21世纪微电子光刻技术

介绍了２４８ｎｍ，１９３ｎｍ。

21世纪的光刻技术

当前世界半导体工业按照摩尔定律,以快速发展的势头向21世纪,光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大,制造成本越来越高。到2000年0.18μm工艺、300mm硅片的技术将完全进入规模化大生产阶段。在不远的将来,微电子设备的发展将达到传统光学方法的分辨率极限,光学光刻曝光波长将由i线向深紫q外迈进。现在在0.25μm—0.35μm生产阶段。

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及 193nm、 157nm光学光刻技术和电子束投影光刻 (SCALPEL)、X -射线光刻 (XRL)离子投影光刻 (IPL)等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。