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电子束背散射在胶层中的能量沉积 被引量:2
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作者 张玉林 尹明 孙晓军 《微细加工技术》 2002年第1期6-9,26,共5页
模拟了散射电子在PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯 )电子束胶层中的能量沉积分布。在处理电子穿越衬底的边界时 ,采用了几率确定法 ,用以判断电子是否在界面处发生一次弹性散射。
关键词 电子束背散射 胶层 能量沉积
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铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究 被引量:10
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作者 陈君 杨德仁 席珍强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期364-368,共5页
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ... 利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ>10°),且以特殊晶界Σ3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(tθ>10°)。EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。 展开更多
关键词 铸造多晶硅 电子束背散射衍射 电子束诱生电流 晶界
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