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题名镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖
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作者
浦浩楠
王家楫
俞宏坤
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机构
复旦大学材料科学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期623-628,共6页
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文摘
铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬态过程,因此在形成FAB后其表面的钯可能会出现不均匀的分布,后续的塑封环节中低含量的钯区域就会遭受外界的侵蚀,这对焊点的可靠性会有不良的影响。基于此,针对线径20μm镀钯铜线FAB上的钯覆盖区域进行了探究,并采用定制化的化学腐蚀方案来显示FAB上钯膜较厚区域和较薄区域在形貌上的差异。此外还讨论了不同电子火焰熄灭(EFO)工艺参数样品的钯薄弱区形状参数,最后分析了影响FAB表面上钯薄弱区的主要工艺因素,得到了相关工艺参数参考值,对后续工艺的可靠性提升有一定的借鉴意义。
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关键词
封装
铜引线键合
镀钯铜线
钯覆盖
电子火焰熄灭(efo)
自由空气球
(FAB)
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Keywords
packaging
copper wire bonding
palladium-coated copper wire
Pd coverage
electronic flame-off (efo)
free air ball (FAB)
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分类号
TN305.93
[电子电信—物理电子学]
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