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GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期170-174,共5页
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的...
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的影响。通过势垒层和沟道结构的综合设计获得了在大栅压摆动下保持高跨导和线性的优化结构。提出了剪裁二维能带结构的新工艺方案。
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关键词
氮化镓
异质结场效应管
非线性
沟道
电子
态转移
电子波函数渗透
沟道
电子
布居率
能带剪裁
下载PDF
职称材料
题名
GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究
1
作者
薛舫时
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期170-174,共5页
文摘
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的影响。通过势垒层和沟道结构的综合设计获得了在大栅压摆动下保持高跨导和线性的优化结构。提出了剪裁二维能带结构的新工艺方案。
关键词
氮化镓
异质结场效应管
非线性
沟道
电子
态转移
电子波函数渗透
沟道
电子
布居率
能带剪裁
Keywords
GaN
HFET
nonlinearity
electron state transformation
permeation of electron wave function
electron population ratio in channel
energy band tailoring
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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