电子束诱变球孢白僵菌高产几丁质酶的研究

本文利用电子束诱变球孢白僵菌分生孢子．比较不同诱变剂量对白僵菌产几丁质酶的影响。实验结果，在诱变剂量为０．０４×１０６ｒａｄ时，发生正变的机率较高，部分菌株几丁质酶活力比出发菌株提高１．２８倍。

电子束辐射诱变及克隆选择培育好好芭抗寒无性系的研究

利用电子辐射处理好好芭试管苗,从改变基因型入手提高其抗寒力,以获得稳定遗传的好好芭株系。研究表明150GY 的辐射量是诱发好好芭发生变异的最佳剂量,结合生化标记,抗寒相关的酶类——淀粉酶和过氧化物酶活性分析,人工模拟低温实验的克隆检测,筛选出了具有较高抗寒能力的好好芭株系,这些株系通过无性系繁殖可用于抗寒育种。

高产核酸的热带假丝酵母诱变选育及其发酵条件优化

以热带假丝酵母(Candida tropicalis)HY4-17为出发菌株,采用电子束辐射技术诱变,经过初筛、复筛及遗传稳定性试验选育核酸高产菌株,通过Plackett-Burman试验、最陡爬坡试验及响应面法优化培养基,并优化接种量和发酵时间以提高核酸产量。结果表明,获得一株生长快速,遗传稳定的突变菌株EBI-21,其核酸含量较出发菌株HY4-17提高了25%。最佳培养基组成为:糖蜜185g/L,硫酸铵3g/L,硫酸锌0.05g/L,硫酸镁0.5g/L,硫酸亚铁0.05g/L,磷酸1mL/L,pH值为4.5。在优化培养基及接种量8%,发酵时间12h条件下,核酸产量达到1.73g/L,较未优化前提高了80.21%,培养时间缩短了10h。

辐射诱变贝莱斯芽孢杆菌及其对辣椒炭疽病抑菌效果

采用^(60)Co-γ射线和电子束辐射诱变贝莱斯芽孢杆菌选育遗传稳定的突变菌株,用平板对峙法及四点法对突变菌株进行初筛和复筛,研究其对辣椒炭疽病菌的抑菌效果。结果表明:菌悬液经^(60)Co-γ射线辐照,贝莱斯芽孢杆菌D_(10)值为2366 Gy,在100~2000 Gy诱变剂量范围内芽孢杆菌致死率随着辐照吸收剂量的增加而升高。在2000 Gy辐照吸收剂量下,贝莱斯芽孢杆菌的致死率为81.8%,并筛选出5株(B004、B112、B114、B117、B118)突变菌株,其对辣椒炭疽病菌抑制率由出发菌株的51.2%分别提高到57.5%、58.0%、57.0%、57.7%和59.9%;贝莱斯芽孢杆菌菌悬液经电子束(10 MeV)辐照,贝莱斯芽孢杆菌D10值为499 Gy,在100~600 Gy诱变剂量范围内,芽孢杆菌致死率随着辐照吸收剂量的增加而升高,在400 Gy辐照吸收剂量下,贝莱斯芽孢杆菌致死率为91.8%,筛选出2株(D115和D243)突变菌株,其对辣椒炭疽病菌抑制率由出发菌株的55.2%分别提高到58.4%和58.1%;B004、B112、B117、B118贝莱斯芽孢杆菌诱变菌株对辣椒炭疽病菌抑菌效果在6代内遗传稳定。研究结果表明:γ射线和电子束辐照在贝莱斯芽孢杆菌的诱变育种中具有潜在的应用价值,本研究可为贝莱斯芽孢杆菌的诱变育种提供基础,为辣椒炭疽病病害的生物防治提供理论参考。

E-beam-induced in situ structural transformation in one-dimensional nanomaterials

Electron beam （e-beam） irradiation is an inev- itable, but crucial issue for electron microscopy. Our investigation results show the e-beam-induced in situ structural transformations in silicon （Si） nanowires and zinc oxide （ZnO） nanowires （NWs）, respectively. Crystal to amorphous structure transition was revealed in Si NWs utilizing high resolution electron microscopy and electron energy loss spectroscopy. Reconstruction at the （1010） surface of ZnO NWs was also observed in the transmission electron microscope （TEM） using aberration-corrected electron microscopy. These e-beam-induced in situ struc- tural transformations prove that the electron beam irradi- ation effect is able to be used for the local modification of one-dimensional nanomaterials.