利用质子能损诊断部分电离等离子体靶中的束缚电子密度

部分电离等离子体是惯性约束聚变燃料及天体等离子体中的重要组成部分,该等离子体的输运及流体力学等性质受到束缚电子的显著影响,然而当前基于光谱学的技术手段难以对其进行高精度诊断.本文基于中国科学院近代物理研究所低能离子束与等离子体相互作用实验平台,精确测量了100 ke V质子束穿过部分电离氢等离子体靶后的能损,该能损是质子同靶区内自由电子与束缚电子碰撞共同作用的结果.利用已有的能损理论模型,结合激光干涉诊断获得的自由电子密度信息,最终得到了部分电离氢等离子体靶中沿离子路径上的束缚电子密度,并给出了该等离子体的离化度参数.该离子束诊断技术具有在线、原位、分辨率高等优势,为解决部分电离等离子体内部束缚电子密度的诊断问题提供了新的途径.

六角密积晶格中紧束缚电子的能带结构

本文采用紧束缚电子模型计算六角密积晶格的能带.结果表明,六角密积晶格的能带为特殊的复数形式,产生复能带的原因是由于其独特的晶格结构导致近邻原子的对称性破缺造成的.在倒空间k z=0的平面上,实部关于k x轴和k y轴对称,而虚部则只关于k y轴对称,关于k x轴不对称,这是由直角坐标空间六角密积晶格中次近邻的两个密排层原子的不对称性决定的.本文相关研究结果既是固体物理教学内容的拓展,同时也可为分析晶体材料相关物理性质提供理论依据.

电子-离子束缚态及其引发核聚变

在文献［１］关于电子－离子束缚态的基本概念的基础上，对电子－离子束缚态三体系统给出严格的薛定谔方程，给出能量的近似解：（１）对ｐ－ｅ－ｐ束缚态，释放单能Ｅｐ≈１２．５ｋｅＶ的Ｘ射线；（２）对Ｄ＋－ｅ－Ｄ＋束缚态，释放单能ＥＤ≈２５ｋｅＶ的Ｘ射线，同时引发少量的核聚变，放出γ、质子、中子、氚、３Ｈｅ和４Ｈｅ。这是两个独立发生的过程。以Ｎｉ－Ｈ和氘气辉光放电实验为例，用束缚态模型给出定量的解释。进而提出太阳耀斑发生过程中也包含电子－离子束缚态放射１２．５ｋｅＶ和２５ｋｅＶ两种Ｘ射线并引发少量核聚变的过程，给出了观测结果验证。

顺式聚乙炔单极化子能谱及电子束缚态

从ＳＳＨ模型和Ｈｕｂｂａｒｄ模型出发，讨论了顺式聚乙炔中单极化子能谱及电子束缚态。结果发现：ａ．禁带中出现了三个分立能级，其中的两个相当于已知的极化子能级，另一个是新出现的浅能级，它靠近能带边缘。ｂ．电子相互作用使极化子能谱的对称性被破坏，电子束缚态的位置发生了漂移，其正负自旋能级发生劈裂。

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格束缚态电子能级结构的理论研究

我们运用Kronig-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽,跃迁矩随超晶格的结构参量(阱宽、垒宽和Al组分)变化关系,以及子带能量色散关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小;影响带宽的较大因素是垒宽,随垒宽的增大,带宽逐渐减小;超晶格结构参量对跃迁矩的影响很小;随着Al组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;第一子能带随波矢的变化不是很明显,第二子能带随波矢变化比较明显.这些将对实验测量和器件应用有一定的参考价值和指导意义.

反式聚乙炔中孤子的新电子束缚态

在标准的 SSH模型中 ,加入非近邻电子跳跃作用 ,讨论了聚乙炔中孤子的能谱和电子束缚态。 在孤子能谱中 ,价带与导带之比η大于 1 ,电子空穴对称性消失 ,使理论与实验相符。 孤子的禁带宽度 2略有增加。 对于不同的孤子类型 ,其电子束缚态的数目、位置、局域性均不相同 :负电孤子只有两个分别位于禁带中央和导带底的电子束缚态 ;中性孤子存在 5个电子束缚态 ,与标准的 SSH模型相同 ;对于正电孤子 ,在导带顶还发现了一个新的电子束缚态 ,在其能谱中 ,共发现了 6个分立能级。

有限深半抛物量子阱中束缚电子态的本征能量与本征函数

采用数值求解和谐振子变换的方法,研究了一维有限深半抛物量子阱系统中的束缚电子态,得到了系统束缚电子态能量本征值与本征函数的严格解。研究结果对研究一维半抛物量子阱系统中的其它物理性质,如非线性光学性质等与束缚电子态相关的性质有重要意义。

束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响

分析了地球实验室环境下束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响,指出束缚电子的电荷屏蔽会使中微子诱导反应截面减小,在分析处理对原子或离子的电子俘获反应时,应考虑束缚电子的屏蔽效应,但Debey屏蔽近似处理失效,寻求另一个合理的电荷屏蔽表达式是非常重要的.

