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高频振荡下缓慢前沿的电子束电流波形测量
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作者 周军 耿松 +7 位作者 刘万东 李弘 谢锦林 兰涛 刘阿娣 付宸硕 朱逸伦 涂翠 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2877-2881,共5页
推导了Rogowski线圈理论,给出了任意Rogowski线圈的表达式。通过使用高磁导率的磁芯材料,增加线圈匝数,设计出了能有效测量前沿变化0.1s、强度mA量级的电子束电流的Rogowski线圈,并测得了电子束等离子体装置中的电子束电流信号。利用推... 推导了Rogowski线圈理论,给出了任意Rogowski线圈的表达式。通过使用高磁导率的磁芯材料,增加线圈匝数,设计出了能有效测量前沿变化0.1s、强度mA量级的电子束电流的Rogowski线圈,并测得了电子束等离子体装置中的电子束电流信号。利用推导的任意Rogowski线圈表达式,成功获得低频与高频共存的电流波形。测量结果表明,该电子束等离子体系统中存在束流振荡,振荡幅度达12%。 展开更多
关键词 电子束等离子体 电子束电流 高频振荡 ROGOWSKI线圈
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电介质/半导体结构样品电子束感生电流瞬态特性
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作者 李维勤 霍志胜 蒲红斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期17-26,共10页
电子束照射下电介质/半导体样品的电子束感生电流(electron beam induced current,EBIC)是其电子显微检测的重要手段.结合数值模拟和实验测量,研究了高能电子束辐照下SiO2/Si薄膜的瞬态EBIC特性.基于Rutherford模型和快二次电子模型研... 电子束照射下电介质/半导体样品的电子束感生电流(electron beam induced current,EBIC)是其电子显微检测的重要手段.结合数值模拟和实验测量,研究了高能电子束辐照下SiO2/Si薄膜的瞬态EBIC特性.基于Rutherford模型和快二次电子模型研究电子的散射过程,基于电流连续性方程计算电荷的输运、俘获和复合过程,获得了电荷分布、EBIC和透射电流瞬态特性以及束能和束流对它们的影响.结果表明,由于电子散射效应,自由电子密度沿入射方向逐渐减小.由于二次电子出射,净电荷密度呈现近表面为正、内部为负的特性,空间电场在表面附近为正而在样品内部为负,导致一些电子输运到基底以及一些出射二次电子返回表面.SiO2与Si界面处俘获电子导致界面附近负电荷密度高于周围区域.随电子束照射样品内部净电荷密度逐渐降低,带电强度减弱.同时,负电荷逐渐向基底输运,EBIC和样品电流逐渐增大,电场强度逐渐减小.由于样品带电强度较弱,表面出射电流和透射电流随照射基本保持恒定.EBIC、透射电流及表面出射电流均随束流呈现近似正比例关系.对于本文SiO2/Si薄膜,透射电流随束能的升高逐渐增大并接近于束流值,EBIC在束能约15 keV时呈现极大值. 展开更多
关键词 数值模拟 电子束感生电流 俘获 输运
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用电子束生电流像观测PN结的形貌
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作者 刘岩 高博静 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 1991年第2期62-64,11,共4页
本文介绍了利用SEM的EBIC像和SE像观测PN结的全部形貌的理论和方法,对PN结的结深、结宽做了精确的测量,给出了EBIC像和SE像的叠加像。
关键词 电子束电流 PN结 半导体 SEM
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电子束吸收电流表征方法在芯片失效分析中的应用 被引量:1
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作者 虞勤琴 庞凌华 于会生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期244-248,共5页
随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于... 随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于芯片同层分析。电子束吸收电流(EBAC)表征方法由于其定位精准且不局限于同层分析被越来越多地应用于先进制程芯片的失效分析。通过对开路、高阻和短路失效样品的分析,体现了EBAC方法在集成电路芯片失效分析中的独特优势,在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC方法更加简便精确,可保证分析的成功率并缩短分析周期。 展开更多
关键词 电子束吸收电流(EBAC) 失效分析 芯片 电压衬度 微光显微镜
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电子束发射器
5
作者 李鑫德 《稀土信息》 1998年第2期13-13,共1页
电子束离子源需要数量级高达10~3A/cm^2的电子束电流密度。这可用对电流密度较低的阴极电子束进行聚焦的办法来获得。但是,在外部磁场强度很高的情况下。
关键词 电子束发射 电流密度 电子束离子源 阴极电子束 电子束电流 阴极材料 需要数量 逸出功 行聚焦 外部磁场
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电子扫描深能级瞬态谱(SDLTS)测量系统及其应用
6
作者 李成基 李韫言 《分析测试技术与仪器》 1995年第2期1-6,共6页
本文报导了在JXA—3A电子探针上,研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微动低温样品台以及超慢速电子来扫描装置,配置Boxcar平均器。成功地开发了电子束扫描深能级瞬态谱测量系统,它的温度范围为80—450K... 本文报导了在JXA—3A电子探针上,研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微动低温样品台以及超慢速电子来扫描装置,配置Boxcar平均器。成功地开发了电子束扫描深能级瞬态谱测量系统,它的温度范围为80—450K,空间分辨率约10μm,测量稳定度为1.5%。对GaAs和Si中的深能级及其空间分布进行了测量,并与其结构缺陷进行了对比研究。 展开更多
关键词 深能级 低温样品架 电子束感生电流 SDLTS
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GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究
7
