶体管电路图形。可重复使用的纳米压印模具是用一种称为电子束光刻技术，在光致抗蚀剂形成一个纳米级图案，线路细致10纳米宽度。

荷兰能源研究中心开发非晶硅塑料薄膜取得新进展

荷兰能源研究中心主持，开发出使用塑料作为基片衬底的新型非晶硅和微晶硅薄膜，投资研究如何在电池块后侧生成光线分散纹理。纳米大小的纹理制造也应用了半导体行业的电子束光刻技术等方法，但电子束光刻技术可能仅用于开发“主要”电池结构。上述方法还将与全息行业中使用的大规模生产方法相结合。

本期摘要

电子束光刻三维微结构的模拟仿真 注：江苏省前瞻性联合研究项目（No．BY2015070-06） 作者：鲍先同,幸研 单位：东南大学,江苏南京211189 摘要：利用电子束光刻技术，在正性光阻上加工三维微结构。为了模拟预测微结构的表面轮廓,需要建立电子束光刻模型。通常有两种方法建立能量沉积模型,获得能量密度分布函数,分别是随机函数方法和近似函数方法。对能量密度分布函数作线性处理,设计加工三维微结构。

美开发无缺陷半导体纳米晶体薄膜可用于新领域

据报道．美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料．可广泛地应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在《纳米快报》杂志的网络版上。

美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜

美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料,可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。

美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜

美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。