瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10^(11)/cm^2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。

染料敏化太阳电池中双层结构TiO_2薄膜空间的电子分布与接触界面转移过程

采用电化学阻抗谱(EIS)研究了双层结构TiO2薄膜的电子积累和与电解液接触界面的电子转移过程.通过制备纳米颗粒单层和纳米颗粒/亚微米颗粒双层2种不同微结构的TiO2薄膜电极,对其电容分布、局域态密度、薄膜内部电子传输和固/液界面电子转移过程进行了研究.分析了纳米颗粒/亚微米颗粒双层结构电极对染料敏化太阳电池(DSC)性能的影响.结果表明,一定数量的电子会积累在亚微米颗粒层中引起薄膜电极化学电容的增加.在纳米颗粒层上端覆盖亚微米颗粒后降低了界面复合电阻,但对薄膜电极的传输性能影响较小.因此在筛选和制备DSC散射层材料时除应具有良好的光散射性能外,还应考虑材料的化学电容和界面转移电阻等因素.

氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响

采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5V增加到2.2V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30V偏压3 600s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1V增加到9V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。