作者 李永良 杨锡震 +1 位作者 李桂英 王亚非 《现代仪器使用与维修》 1998年第3期18-20,共3页
本文论述了用扫描电子显微镜研究GaP LPE半导体材料,二次电子像用于分析样品的表面形貌,电子束感生电流像(EBIC)用于显示p-n结的位置,定量EBIC用以确定少子扩散长度和表面复合速度等重要参量。
关键词 二次电子 电子束感生电流 磷化镓 SEM 半导体
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相对论速调管放大器一维非线性理论的数值分析 被引量:4
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作者 何琥 黄华 雷禄容 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期21-24,共4页
给出了相对论速调管放大器中归一化调制电流和电子束动能的积分微分方程,基于MATLAB平台编程并采用递推法、中心差分法、梯形积分法等数值计算方法计算了归一化束电流和电子束动能随归一化距离的关系,以及反映电荷守恒的归一化因子。最... 给出了相对论速调管放大器中归一化调制电流和电子束动能的积分微分方程,基于MATLAB平台编程并采用递推法、中心差分法、梯形积分法等数值计算方法计算了归一化束电流和电子束动能随归一化距离的关系,以及反映电荷守恒的归一化因子。最后计算了调制电流的n次谐波的模式强度随归一化距离的变化。 展开更多
关键词 自洽的非线性理论 积分微分方程 电子束电流 电子束动能 模式强度
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铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究 被引量:10
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作者 陈君 杨德仁 席珍强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期364-368,共5页
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ... 利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ>10°),且以特殊晶界Σ3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(tθ>10°)。EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。 展开更多
关键词 铸造多晶硅 电子束背散射衍射 电子束诱生电流 晶界
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用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结 被引量:3
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作者 孙祥乐 高思伟 +7 位作者 毛渲 龚晓霞 余黎静 宋欣波 柴圆媛 尚发兰 信思树 太云见 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期742-749,共8页
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本... 能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。 展开更多
关键词 电子束诱生电流 肖特基结 P-N结 InSb半导体器件
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EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度
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作者 李永良 杨锡震 +1 位作者 周艳 王亚非 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期62-65,共4页
应用扫描电子显微镜 (SEM )对GaP半导体材料的 p n结进行线扫描 ,得到电子束感生电流 (EBIC)的线扫描曲线 .给出一简单模型 ,对GaP样品n区的EBIC线形进行计算 ,拟合实验曲线 。
关键词 少子扩散长度 表面合速度 电子束感生电流 半导体材料 磷化钙 P-N结 测定 EBIC线型
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Improvement of Wear Resistance of Magnesium Alloy AZ91HP by High Current Pulsed Electron Beam Treatment 被引量:2
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作者 GAOBo HAOSheng-zhi +3 位作者 ZOUJian-xin JIANGLi-min ZHOUJI-yang DONGChuang 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第05B期1029-1031,共3页
Surface modification of magnesium alloy AZ91HP (9wt%Al, 0.5wt%Zn, 0.5wt%Mn, Mg remaining percentage) by high current pulsed electron beam (HCPEB) treatment was studied in this paper. The secondary phase MgnAln is near... Surface modification of magnesium alloy AZ91HP (9wt%Al, 0.5wt%Zn, 0.5wt%Mn, Mg remaining percentage) by high current pulsed electron beam (HCPEB) treatment was studied in this paper. The secondary phase MgnAln is nearly completely dissolved and as a result, a super-saturated solid solution forms on the re-melted surface. The microhardness is increased both in and far beyond the heat-affected zone (HAZ), reaching about 250um. Measurements on sliding wear have shown that the wear resistance of the treated samples was improved by a factor of about 2.4 as compared to the as-received sample. It is also found that the sliding wear resistance can be further improved by surface alloying with TiN. 展开更多
