锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究

锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为V In型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。

热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制

利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.

γ辐照对PE的正电子湮灭特性影响

实验中对纯 L LDPE,LDPE和 HDPE经受了不同剂量辐照的 L LDPE,LDPE和 HDPE样品进行了正电子湮灭寿命谱的测定。当辐射剂量低于 2 5 k Gy时 ,o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3)也随辐射剂量的增大而变小 ,当辐射剂量高于 2 5 k Gy时 ,o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3)基本不变 ,对照 L LDPE,L DPE和HDPE的 o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3) ,可知道自由体积与材料的力学性能有一定的关联。

变温条件下HDPE/CB的正电子湮灭特性

对掺杂了 2 5份 (phr)导电炭黑 (CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量 ,在玻璃化转变温度以上 ,随着温度的增加 ,自由体积的大小线性增加 ,在玻璃化转变温度以下 ,自由体积的大小基本不变。o Ps的强度在 -4 0℃下基本不变 ,从-4 0℃以上开始增加 ,但在 5 0℃以上上升有加快的趋势。

应用慢正电子湮灭分析陶瓷表面的辐照损伤

正电子湮灭技术(PAT)已被广泛用于探测固体内部的缺陷情况。最近又发展起来一种慢正电子湮灭装置,它可有效地分析固体近表面区域的缺陷分布,成为对一些传统表面检测手段如背散射技术、光电子能谱等的重要补充。本文简要地介绍了这一新方法,并利用它对离子注入陶瓷表面的辐照损伤进行了研究。

包含正电子湮灭峰的重峰拟合

针对通常高纯锗探测系统的γ谱软件不能对包含正电子湮灭峰的重峰区间进行正确的拟合编写一软件 。

块状LaNi_5基纳米合金的正电子湮灭研究

利用高温高压技术,在不同的压力和温度(～4.5GPa,～800℃)下将LaNi5基快淬合金粉直接压制成了块状纳米晶合金。X射线衍射分析表明,高压使其晶粒内部发生了明显的压致晶粒碎化,其平均晶粒尺寸在4.5GPa下从75.5nm降至24.6nm。利用正电子湮灭技术研究了这种晶粒碎化效应对纳米合金内部缺陷结构的影响。测试结果表明,在高温高压的作用下,由于界面上原子的迁移和弛豫加剧,导致晶界上尺寸较大的微孔隙缺陷逐渐转化为尺寸较小的自由体积缺陷,使得纳米合金的致密度逐渐增强,显微硬度逐渐升高,从而在高温高压下得到致密的块状纳米合金材料。

铁质南唐永通泉货和南北宋铁币的正电子湮灭与其它测量分析

采用正电子湮灭技术和金相显微以及扫描电镜能谱技术对南唐永通泉货铁钱和若干南北宋铁钱进行了研究。结果表明，早在南唐时期，我国铁币冶铸技术已达到一定水平，且在宋代有所改进。测试表明，正电子湮灭技术结合其它测试方法。

用正电子湮灭技术研究深冲钢板不同应变路径中的位错密度

本文应用正电子湮灭多普勒增宽测量技术研究了深冲钢板在单向拉伸、平面应变和等双向拉伸变形条件下的位错密度变化规律。结果表明:当等效应变从0.02增加到0.82时,位错密度从2.0×10~9 cm^(-2)增加到5.34×10^(11)cm^(-2),当变形路径不同时,位误密度的增长速度也不同。

正负电子湮灭中正反夸克喷注内部动力学起伏的研究

用蒙特卡洛方法研究了夸克喷注和反夸克喷注内部的动力学起伏.夸克和反夸克喷注从91.2GeV正负电子湮灭的2-喷注事件中在部分子层次上被区分出来.结果显示,在这两种喷注中都存在着一个转变点.在转变点处,动力学起伏在纵-横平面内是各向异性的,而在横平面内是各向同性的.由此得到了实验中可观察喷注的物理标度.

