用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作ITO膜及其性能研究

在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜 ,需要在低温及无损伤 (即避免离子轰击及热损伤等 )情况下进行。为满足此要求 ,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜 ,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究 ;对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测。最后 ,在PI衬底上获得高质量ITO膜 ,其可见光透过率超过90 % ,电阻率低于 5× 10 -4Ω·cm。

电子束净化烟道气的Monte-Carlo模拟

该文利用MonteCarlo方法,采用PENELOPE(PenetrationandEnergyLossofPositronsandElectrons)软件包,通过对电子束辐照烟道气物理过程的模拟,给出烟道气中的能量沉积分布.结果表明,二维Layer程序能用于气体的模拟,同时,也为加速器位置的设计提供了理论依据.

基于包络线法的薄膜光学常数分析

用电子束反应蒸发法制备了TiO2薄膜,以折射率和消光系数为主要性能指标,通过正交实验法确定了得到较优光学性能的工艺搭配。分析了基片温度、沉积速率和真空度对TiO2薄膜光学性能的影响。并通过所开发的膜系设计软件分析了在最佳工艺条件下制备的TiO2薄膜的透射率,用包络线法计算出了薄膜的折射率、厚度以及消光系数,与实测值有很小的差别,可以证明实测结果的正确性。

MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究

利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30～5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4～234.0nm。

Zn1-xCoxO晶体薄膜结构和铁磁特性

利用电子束反应蒸发法(REBE)在Si和石英玻璃衬底上生长Zn1-xCoxO晶体薄膜,衬底温度分别为250、350和500℃。对晶体的微结构特性进行研究,X-射线衍射(XRD)结果表明Zn1-xCoxO晶体薄膜在250℃有高度的c-轴取向;而且随着温度升高,出现更明显的多晶峰且峰值强度越来越强。紫外-可见光(UV-VIS)测量结果说明Co离子虽然部分替代Zn离子进入ZnO晶格里面,但并没有改变ZnO的纤锌矿结构。利用物理特性测量系统(PPMS)测得Zn1-xCoxO晶体薄膜M-H和M-T特性曲线来研究Zn1-xCoxO晶体薄膜的铁磁特性,结果显示Zn1-xCoxO薄膜是铁磁性的,而且居里温度在室温以上,这种特性使得Zn1-xCoxO有可能在自旋器件中得到广泛应用。

全固态薄膜锂电池及其阴极薄膜材料制备技术

电子产品小型化、微型化、集成化成为当今技术发展的大趋势,从而需要电池的微型化。微电池在未来便携式电子设备、国防装备及微电子机械系统(MEMS)等方面有着广泛的应用前景,受到人们的重视。文章介绍了全固态薄膜锂电池的原理和结构,以及阴极薄膜的制备技术,展望了全固态薄膜锂电池的应用前景。

纳米碳管的研究进展

本文对纳米碳管的结构、种类作了概括介绍;对纳米碳管的制备方法、纯化方法 及主要应用作了详细的综述;并对纳米碳管研究中存在的问题及今后发展趋势作了简单介绍。

ZnO基透明导电薄膜的生长技术

透明导电氧化物(TCO)金属导电性良好,可见光透过率较高,广泛应用于薄膜太阳能电池,OLED,LCDs,以及各种汽车应用(如防冻低热导率涂层、光控隐私玻璃等)。目前In2O3基薄膜的研究最为成熟,然而因为In材料稀有昂贵,越来越多的人转而研究ZnO基薄膜。本文报告ZnO基薄膜的研究现状。

新型柔性电路自我修复电极

瑞十科学家日前研制出了一种新型电路，可以应用于人体组织以及隐肜眼镜，具有微小、柔性、透明等特点这种电路被印在厚度仪为1mm的聚对二甲苯（parylene）上，采用电子束蒸发、原子层沉积，旋涂和射频溅射法沉积等技术制造，之后经过紫外线光刻和蚀刻来创建结构。研究人员称，“之所以选用parylene作为承载材料，是因为其能够适应150℃的高温，并且不会被大部分溶剂腐蚀。

中国团队设计LiPON涂层提升锂硫电池使用寿命

中国的一支研发团队通过对高能量密度锂硫电池的金属阳极进行调整,避免其生成固体电解质相界面膜(SEI)及锂枝晶的增生,该方式原理简单,可用于量产。该团队通过电子束反应蒸发氮等离子体辅助沉积,在锂金属阳极上涂覆了一层锂磷氧氮(LiPON)涂层。锂磷氧氮涂层可被用作一款高离子导电、化学性能稳定、坚固耐用的防护涂层,可抑制与有机电解质发生具有腐蚀性的化学反应,还能促进锂的电镀/喷涂,从而提升均匀性锂金属电芯的充放电的稳定性,不会生成锂枝晶,在电流密度为3mA/m^2时,实现900多次的电池充放电。

Gd/Si薄膜

稀土硅化物具有特殊的结构特征和电导率,因而可用作红外探测器的传感元件。稀土硅化物能使n-型硅的肖特基势垒最低（～0.4eV）,而使p-型硅形成肖特基接触。稀土硅化物形成反应中硅是控制扩散过程的组元,但反应机理尚未搞清楚。 匈牙利技术物理与材料科学研究所G.L.Molnar最近研究揭示了硅化钆形成的机理。钆薄膜与硅单晶基片之间的固相反应包括两种砷化物相(六方结构的GdSi1.7

沉积工艺对二氧化锆薄膜生长特性影响的研究

利用反应离子束溅射、反应磁控溅射和电子束蒸发在K9基底上沉积ZrO2 薄膜 ,并用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行测量。通过数值相关运算 ,对不同工艺条件下薄膜生长界面进行定量描述 ,得到了薄膜表面的粗糙度指数、横向相关长度、标准偏差粗糙度等参量。由于沉积条件的不同 ,薄膜生长具有不同的动力学过程。在反应离子束溅射和反应磁控溅射沉积薄膜过程中 ,薄膜生长动力学行为均可用Kuramoto Sivashinsky方程来描述 ,电子束蒸发制备薄膜的过程可以用Mullins扩散模型来描述 。

固体薄膜技术

引言在金属、半导体、陶瓷、塑料等固体表面上,生长一层薄膜,使它具有与基体材料不同的物理及化学特性,以适应使用上的特殊要求,这就是固体薄膜技术。它是固体表而技术中的一个重要组成部分。这种技术在电子工业、光学和光通讯工业,能源开发和机械工业中,都已广泛应用。所谓薄膜,仅是相对而言,光学元件上的薄膜厚度一般存光的波长范同以内,而工程材料中所指的薄膜,厚度在几微米至几十微米的范围。

ZrO_2薄膜残余应力实验研究

采用ZYGOMarkⅢ GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2 薄膜中的残余应力进行了研究 ,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO2 薄膜残余应力的影响。实验结果表明 :随着沉积温度及沉积速率的升高 ,ZrO2 薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力 ,且压应力值随着沉积温度升高而增大。同时用X射线衍射技术测量分析了不同沉积条件下ZrO2 薄膜的微结构组织 ,探讨了ZrO2