关键词 镁合金 HCPEB 磨损性能 AZ91HP 表面改性 电流脉冲电子束
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外延晶体硅薄膜电池的EBIC与SR-LBIC特性分析
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作者 梁宗存 沈辉 +1 位作者 许宁生 S.Reber 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期35-39,共5页
电子束诱导电流(EBIC:Electron Beam Induced Current)是研究晶体缺陷(如晶界、位错、沉淀等)复合特性的一种有力工具.该文对以颗粒硅带为衬底的晶体硅薄膜电池表面及电池截面的晶体缺陷、特别是对晶界的复合行为进行了研究.电池表面EBI... 电子束诱导电流(EBIC:Electron Beam Induced Current)是研究晶体缺陷(如晶界、位错、沉淀等)复合特性的一种有力工具.该文对以颗粒硅带为衬底的晶体硅薄膜电池表面及电池截面的晶体缺陷、特别是对晶界的复合行为进行了研究.电池表面EBIC照片表明复合中心位于晶界处,在小颗粒集中区域复合越强.截面的EBIC结果表明在颗粒晶界处分别有着强弱复合,与晶界处强的复合行为相比,颗粒内部没有或仅有比较弱的复合行为发生.靠近电池表面处的颗粒晶界和颗粒内部复合行为由于H钝化得到减弱,少数载流子扩散长度随深度的增加而降低.光谱决定的光束诱导电流(SR-LBIC)表明扩散长度在整个电池表面是不均匀的,最大扩散长度与外延层厚度相当. 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 电子束诱导电流(EBIC) 晶界 复合
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分子束外延生长ZnSe p-n结的蓝色电致发光
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作者 邱建华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期20-24,共5页
利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe... 利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe的掺杂剂。电子束感生电流(EBIC)的结果有力地证实了p-n结的形成。室温下46(?)0(?)和77K下44600的带边发射在p-n结的电致发光光谱中占主导地位。 展开更多
关键词 ZNSE 电致发光 分子束外延生长 光致发光光谱 电子束感生电流 掺杂剂 电子杂质 光学特性 发射峰 氧离子
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Evolution of surface microstructure of Cu-50Cr alloy treated by high current pulsed electron beam 被引量:7
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作者 CHAI LinJiang ZHOU ZhiMing +3 位作者 XIAO ZhiPei TU Jian WANG YaPing HUANG WeiJiu 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期462-469,共8页
A Cu-50Cr alloy was treated by the high current pulsed electron beam(HCPEB)at 20 and 30 ke V with pulse numbers ranging from 1 to 100.Surface morphologies and microstructures of specimens before and after the treatmen... A Cu-50Cr alloy was treated by the high current pulsed electron beam(HCPEB)at 20 and 30 ke V with pulse numbers ranging from 1 to 100.Surface morphologies and microstructures of specimens before and after the treatments were investigated by employing scanning electron microscopy and X-ray diffraction.Results show that the HCPEB technique is able to induce remarkable surface modifications for the Cu-50Cr alloy.Cracks in Cr phases appear even after one-pulse treatment and their density always increases with the pulse number.Formation reason for these cracks is attributed to quasi-static thermal stresses accumulated along the specimen surface.Craters with typical morphologies are formed due to the dynamic thermal field induced by the HCPEB and they are found to prefer the sites near cracks or boundaries between neighboring Cr phases.Another microstructural characteristic produced by the HCPEB is the fine Cr spheroids,which are determined to be due to occurrence of liquid phase separation in the Cu-50Cr alloy.Finally,a general microstructural evolution profile that incorporates various HCPEB-induced surface features is tentatively outlined. 展开更多
关键词 Cu-Cr alloy MICROSTRUCTURE surface modification electron beam
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