耀斑中正负电子湮灭线

本文简要回顾了耀斑中正负电子湮灭线的形成过程，着重研究了一个强γ射线耀斑０ ．５１１ ＭｅＶ 线随时间的演化。结果表明，为解释观测数据，加速质子谱必须随时间变化， 从而间接地提出了一种基于０ ．５１１ ＭｅＶ 线获取加速质子谱演化信息的新途径。

正负电子湮灭中喷注产生的随机性研究

通过对正负电子湮灭过程中随机性的研究 ,给出了用随机转动坐标系的方法消除冲度坐标系对末态粒子方位角分布及其动力学起伏的抑制作用 ,证明该方法与文献 [1]的结果一致 。

正负电子湮灭中粒子的快度分布

用修正了的热化柱模型分析了高能碰撞中粒子的快度分布 ,计算结果与质心能量 s=1 4,2 2 ,2 9,和 3 4 Ge V的 e+ e- 湮灭的实验数据符合 .

碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究

碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;b.Hg-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.

SPEK-C膜的正电子湮灭寿命谱学研究

利用正电子湮灭寿命谱(PALS)法及原子力显微镜(AFM),研究了磺化及溶剂蒸发对(磺化)酚酞侧基聚芳醚硐(SPEK-C)膜制备的影响.结果表明:磺化基团的引入,降低了分子间的作用力,使得分子间排列不紧密,导致聚合物的自由体积大小与强度同时增加;铸膜液溶剂挥发,聚合物浓度增加,胶束聚集体的相互聚集产生较大的胶束聚集体孔,使自由体积减小而强度增大,聚合物的自由体积较好地反映了胶束聚集体的聚集特征.

正电子湮灭术在测量金刚石膜空位型缺陷中的应用

对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空垃型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进行了初步分析讨论。

理想正电子湮灭寿命谱解析程序DPSⅠ

用C++语言编写了仅考虑样品体内信息的理想正电子湮灭寿命谱的解析程序DPSⅠ.程序采用带有记忆功能,并带有局部搜索的改进型模拟退火算法.对一般情况的理想寿命谱,DPSⅠ均可给出全局最优解;对于含有相对强度较小或重叠较为严重的多成份寿命谱,也可给出可接受的近似全局最优解.DPSⅠ的实现为开发实验测量寿命谱解析程序奠定了基础.

LC_9铝合金RRA处理的正电子湮灭研究

对于LC9铝合金,为了在不牺牲强度的前提下获得较好的应力腐蚀开裂抗力,近来,发展了一种称为回归再时效(简称RRA)的热处理工艺。这种热处理是将LC9铝合金进行固溶淬火加120℃时效29h(称为T6处理),然后在200℃进行短时间回归处理,使已析出的GP区和η′相部分重新固溶,紧接着再在120℃进行再时效。经RRA处理的LC9铝合金可以同时具有T6状态的高强度和T73状态的良好应力腐蚀开裂抗力。本文用正电子寿命谱和硬度测量对国产LC9铝合金的RRA处理与T6处理过程进行了对比研究,同时使用Doppler增宽技术研究了回归过程对时效的影响。

艾伦电负性与原子中正电子湮灭伽马谱的研究

本文将理论计算得到的36个原子的正电子湮灭伽马射线谱宽度与艾伦电负性进行对比拟合,发现艾伦电负性与正电子湮灭伽马射线谱宽度之间存在线性相关关系,证明了价电子在正电子湮灭过程中起主要作用。同时将艾伦电负性与描述伽马射线谱的特征值—平均多普勒频移(ADS)进行拟合对比,进一步证明了电负性与正电子湮灭之间存在联系。因为平均多普勒频移是对伽马射线谱积分得到的物理量,包含伽马谱的所有信息,所以平均多普勒频移相比于半高全宽(FWHM)具有更广泛的适用性。这些研究将有助于对正电子湮灭过程的理解。

辐射交联聚乙烯正电子湮灭谱的研究

本文用正电子技术研究了辐射交联聚乙烯在不同辐照剂量下的正电子湮灭参数,井与化学交联的聚乙烯样品近行比较,得出有意义的结果。