基于RMC程序的用康普顿轮廓进行束缚态电子多普勒展宽修正研究

堆用蒙特卡罗程序RMC具备中子、光子、电子耦合输运能力,能完成精确的屏蔽计算,其中光子输运过程采用光子数据库进行了康普顿散射模拟。本文对康普顿散射物理原理及多普勒展宽方法进行分析,使用康普顿轮廓数据对束缚态电子进行多普勒展宽修正,实现了RMC程序对自由电子和束缚态电子的选择性处理。通过核素算例测试,观察到了多普勒能谱展宽的效应,证明了该方法的正确性。通过对典型压水堆组件的计算和对比,验证了用康普顿轮廓进行束缚态电子多普勒展宽修正的必要性和正确性。

电子注中的束缚电子对

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.

参与光电效应的电子是束缚电子

光的粒子性的重要例证是光电效应。光电效应是光电子和固体中的电子相互作用,电子吸收光电子后能量增加而从固体中逸出。吸收光电子后的电子称光电子。那么固体中参与光电效应的电子处于什么状态呢?是处于自由状态,还是处于束缚态。对于这一问题由于教材和有关资料没有明确阐述,往往使初学者产生一种误解,认为是自由电子吸收光子能量而产生光电效应。

国务院发布《关于大力发展电子商务加快培育经济新动力的意见》,减少束缚电子商务发展的机制体制障碍,进一步发挥电子商务在培育经济新动力,打造＂双引擎＂、实现＂双目标＂等方面的重要作用

《意见》明确,到2020年,统一开放、竞争有序、诚信守法、安全可靠的电子商务大市场基本建成。电子商务与其他产业深度融合,成为促进创业、稳定就业、改善民生服务的重要平台,对工业化、信息化、城镇化、农业现代化同步发展起到关键性作用。《意见》提出，要营造宽松发展环境，降低准入门槛，合理降税减负，加大金融服务支持，维护公平竞争。要促进就业创业，鼓励电子商务领域就业创业，加强人才培养培训，保障从业人员劳动权益。此外，要推动转型升级，完善物流基础设施，提升对外开放水平，构筑安全保障防线，健全支撑体系。

电子陷阱对卤化银微晶感光过程的影响

根据成核 -生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用 ,着重于介绍如何优化电子陷阱密度和深度来降低复合以及成核点数目 ,从而达到提高潜影形成效率的目的 .

顺式聚乙炔中的次近邻电子相互作用

采用数值计算的方法,研究了次近邻电子跳跃作用对顺式聚乙炔(Cis-PA)的能谱、电子束缚态和双极化子附近的二维局域振动模的影响.与基本哈密顿的计算结果比较发现:Cis-PA能谱的电子-空穴对称性被解除,与实验结果相吻合;各种激发态的电子束缚态数目发生了改变,双极化子晶格附近的局域模的频率和数目都与次近邻电子跳跃作用有关.

利用自由电子产生辐射——理论和实验的进展

以往的激光器是由束缚电子的能级跃迁而产生相干辐射的。近几年发展起来的自由电子激光器,由电子的动能直接转化为相干辐射,是产生相干辐射的新技术,新途径。具有高效率,可调谐及可能获得大功率相干辐射等一系列优点。本文综述近年来这一领域中实验和理论的进展。

立方体AgBrCl硫增感光的电子行为

本文利用微波吸收相敏检测技术 ,同时获得了立方体AgBrCl乳剂中 ,在增感温度增加的条件下 ,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线 ,分析了不同的硫增感产物随增感温度增加所起的陷阱效应。结果表明 ,在立方体AgBrCl乳剂中 ,硫增感初始阶段的增感产物主要是作为浅电子陷阱存在 ;随着增感温度增加至5 5℃时 ,增感产物浅电子陷阱效果最佳 ;如增感温度进一步增加 ,硫增感中心又变为深电子陷阱。文中还讨论了浅电子陷阱中浅束缚光电子衰减时间与阱深的依存关系。

[NH_3(H_2O)_n]^-(n=2-4)团簇结构和电子结合方式研究

采用密度泛函理论B3LYP/6-311++g**方法对[NH3(H2O)n]-(n=2-4)团簇的结构和频率进行研究,从而得到[NH3(H2O)n]-(n=2-4)团簇的基态结构,得到的结构与Subha Pratihar等的研究一致.同时,文章还研究了水氨团簇的电子束缚方式和偶极矩,结果表明,在n=2时,电子束缚方式为表面束缚,而在n=3,4时,既有表面束缚方式,又有内部束缚方式.

自由电子不可能吸收光子而产生光电效应的论证

关于“光电效应”,许多普通物理教科书中只讲“电子吸收光子的能量而产生光电效应”,并未指明吸收光子能量的是自由电子还是束缚电子。下面就这个问题加以讨论。对处于辐射场中电子所组成的体系,在非相对论力学中用下列哈密顿量描述:

强激光场作用下部分离化等离子体的非线性极化

针对线偏振光场,提出一个原子极化模型。假设原子核为静止不动的正电背景,束缚电子不发生再电离,自由电子与离子也不发生复合,电子对电场的响应是瞬时的,并用旋转椭球来近似描述电子云的形状。通过此模型,可解析地计算出不同电离状态原子的第1阶线性和第3阶非线性极化率、相应的极化电流、以及极化介质(原子)的折射系数。在低场近似下,这些结果可自洽地过渡到传统的非简谐振子模型,并可得到对应的谐振子的固有频率和非线性系数。

关于金属介电常数的讨论

考虑金属中的电子位移极化,利用谐振束缚电子模型,导出了金属中相对介电常数的表达式,并讨论低频极限和高频极限两种重要的特殊情况,对关于金属介电常数的一些说法作出了解释,从而对金属介电常数有了更为全面的理解。