AlGaN/GaN势垒层异质结构与二维电子气密度的相互作用

在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层边界上的界面电荷来解势垒层泊松方程的新方法。由此计算出的势垒层能带和自洽能带计算结果相吻合。用电子气密度多项式来拟合沟道阱子带能级随电子气密度变化的曲线,推算出新的二维电子气密度的超越方程。对于各种不同异质结构,从超越方程解出的电子气密度和势垒层能带同自洽能带计算结果相吻合,从而创立了一种自洽求解沟道阱泊松方程和薛定谔方程的新方法。研究了二维电子气密度与势垒层异质结构的相互作用,讨论了电子气密度随异质结构的变化,提出了异质结能带剪裁的新思路。

解超越方程的电子表格法

给出了解超越方程的电子表格法,用该方法可以获得超越方程的高精度解,方法直观、简便、速度快,具有较强的实用性.

电流源型逆变器SHE-PWM开关角度的计算方法研究

该文以电流源型逆变器(CSI)为研究对象,对特定消谐技术(SHE)的应用进行了分析和研究;针对用数值方法求解SHE-PWM开关角度时,非线性超越方程组计算初值选择困难的问题,提出了以梯形调制法(TPWM)生成方程组初值的方法,使求解速度明显加快;根据非线性方程组的数值解进行了仿真和实验,其结果证明了计算结果的正确性。

高功率去谐滤波器简化计算法

本文对文献中的分析方法作了补充推证,并把超越方程化简成代数方程,使计算工作大大简化。最后,根据简化计算法设计了一种去谐滤波器,经过高低功率试验,证明与理论符合。

光电子技术

0107511K_u 波段锁式铁氧体移相器[刊]/冯全源//电子器件.—2000,23(3).—190～195(L)