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电子横向初始位置对高能电子轨迹和辐射特性的影响
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作者 沈曈 华欣竹 +2 位作者 何咏秋 严刚 田友伟 《光电子.激光》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期981-986,共6页
为得到圆偏振激光脉冲与电子碰撞后电子的最佳辐射特性,通过控制变量的方法,选取电子的若干个横向初始位置,利用MATLAB程序迭代模拟,并讨论电子横向初始位置对高能电子运动轨迹和辐射特性的影响。结果表明,随着电子横向初始位置的增大,... 为得到圆偏振激光脉冲与电子碰撞后电子的最佳辐射特性,通过控制变量的方法,选取电子的若干个横向初始位置,利用MATLAB程序迭代模拟,并讨论电子横向初始位置对高能电子运动轨迹和辐射特性的影响。结果表明,随着电子横向初始位置的增大,电子的运动轨迹和辐射特性在圆偏振强激光脉冲的作用下受到显著影响。对电子的辐射功率进行分析,当电子处于0.15λ_(0)(λ_(0)=1μm)的横向初始位置,电子的螺旋运动产生的最大辐射功率会达到最佳状态。通过对圆偏振强激光脉冲与电子相互作用的模型进行仿真,发现了电子辐射功率全空间的分布规律,为实际中的精确实验提供了理论依据。 展开更多
关键词 圆偏振强激光脉冲 电子横向初始位置 电子运动轨迹 辐射功率 MATLAB仿真
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