电介质/半导体结构样品电子束感生电流瞬态特性

电子束照射下电介质/半导体样品的电子束感生电流(electron beam induced current,EBIC)是其电子显微检测的重要手段.结合数值模拟和实验测量,研究了高能电子束辐照下SiO2/Si薄膜的瞬态EBIC特性.基于Rutherford模型和快二次电子模型研究电子的散射过程,基于电流连续性方程计算电荷的输运、俘获和复合过程,获得了电荷分布、EBIC和透射电流瞬态特性以及束能和束流对它们的影响.结果表明,由于电子散射效应,自由电子密度沿入射方向逐渐减小.由于二次电子出射,净电荷密度呈现近表面为正、内部为负的特性,空间电场在表面附近为正而在样品内部为负,导致一些电子输运到基底以及一些出射二次电子返回表面.SiO2与Si界面处俘获电子导致界面附近负电荷密度高于周围区域.随电子束照射样品内部净电荷密度逐渐降低,带电强度减弱.同时,负电荷逐渐向基底输运,EBIC和样品电流逐渐增大,电场强度逐渐减小.由于样品带电强度较弱,表面出射电流和透射电流随照射基本保持恒定.EBIC、透射电流及表面出射电流均随束流呈现近似正比例关系.对于本文SiO2/Si薄膜,透射电流随束能的升高逐渐增大并接近于束流值,EBIC在束能约15 keV时呈现极大值.

电子扫描深能级瞬态谱（SDLTS）测量系统及其应用

本文报导了在ＪＸＡ—３Ａ电子探针上，研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微动低温样品台以及超慢速电子来扫描装置，配置Ｂｏｘｃａｒ平均器。成功地开发了电子束扫描深能级瞬态谱测量系统，它的温度范围为８０—４５０Ｋ，空间分辨率约１０μｍ，测量稳定度为１．５％。对ＧａＡｓ和Ｓｉ中的深能级及其空间分布进行了测量，并与其结构缺陷进行了对比研究。

GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究

本文论述了用扫描电子显微镜研究GaP LPE半导体材料,二次电子像用于分析样品的表面形貌,电子束感生电流像(EBIC)用于显示p-n结的位置,定量EBIC用以确定少子扩散长度和表面复合速度等重要参量。

EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度

应用扫描电子显微镜 (SEM )对GaP半导体材料的 p n结进行线扫描 ,得到电子束感生电流 (EBIC)的线扫描曲线 .给出一简单模型 ,对GaP样品n区的EBIC线形进行计算 ,拟合实验曲线 。

分子束外延生长ZnSe p-n结的蓝色电致发光

利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe的掺杂剂。电子束感生电流(EBIC)的结果有力地证实了p-n结的形成。室温下46(?)0(?)和77K下44600的带边发射在p-n结的电致发光光谱中占主导地位。